声表面波器件频率温度特性研究

对声表面波器件频率温度特性进行了分析,给出了计算方法,以JCL切型石英晶体为例计算的频温系数与实验验证结果基本相符。     

基于光电器件的海水透明度测量

提出了一种基于光电器件的海水透明度测量方法，该方法不直接测量初始光强度和经过海水衰减后光强的辐射能，不需要计算光束传播时在各介质面的光能损失，只测量光强经过光电转换的电信号，根据相关公式就可以算出海水透明度。     

ZnO压电薄膜的生长与应用

本文实验研究了ZnO压电薄膜的生长与表征,运用XRD和SEM测试了磁控溅射生长的ZnO压电薄膜的C轴择优取向生长情况和晶粒质量,比较了Si、覆盖在Si基底上的Al薄膜和SixNy薄膜三种材料衬底以及退火处理对ZnO薄膜的结晶质量的影响。还开发了仍然采用Al作为底电极但用一层SixNy薄膜与ZnO层隔离的MEMS压电器件的微制造工艺,以满足生长高质量的ZnO压电薄膜并与CMOS工艺兼容的要求。     

碳化硅材料与器件

对碳化硅的研究从1907年就开始了，当时H．J．Round通过在一个金属针和碳化硅晶体之间加上偏压示范了黄色与兰色的辐射光。1932年俄国科学家OleyLosev发现了出自碳化硅的两种类型的光辐射，现在我们称之为预击穿光线和场致发光辐射。人们在半个世纪以前已经认识到了在半导体电子学中使用碳化硅的潜力。它最值得注意的性质是（1）宽能带间隔，对于不同的多形体为3至3．3eV；     

近程导弹全程姿态控制导引回路设计与仿真研究

利用全程姿态控制的方法对导弹实施控制,使导弹能够以直线弹道准确飞行.给出所需要的惯性器件、全程姿态控制飞行的原理及设计方法.并在一定的初始数据条件下,进行计算机仿真研究,验证了该设计方法的正确性和可行性.     

小分子给受体化合物的合成及光伏性质研究

合成了新型的给受体化合物PLY-S2O。用溶液旋转涂膜的方法,分别将PLY-S2O作为电子给体和电子受体制备了本体异质结光伏器件,器件结构为ITO/PEDOT:PSS/active layer/LiF/Al。在AM 1.5G模拟太阳光100 mW/cm~2的照射光强下,以PLY-S2O为电子给体时,能量转化效率为0.035%;当以PLY-S2O为电子受体时,相应的能量转化效率达到0.064%。     

10t／h链条炉回收烟气余热节能技术改造

在省煤器后加装热管式换热器后，节能效果明显。通过计算和实际运行分析，每天节煤33．14×24=795kg，每月节约原煤795×30÷1000=23．86吨。按现在市场价1110．48元计算，每月节约资金23．86×1110．48=26496元，10t／h锅炉每年运行7个月计算：26496×7=18．5472（万元），长期运行效益非常可观。     

无触点开关在补偿装置上的运用研究

通过对电力电子器件组成的无触点开关组件在电路结构、开关特性以及构成等方面的分析,阐述了由无触点开关组件组成的低压电力无功补偿装置的主电路、保护电路、投切方式、电容的组合方式及负载特性.根据无触点开关组件的特点,对低压无功补偿装置的运用进行了分析研究.     

LED的特性及新型照明光源的应用

<正>近年来,全世界在研发LED发光二极管的技术上取得了突飞猛进的发展,新型照明光源技术开始应用到各个领域.在发达国家已经使用了几十年,就是在我国也研发了十几年,所有国家都把应用LED新光源作为节约能源的新举措.     

GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析

为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中“白斑”、“暗斑”的质量问题，从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样，分别进行了光荧光谱（PL）、二次离子质谱（SIMS）等测试。通过对这些测试结果进行综合分析，最终确定了造成产品出现“斑”现象的原因，通过改进工艺，向MOCVD用户提供了满足要求的砷化镓抛光片。