功能覆盖膜对场发射阵列（FEA）电子发射性能的影响

为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（ＦＥＡ）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）以及其它淀积技术。在１０＾－６Ｐａ下测量具有不同覆盖膜的硅ＦＥＡ二极管的Ｉ－Ｖ特性，测量结果表明除Ａｕ和Ｍｏ外，其它覆盖材料都对ＦＥＡ电子发射性能有改进，经ＴａＮ覆盖的ＦＥＡ发射电流最大。由Ｆ－Ｎ曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。     

未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究

本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明，本方法是简单准确的。     

电荷耦合器件被动式测量的信号处理

指出了在电荷耦合器件（ＣＣＤ）被动式测量中影响测量结果一致性的两个问题，即被测物发光强度的变化和环境的变化对测量结果一致性的影响。同时提出了解决这两个问题的信号处理方法，给出了相应的电路原理图，出示了实验波形。     

纳米技术手册

“纳米材料”是指在纳米尺度（0．1～100nm范围，1nm=10^-9m）上研究物质的特征和相互作用，以及利用纳米尺度的特征开发新产品的一门科学和技术。纳米科技包含纳米材料、纳米器件和对它们的检测与表征等应用性很强的研究和技术领域。通常说的纳米检测和表征是指在纳米尺度上分析纳米结构材料和器件的组成、构造，并且进一步探索新现象，作为发展新的器件和功能材料的手段。     

数字阵列光电位置敏感器件新型结构的研究

简要阐述光电位置敏感器件的特点、工作原理,根据光电位置敏感器件的原理和光电位置方程,分析了背景光与测量精度的关系.在此基础上,采用分布图像的峰值检波器来模拟预处理光电信号,通过数字转换得到图像的重心位置;采用集中平行的模拟计算估算射到感光区的光分布的重心,并通过时钟比较器得到数字化图像.给出了检测位置的二维光传感器阵列、显示与图像数量的平方根成正比功耗关系式以及几个重要结论.     

关于数字系统设计的研究

阐述了VHDL硬件描述语言与电路设计的关系及设计过程，在此基础上对数字系统设计方法进行了分析与比较。     

脉冲MIG/MAG焊机控制系统优化

研究了自行开发设计的微机控制的脉冲MIG/MAG焊电源控制系统和PID控制算法选择及系统控制软件的优化策略.针对脉冲MIG/MAG焊接过程中PI控制和焊接参数实时显示的矛盾,在研究分析了PID控制算法的基础上,为实现在焊接过程中实时采样控制和显示焊接参数,着重分析了串行显示芯片MAX7219的工作时序,研究改进了MAX7219的数据和命令格式的传输方式,以及在防止系统振荡的基础上对PID控制算法优化的方法.试验结果表明,优化后程序执行效率高,响应速度快,控制精度高,实现了稳定的脉冲MIG/MAG焊接过程.     

基于遗传算法的可进化模拟滤波器的实现

以遗传算法和可编程模拟器件ispPAC80为评估手段和载体，实现了可进化的模拟滤波器的设计，将遗传算法和可编程模拟器件相结合，可在无须改动硬件的情况下。实现转折频率和阻带衰减等滤波参数的变换(即可进化性)，其性能达到甚至超过经典的同阶滤波器。     

硅基高频器件与SiGe外延技术

本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题，并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进，最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。     

微机控高精度高压脉冲电源的研制

介绍利用大功率绝缘栅极晶体管(IGBT)配合脉冲升压变压器组成的高精度高压脉冲电源。该电源利用复杂可编程逻辑器件(CPLD)产生触发信号，通过微机、单片机、CPLD实现脉冲频率、脉冲宽度和脉冲个数的微机控制。且脉冲宽度能够以1μs步长增减，满足了脉冲电场非热效应处理技术应用的研究。