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31.
GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上,以获得负电子亲和势(Negative lectron Affinity)表面,然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极,来获得自旋极化的电子束,详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程,并介绍了极化电子在极化(e.2e)反应中的应用。 相似文献
32.
本文合成了四个钼钒砷三元杂多酸:Hx[AsVnMo12-noy]ZH2O=1-4,简记Vn。经元素分析,pH电位滴定,差热热重分析、红外等确定了结构组成。用程序升温还原(TPR)研完了它们分别与H2和CO反应的氧化催化性能,发现,随钒取代增多,活性降低。在微型反应器中,考查了V1和V3对叔丁醇生成甲基丙烯醛的催化作用,发现V1活性高于V3,选择性则是V3高于V1。即随钒取代增多,活性降低,选择性提高。 相似文献
33.
把原子集团展开方法同平均键能方法相结合建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法。应用此方法对InxGa1-xAs/GaAs系统分别计算了以GaAs和以InxGa1-xAs为衬底的两种不同的应谈状态下的价带偏移随合金组份的变化规律。 相似文献
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35.
36.
《太上八景四蕊紫浆五珠降生神丹方》与外丹黄白之关系,学界迄今未有详论。此经大约于晋哀帝时出世,而且该经事实上给出了目前已知最早的火药配方雏形。不仅如此,它还首次在丹药的炼制中获得了游离态的单质砷结晶、获得了“彩色金”,同时也是最早制得硫酸亚汞的丹方之一,而等比数列的描述和放大镜的应用,也都为该经添色不少。因此,无论在火药发明史、单质砷和“彩色金”炼制史,抑或在数学和光学发展史上,该经都具有重要意义。 相似文献
38.
建立了同时从沉积物中提取亚砷酸盐As(Ⅲ)、砷酸盐As(Ⅴ)、一甲基砷酸(MMA)和二甲基砷酸(DMA)4种砷形态的提取方法以及HPLC-ICP-MS联用测定沉积物中4种砷形态化合物的检测方法.探讨了磷酸、抗坏血酸、水浴时间等前处理条件,以及C8色谱柱和Hamilton PRP-X100色谱柱的色谱分离条件,由此建立了沉积物中砷形态的检测方法.结果表明,在95 ℃条件下水浴60 min,提取剂选择0.3 mol/L磷酸和0.5mol/L抗坏血酸的混合溶液,4种砷形态化合物加标回收率在70%-110%之间,相对标准偏差(RSD)小于6%.选用Hamilton PRP-X100(5 μm×15 cm)色谱柱进行4种砷形态的分离,以15 mmol/L磷酸氢二铵溶液(用甲酸调节pH=6.0)为流动相,在7 min内同时分析检测4种砷形态化合物,As(Ⅲ)、DMA、MMA和As(Ⅴ)的检出限依次为0.22、0.60、0.28和0.78 μg/L.该方法实现了对沉积物中常见的不同形态砷的同时分析,具有灵敏度高、精密度好的特点. 相似文献
39.
采用FeCl2·4H2O和KMnO4对活性炭进行改性.为获取高效的三价砷去除率,运用正交实验设计结合BP神经网络优化活性炭的改性方案.以FeCl2·4H2O和KMnO4的摩尔总浓度、FeCl2·4H2O和KMnO4物质的量比、水浴温度、干燥温度为正交实验设计因子,每个因子各取5个水平,以三价砷的去除率为目标因子,编制4因素5水平正交设计表.结合BP网络强大的函数拟合功能,以正交设计表中4因素为网络输入层,以三价砷去除率为网络输出层,建立BP神经网络模型,并通过该模型进行预测和优选,得到最佳的活性炭改性方案.即FeCl2·4H2O和KMnO4的摩尔总浓度为0.12mol·L-1,物质的量比为3∶1,水浴温度45℃,干燥温度190℃.此时三价砷的去除率为0.765,与网络预测值0.788相差3.00%.运用X射线衍射及SEM电镜扫描技术对最佳条件下的改性活性炭进行表面性能研究,并测定活性炭表面的铁锰的负载量,为进一步深入研究打下基础. 相似文献
40.
环境中微量砷及砷化合物的分析进展 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了环境中砷及砷化合物的主要来源及危害,着重阐述了近年来国内外砷及砷化合物的分析检测方法及其进展,并对常见分析方法进行了比较。 相似文献