水稻精米中铅镉砷含量基因型差异的研究

通过对239份水稻精米的微量元素含量测定，结果表明：稻米中铅含量在0.02-14.26mg/kg之间，镉含量在0.01-1.98mg/kg之间，砷含量在0.08-49.14μg/kg之间，不同的水稻基因型稻米中含量差异极为显著。稻米中镉含量与锰、铁元素的含量呈显著性负相关，三者的含量与铬、镍、钼、铬的含量极显著相关，三者与氨基酸的相关性极小。表明通过遴选低铅、低镉、低砷的水稻基因型品种，改善环境污染给人带来的危害是可行的。     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。     

用于UHB- LED 的AlGaAs/ AlAs DBR光学性质的研究

从光学传输矩阵出发，研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质，并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响。     

钼钒砷三元杂多酸催化性能的研究

本文合成了四个钼钒砷三元杂多酸:Hx[AsVnMo12-noy]ZH2O=1-4,简记Vn。经元素分析,pH电位滴定,差热热重分析、红外等确定了结构组成。用程序升温还原(TPR)研完了它们分别与H2和CO反应的氧化催化性能,发现,随钒取代增多,活性降低。在微型反应器中,考查了V1和V3对叔丁醇生成甲基丙烯醛的催化作用,发现V1活性高于V3,选择性则是V3高于V1。即随钒取代增多,活性降低,选择性提高。     

原子集团展开和平均键能方法有InxGa1—xAs／GaAs系统中…

把原子集团展开方法同平均键能方法相结合建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法。应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应谈状态下的价带偏移随合金组份的变化规律。     

墨绿砷铜石与假孔雀石的中间端员组份矿物──砷假孔雀石的发现

砷假孔雀石是墨绿砷铜石与假孔雀石的中间端员组份矿物，首先发现于中国广西德保矿区硫化铜矿床铁帽带，该物的发现使不同族的墨绿砷铜石和假孔雀石联成一类质同象系列。该物的化学成份为ＣｕＯ６３．３２％、Ａｓ２Ｏ５２２．２０％、Ｐ２Ｏ５８．９３％、ＳＯ３０．５６％、Ｈ２Ｏ５．５３％。晶体呈翠绿色粒状，斜方桂状，透明，硬度Ｈ＝４，实测比重４．５９，χ射线衍射特征强线为４．８３（５９）４．５９（９１）３．９６（４     

从含砷废液和废渣中制备三氧化砷

研究了将含砷废液和硫化砷废渣进行综合处理,制备出含As_2O_3达99.0％以上的三氧化砷的方法。用这种方法消除了含砷废水、废渣对环境造成的污染。考察了温度、酸度、液固比、浸出时间等因素对硫化砷中砷浸出率的影响,其中温度和硫酸浓度的影响较大。     

Ga1—xInxAs1—ySby四元合金系光学性质的研究

以对ＧａＳｂ为衬底、外延生长的四元化合物Ｇａ１－ｘＩｎｘＡｓ１－ｙＳｂｙ（组分在ｘ＝０．０３２，ｙ＝０．９４到ｘ＝０．２６，ｙ－０．９范围内）进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下（８３Ｋ－３００Ｋ）四元合金的能隙，并详细讨论了能隙随温度的变化。     

《太上八景四蕊紫浆五珠降生神丹方》外丹黄白研究

《太上八景四蕊紫浆五珠降生神丹方》与外丹黄白之关系,学界迄今未有详论。此经大约于晋哀帝时出世,而且该经事实上给出了目前已知最早的火药配方雏形。不仅如此,它还首次在丹药的炼制中获得了游离态的单质砷结晶、获得了“彩色金”,同时也是最早制得硫酸亚汞的丹方之一,而等比数列的描述和放大镜的应用,也都为该经添色不少。因此,无论在火药发明史、单质砷和“彩色金”炼制史,抑或在数学和光学发展史上,该经都具有重要意义。