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31.
32.
量子力学是当前物理学及其相关科学的重要科学分支,也是当前许多新科学技术中的重要应用的基础。本书包含了现代新科学技术工程师所需要的量子力学方面的新材料,如研究和了解原子核、原子、分子和固体材料,以及激光器和其他量子光学器件所需要的科学资料等。 相似文献
33.
34.
本文介绍与GAL器件破译仪主机运行有关的软件,包括异步通信程序模块、数据的二次处理和逻辑化简程序模块,以及菜单和附加功能程序模块。本文采取了一些措施,使破译时间得到减少。 相似文献
35.
用加热分解α-G2S3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的GaS/GaAs异质结能带结构图,即价带偏移1.5eV,导带偏移0.3eV,界面附近存在0.4eV的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为GaAs器件制作的有用工艺。 相似文献
36.
采用在系统可编程逻辑器件实现HDB3编解码 总被引:1,自引:0,他引:1
杨静 《北京联合大学学报(自然科学版)》1998,12(1):76-81
在系统可编程技术是通信专用集成电路设计的一种最新设计方法,它使得数字电路设计、生产良生革命性的变化。 相似文献
37.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献
38.
利用射频(RF)磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列GaAs/SiO2半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在200至2000nm波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与GaAs夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到300℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。 相似文献
39.
谢茂浓 《四川大学学报(自然科学版)》1998,35(3):372-377
利用2MV电子静电加速器,研究了热氧化工艺与SiO2-Si结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照SiO2-Si结构引起的MOS电容平带电压漂移ΔVfb与SiO2膜厚dox^2成正比。由P型硅为衬底或掺氯氧化的SiO2-Si结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干N2热退火的SiO2-Si结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。 相似文献
40.
仿复眼成像的实验模拟研究 总被引:4,自引:0,他引:4
高爱华 《西北大学学报(自然科学版)》1998,28(2):117-120
利用计算机和图像卡对图像的处理功能,对平面微透镜阵列的多重像进行适当地处理来模拟并列型复眼的“镶嵌像”,对构成“镶嵌像”的拼法、像元数的不同做了对比实验,最后对影响镶嵌像的诸因素做了对比分析。 相似文献