离子通道特性研究

简述了在等离子体加载高功率微波器件中的离子通道的研究背景及物理机制，利用电磁场理论导出了离子通道的聚束条件和通道半径的表达式，并对各区域的相对介电常数作了分析。     

激光-线阵CCD技术的热轧机辊形检测系统

应用激光—线阵CCD成像技术，提出了一种高速、高精度热轧机辊形检测方法，阐述了激光—线阵CCD工作原理及CCD视频信号图像处理技术，介绍了激光—线阵CCD热轧机辊形检测系统。采用新的自适应快速边缘聚焦法。有效地降低了噪音对成像质量的影响，提高了处理数据的速度，使图像得到有效增强，成功地解决了除噪、边缘检测和特征信息提取等关键技术，并通过实验进行了验证。     

ACEX 1K系列CPLD的配置

Altera公司近期推出新一代CPLD器件-ACEX 1K，这种芯片具有易失性，需要配置器件来保存CPLD器件的配置数据。对此，介绍了ACEX 1K系列器件的配置方法，对各种配置方法进行了分析对比，并着重论述了应用配置器件配置ACEX 1K系列器件的优点。     

非致冷红外焦平面阵列驱动电路优化设计

提出了基于复杂可编程逻辑器件 (CPLD)及低压差 (LDO)线性稳压器实现 3 2 0× 2 40长波红外非致冷焦平面阵列 (UFPA)驱动电路优化设计的方法 .选用Altera公司的MAX70 0 0AE系列CPLD作为硬件设计平台 ,运用VHDL语言对驱动时序进行硬件描述 ;选用TI公司的LDO线性稳压器及 14bit视频A/D转换器THS14 0 8实现UFPA偏置电路及视频输出信号的模数转换电路的设计 .测量与仿真结果证明是可行的 .     

GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构量子受限Stark效应的实验研究

半导体量子阱超晶格作为一种新型的人工剪裁结构受到人们的普遍重视.该结构的特点之一就是可以利用在外电场调制作用下光学性质的变化来实现其在光电子学方面的应用,量子受限Stark效应(Quantum confined stark effect,简称QCSE)就是一个例子,它是指在外加垂直电场的作用下,跃迁能级能量的变化,这种能量的变化称为Stark位移.其不仅存在于半导体量子阱的带间跃迁中,同时也存在于子带间跃迁中.在包络函数近似下,利用求解一维Schr(?)dinger方程,研究了GaAs/AlGaAs阶梯量子阱结构中的Stark位移,通过微扰理论计算指出在一定的结构设计下,Stark位移量可以达到方形量子阱结构的两倍.根据理论计算,考虑到生长条件的具体限制,在半绝缘GaAs衬底上外延生长了样品.1μm GaAs缓冲层之上是50 nm的AlAs剥离层,然后是300 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层,接下来为50周期的阶梯量子阱结构.每个结构单元由 2 nm的 GaAs,8 nm的Al_(0.15)Ga_(0.85)As和4 nm的Al_(0.3)Ga_(0.7)As构成.在阶梯量子阱结构之后是200 nm的 Al_(0.3)Ga_(0.7)AS和     

顶电极对金属-绝缘体-金属器件I-V曲线对称性的影响

通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.6的金属作顶电极，并在一定温度下对该器件进行热处理，可以提高其I-V曲线的对称性．     

科学级致冷 CCD 相机的性能和技术

介绍了科学级致冷ＣＣＤ相机与一般视频相机的区别、主要特性和采用的一些关键技术，同时讨论了ＣＣＤ今后的发展方向及存在的问题     

微波单片集成电路及其发展趋势

讨论了微波集成电路的发展过程，特点，材料和元件，它的设计，制造，应用以及国内ＭＭＩＣ发展概况。     

光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

延期药和点火药燃速测试新方法

燃烧速度是延期药、点火药的重要技术指标。传统的燃烧速度测试方法只能测延期药的平均燃速，且测试精度较低。本将ＣＣＤ（光电耦合器件）技术应用于药剂燃烧速度的测试，解决了以往无法测延期药、占火药瞬时燃速的难题。以Ｔｉ－ＢａＣｒＯ４系延期药为例，用该方法对其燃烧速度进行了实际测试，得到了该延期药燃烧波面位置－时间曲线、瞬时燃速曲线以及平均燃速随压力变化的曲线。