实验室低值品管理探讨

低值易耗品品种数量多、用途广、消耗快,是高校资产的重要组成部分,也是高校资产管理的薄弱环节。针对实验室低值品在高校实验室管理中存在的问题,从几方面提出了如何搞好高校实验室三类低值品管理的对策与措施。     

彩色稀浆封层配合比设计方法研究

彩色稀浆封层技术不仅可以对新、旧路面的老化、裂缝、光滑、松散、坑槽等病害能够起到预防和维修的作用,使路面的防水、抗滑、平整、耐磨性能迅速提高,而且综合了车道视觉减速标线和感觉减速标线的优点,使路面呈现各种颜色,有很强的视觉警示效果和良好的事故预防效果。本文阐述彩色稀浆封层的配合比设计方法,以指导彩色稀浆封层的施工。     

创建优质小区环境景观须注意的问题研究

针对居住小区环境景观设计建设中易产生问题的环节,分析问题产生的原因,提出相应的解决办法和注意事项     

材料学在金属切削加工中的应用

本文分析了工件与刀具材料特性对切削方式的影响,阐明了材料学研究在金属切削加工中的作用。     

河上有桥，为什么要游戏过河

王国栋院士是我国的压力加工专家,长期从事钢铁材料轧制的理论、工艺、自动化方面的研究,在新一代钢铁材料、中厚板核心生产技术开发、轧制过程人工智能优化等方面做出创新成果。曾获国家技术发明奖1项、国家科技进步奖4项。     

超材料技术在天线设计实验教学改革中的应用

为了增强天线课程的时代性并提高学生学习天线的兴趣,将超材料技术引入到天线设计实验教学中.通过构建LOGO贴片天线、卡通型反射阵天线和圆环超材料喇叭天线仿真平台,学生不仅能够加深对三类基本天线工作原理的理解而且能够初步了解超材料技术的强大功能.由于超材料图案具有天然的艺术美,所以学生在仿真超材料天线时可感受到科学与艺术的...     

材料性能对汽车碰撞散落物运动特性的影响

为研究汽车碰撞散落物的材料性能对其运动特性的影响,进一步完善交通事故再现中汽车碰撞散落物的运动行为理论模型,建立汽车碰撞散落物的运动学仿真模型,通过仿真试验,模拟了在散落初始条件相同的情况下,汽车碰撞弹性、弹塑性、塑性散落体的运动,分析了在试验条件一定时,3种材料巨能的汽车碰撞散落体的运动特性的异同及其随散落速度、散落高度、散落角度的变化关系.模拟试验结果分析表明:存在散落角度的汽车碰撞散落体其非线性运动轨迹受材料性能影响较大.     

Design of radiation hard phase-locked loop at 2.5 GHz using SOS-CMOS

Abstract: A radiation hard phase-locked loop (PLL) is designed at 2.5 GHz using silicon on sapphire complementary metal-oxide-semiconductor process. Radiation hardness is achieved through improving circuit design without sacrificing real estate. Stability is guaranteed by a fully self-bias architecture. The lock time of PLL is minimized by maximizing the loop bandwidth. Frequency tuning range of voltage controlled oscillator is significantly enhanced by a novel load configuration. In addition, multiple bias stages, asynchronous frequency divider, and silicon on sapphire process jointly make the proposed PLL more radiation hard. Layout of this PLL is simulated by Cadence Spectre RF under both single event effect and total induced dose effect. Simulation results demonstrate excellent stability, lock time < 600 ns, frequency tuning range [1.57 GHz, 3.46 GHz], and jitter < 12 ps. Through comparison with PLLs in literatures, the PLL is especially superior in terms of lock time and frequency tuning range performances.     

IMPLICIT—EXPLICIT MULTISTEP FINITE ELEMENT METHODS FOR THE SEMICONDUCTOR DEVICE PROBLEM

The transient behavior of a semiconductor device consists of a Poisson equation for the electric potential and of two nonlinear parabolic equations for the electron density and hole density.The electric potential equation is discretized by the finite element method.The electron and hole density equations are treated by implicit-explicit multistep finite element methods.The optimal L^2-norm error estimates are derived.