硅压阻式传感器与AD7705芯片在压力测量中的应用

介绍一种新型测量压力的元件——硅半导体压阻式传感器，并以MPX2100压阻式传感器为例，配合AD7705芯片构成压力测量系统，阐述压力测量系统的工作原理，说明系统的软、硬件设计方法．     

苯酚在ITQ-1分子筛中吸附特性的分子模拟研究

用巨正则统计系综蒙特卡罗模拟,研究了苯酚分子在ITQ-1分子筛中的吸附特性,从苯酚分子的粒子分布云图上,可发现分子的扩散和吸附在十二元环通道和十元环通道内都可进行。从一系列不同压力下的蒙特卡罗模拟还预测了苯酚在ITO-1中的吸附等温线。模拟结果表明,苯酚分子在一定压力和温度下,可通过十元环通道或连接十二元环超笼的十元环窗口到达分子筛孔道内部,达到较好的吸附平衡状态;同时还模拟了苯酚在水分子存在时,在ITQ～1分子筛中的吸附情况,结果表明,水分子的存在可降低苯酚分子的吸附,但从整体看影响较小。     

强夯处理软基的工后沉降

是否可有效减小软基工后沉降是衡量软基处理方法有效性的重要指标．从工后沉降的角度分析了强夯动力固结法处理深厚软基的有效性．实测结果表明：强夯可在淤泥层中产生较大的孔压增量，且影响深度较大．但强夯所致的孔压增量在瞬间产生，也在很短时间内消散．强夯前后软基的沉降速率相同，强夯对软基的固结沉降基本没有影响，处理后软基的工后沉降仍达360-800mm．在本文所述的工况条件下，强夯动力固结处理淤泥软土是无效的．     

在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜，能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体，光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散，在Wagner理论基础上，用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。     

Ba6-3xNd8+2xTi18O54(x=2/3)的聚合物前驱体法合成研究

以EDTA为络合剂，EG为酯化剂，利用聚合物前驱体法合成了Ba6-3xNd8 2xTi18O54陶瓷，研究了不同的EDTA与金属离子摩尔比对粉末结晶特性的影响，利用DTA，TG和XRD等技术分析了Ba6-3xNd8 2xTi18O54前驱体和得到的氧化物粉末，测试了由x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体得到的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷的微波介电性能。在900℃预烧x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体3h，单相的Ba6-3xNd8 2xTi^18O54(x=2／3)直接形成，没有出现中间相。1000℃预烧，1340℃烧结的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷具有最佳的微波介电性能：ε=87．1，Qf=8710GHz。     

解线性方程组的子空间直交基裂分法

 提出了一种解线性方程组的新方法,目的在于降低方程组的阶数进行计算,比Schur算法在计算量方面大为减少,特别对阶数越高稀疏性越强的方程组计算量的减少越为显著,并且该方法的算法比较简单,是一个有效的算法,在实用和理论上都有一定意义;最后在计算机上举数值例子与Schur方法进行比较.     

五阶带形状参数的B样条曲线

给出了五阶带形状参数的均匀B样条基函数，使五阶均匀B样条基函数成为它的一个特例．由带形状参数的五阶均匀B样条基构成的样条曲线，可通过改变形状参数的取值而调整曲线的形状，并且可以调整曲线接近其控制多边形的程度。     

改进的多孔硅生长模型和计算机模拟

基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.     

RTP硅太阳电池的研究进展

用快速热处理(RTP，Rapid Thermal Processing,)制备太阳电池p—n结开辟了一种新的低成本技术。这些年许多科研机构对RTP系统的设计、RTP快速扩散模型、RTP制作器件做了深入的研究。文章主要介绍了RTP快速扩散模型和回顾了RTP硅太阳电池的发展过程，提出了RTP硅太阳电池研究的一些发展方向。     

弹性开孔平面问题的边界积分方程

由开孔平面边值问题的一般数学理论出发，建立了一组新型的边界积分方程为建立相应的边界元方法提供了理论基础。