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111.
基于Matlab的FIR滤波器设计及FPGA实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
张驰  郭黎利 《应用科技》2006,33(6):83-86
FIR滤波器是一种被广泛应用的基本的数字信号处理部件.针对常用的软、硬件方法设计实现FIR滤波器存在的问题,提出采用Matlab的窗函数方法设计并在FPGA上高速并行实现严格线性相位FIR滤波器的方案.其可以方便地调熬滤波器的阶数和系数,适合不同场合的应用.通过编程调试结果表明,该设计是可靠的,可作为高速数字滤波器设计的较好方案.  相似文献   
112.
吕海平  张丹  徐志永  李绪友 《应用科技》2006,33(8):15-17,21
介绍了一种光纤陀螺仪(FOG)的温度信号采集方案,该方案利用可编程控制器件(FPGA/CPLD)同模拟开关相结合实现了对多路陀螺温度信号进行轮换采集和处理,对传统数字信号处理必须采用多路并行采集电路的方法加以改进.该方案稳定性高,造价低,灵活性强,并已运用到实际,取得良好效果.  相似文献   
113.
报道了一种基于p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的新型量子阱红外探测器. 该器件作为一种p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的有效集成器件, 可以将QWIP探测的长波红外信号经光电转换过程后变成LED在近红外的发光. 通过电学直接读出方式和近红外(0.87 μm)光强度变化读出方式, 从实验上测量了器件的红外响应光谱, 设计与制备的器件实现了从长波红外(7.5 μm)向近红外(0.87 μm)的波长变化. 研究结果表明这种红外-近红外波长变换途径有可能导致红外焦平面技术体制的变化.  相似文献   
114.
聚TPD电荷传输材料的制备与单层器件的电致发光   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了提高空穴传输材料TPD(三苯基二胺衍生物)的热稳定性和器件的寿命,用TPD通过Friedel-Crafts反应和二卤化合物进行缩聚,将TPD结构单元引入到聚合物的主链,得到了一系列具有电荷传输性能的新型电致发光聚合物.研究发现,所有聚合物的热稳定性均高于TPD,能带结构几乎没有发生改变,有的聚合物既能传输空穴,又能传输电子.考察了单层器件的发光性能.结果显示,器件最大亮度在17V时约为36 cd·m-2,最大发射为460nm.  相似文献   
115.
基于载流子电导是空间电荷限制与空间电荷在器件内部指数减小的假设,通过引入电荷空间分布的特征长度及有效迁移率,并考虑注入电流为热电子电流和隧穿电流,由此对器件的输运特性进行了详细讨论.结果表明电荷空间分布的特征长度对器件中的载流子浓度、电场强度及电流有很大影响;器件功能层厚度对器件的电场强度影响较大,对器件I-V特性影响不大.  相似文献   
116.
由于双壁纳米碳管独特的双层结构,可望在纳米器件领域得到广泛应用。如根据构成两层碳管的导电性不同,可用作分子导线和记忆功能的分子存贮器等纳米电子器件,并可用作分子轴承、分子马达、超高频分子振荡器等纳米机械器件。同时,双壁纳米碳管的双层结构也为研究层间作用力对声子和电子结构的影响提供了理想的平台。但是迄今为止,所制备的双壁纳米碳管由于纯度低、无序排列和直径分布较宽的特点,严重阻碍了对其深入的理论研究和实际应用。沈阳材料科学国家(联合)实验室先进炭材料研究部任文才等于2002年率先提出了流动催化剂化学气相沉积法用…  相似文献   
117.
Si基光子学是近年来在半导体光电子学和纳米材料科学领域中迅速发展起来的一个新型分支学科,旨在研究各类Si基低维材料的发光特性,各种Si基光子器件的设计与制作,并进而实现用于现代光通信技术的全Si光电子集成电路。预计在未来10年内,随着Si基纳米材料发光效率的提高,器件制备技术的进步和光电子集成工艺的成熟,Si基光子学的研究将出现重大突破性进展,并很有可能引发一场新的信息技术革命。本文着重介绍了用于Si基光电集成的光子学材料、器件与工艺在近3~5年内所取得的研究进展,并预测了它们的未来发展趋势。  相似文献   
118.
针对半导体工业面向未来的微电子器件小型化处理 ,或者那些发展缓慢但后劲十足的领域投资 ;后者虽然可行性要小一些 ,但是一旦有所突破 ,其带来的效益是无可估量的  相似文献   
119.
PEDOT作为阳极的柔性有机电致发光器件   总被引:3,自引:0,他引:3  
邱勇  段炼  王立铎 《科学通报》2002,47(15):1152-1155
将PEDOT/PSS(poly-3,4-ethylenedioxythiophene/polystyrenesulfone acid)导电基片用于制备柔性有机小分子电致发光器件,研究了清洗工艺,器件结构对器件性能的影响,分析了导电膜表面与器件性能的关系,在优化后的条件下,最大亮度为2760cd/m^2,外量子效率最大值为1.4%,已接近ITO作为阳极的器件的性能。  相似文献   
120.
在给出任意像元形状的电荷耦合器件 (CCD)的调制传递函数 (MTF)一般公式的基础上 ,进一步比较了采样阵列为正方形 ,像元形状分别为正方形和梯形的CCD的MTF ,结果发现 ,像元形状为正方形的CCD的MTF优于梯形像元CCD的MTF .  相似文献   
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