高倍增GaAs光电导开关的设计琚抽

首次报导了采用Ｓｉ３Ｎ４、硅凝胶钝化／保护的微带低电感输出的全固态ＳＩ－ＧａＡｓ高压亚纳秒光电导开关的研究结果，该器件的耐压强度为３５ｋＶ／ｃｍ，具有理想的暗态伏安特性；     

La1—xCaxMnO3多晶材料的巨磁阻特性

用传统的电子陶瓷工艺制备了Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３（ｘ＝０．１５，０．３，０．４，０．５，０．６７，０．７）的系列多晶样品，测量了样品的直流电阻率随温度（４￣３００Ｋ）、磁场的变化（０￣８Ｔ）。结果表明：ｘ＝０．３的样品具有最好的磁阻效应，ｘ＝０．１５，０．６７的样品在测量范围内没有巨磁阻效应，但ｘ＝０．７的样品出现较弱的巨磁阻效应，其金属－半导体转变温度为１０５Ｋ。     

GaAs／AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性

采用ＭＯＣＶＤ技术制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构材料，对其进行了光致发光特性的测量，结果观察到５个发光峰，其波数分别为ｕ＝９６００ｃｍ＾－１，１２０２０ｃｍ＾－１，１２２４０ｃｍ＾－１１２５５０ｃｍ＾－１和１３０７０ｃｍ＾－１，并对发光峰的位置进行了理论的说明。     

多晶铝力学行为的细观实验分析

本文用云纹法测量了高纯铝大晶粒多晶试样的细观变形场，观测了晶界滑错，晶体刚性转动三晶交点处的变形和应变，实验发现，由于晶界滑错其附近在存在着高高剪应变差引起晶粒内部变形场的细观不均匀，使Ｔａｙｌａｒ假设失效，实验结果为劝观本理论的研究提供了重要实验依据。     

Sr3Tb2（BO3）4晶体生长原料的合成与表征

通过热重分析确定Sr3Tb2(BO3)4多晶原料的烧结工艺,并通过红外、XRD、磁化率等对合成出的多晶原料进行表征。结果表明,Sr3Tb2(BO3)4多晶原料为顺磁性,有可能成为紫外和可见光波段的磁光材料。     

复合结构半导体电极GaAs／Ga1—xAlxAs在光电池中应用初探

与电解液接触的半导体材料上所进行的光电化学过程，在能源方面可获实际应用。但在对光电池的研究中好现：采用任何一种单一的半导体材料作光阳极进行光能转换，都存在转换效率低的缺点。为此我们提出“复合结构模型”，认为采用复合半导体材料，可以覆盖更大频率范围内的太阳光谱，从而提高太阳能的转换效率。     

分子动力学对Ga_6As_6离子团簇结构和稳定性的研究

采用全势能线性Muffin-tin轨道分子动力学方法(FP-LMTO-MD)详细研究了带电后Ga6As6离子团簇结构和稳定性的变化.找到了一价正负Ga6As6离子团簇的基态结构,结果表明这两结构类似但与中性团簇的基态结构不同.在离子化过程中,发现当中性团簇加上1~2个电子时,其稳定性增加,再继续增加电子会使其稳定性下降;但在中性团簇失去电子时,团簇的稳定性随着电子的丢失直线下降.     

模式识别对La_x Ba_(1-x)TiO_3纳米多晶制备工艺参数的设计

利用溶胶－凝胶法合成钡钛前驱体，经干燥、焙烧等工艺制备了一系列镧掺杂钛酸钡纳米多晶粉体，利用ＸＲＤ确定物相及原始晶粒尺寸；通过模式识别中非线性映照及逆映照方法以原始晶粒尺寸作为目标值将试样分为３类，并通过分类图对工艺参数进行设计，按设计结果进行实验验证，获得了预期结果的多晶粉体，说明模式识别的应用有利于克服传统“炒菜式”合成方法的盲目性．     

γ—Fe2O3溅射磁膜的制作

用溅射技术制作γ－Fe2O3磁性薄膜，并通过透射电子显微镜观察磁性薄膜的电子显微像和选区电子衍射环，进行了γ－Fe2O3晶体结构分析，讨论了多晶薄膜的生长条件。