一维正弦型函数光子晶体带隙结构研究

我们提出一种函数型光子晶体,其折射率是一个随空间位置周期性变化的函数.基于费马原理,我们得到了光在一维函数型光子晶体中的运动方程,并利用传输矩阵的方法推导出光在一维函数光子晶体的色散关系、发射率和透射率.通过理论模拟发现,介质的折射率、半周期厚度以及入射角对光子晶体带隙变化有重要的影响.     

人发中微量铜的压电频移分析法

报导了利用压电频移分析法测定人发中的铜,方法建立在Ｃｕ２ ＋ 与Ｉ－ 反应生成Ｉ２ ,利用压电石英晶体镀银电极对Ｉ２ 的灵敏吸附性,不经萃取而直接在反应体系中测定了９ ×１０ － ７ ～１ ×１０ － ５ ｍｏｌ／Ｌ的Ｃｕ２ ＋ ,方法的灵敏度高,共存离子干扰少,相对标准偏差≤４ ．７ ％ ,回收率为９６ ．３ ％ ～１０７ ．５ ％ ．     

鸡β_2-微球蛋白及其硒代衍生物的制备和晶体学研究

禽流感的暴发使得禽类免疫系统的研究显得愈加迫切.而以其他种属的同源β2-微球蛋白作为模板进行结构解析,不能解析鸡β2-微球蛋白(Chβ2m)的晶体结构.为了利用硒原子的反常散射获取Chβ2m晶体X射线衍射的相位信息.本研究以pET21a为表达载体,E coli BL21(DE3)为宿主菌,在含有硒代甲硫氨酸的M9培养基中,用IPTG诱导表达硒代甲硫氨酸Chβ2m.包涵体经提取和稀释复性法复性之后,通过分子筛层析和Resource Q阴离子交换层析进行纯化,产物经SDS-PAGE检验纯度达98%以上.利用悬滴气相扩散法采用与Chβ2m蛋白晶体生长相同的条件.获得了衍生物可供衍射的晶体.通过北京同步辐射装置收集数据,最高分辨率至1.9 A.     

温度对油、水、石英体系润湿性的影响

用量子场论方法计算了固 液界面的吸附自由能,导出了油、水、石英三相体系的润湿系数与温度的关系。计算表明,当系统的温度升高时,石英的亲水性增强,降低了多孔介质的残余油饱和度,这对热力采油机理研究有参考价值     

Nd3+∶Er3+∶YAlO3激光晶体中的能级结构

利用晶体场理论和不可约张量方法,采用中间态耦合及新的参数公式,对稀土离子能级精细结构及波函数进行理论计算,给出Er3 、Nd3 两种重要稀土离子精细结构能级位置. 实验上测定了的500～950 nm 吸收光谱,获得了与理论相一致的精细结构能级,并讨论了新波长激光的产生机制.     

吸收对对称性一维三元光子晶体能带的影响

利用复折射率及传输矩阵理论,研究了光子晶体的吸收对对称性一维三元光子晶体能带及透射峰的影响,研究表明:在反射波中,禁带的反射率随消光系数的增加而迅速降低,当k增加到0.005时,禁带边缘模糊,不存在明显的禁带;在透射波中,随着消光系数的增大,禁带边缘逐渐模糊,当k增加为0.003时,透射率降为0.35;光子晶体的消光系数对禁带内透射峰的透射率有着明显的影响,当k为0.001时,透射率下降到0.15,随着消光系数的增加,透射峰的半峰全宽随之增加,但对透射峰的中心波长没有影响.     

三角晶格光子晶体第一带隙特性研究

光子晶体的带隙特性对于电磁传输器件设计具有重要意义.基于电磁波传输理论,应用MATLAB数值模拟了五种半导体材料SIC、Si、Ge、InSb和HgTe构成二维圆柱三角晶格光子晶体TM模第一带隙特性,研究得到不同填充率条件下,介电常数较大的可形成较宽带隙,第一带隙上下边界频率都上移,第一代带隙宽度也随着填充率的增加而增加.研究结论为光子晶体器件制作提供参考.     

Co2Ti1-xMxA（X=0,1/4;M=C,Si）晶体的电子结构的第一性原理研究

用广义梯度近似密度泛函和全势能线性缀加平面波方法研究了晶体Co2Ti1-xMxA（lX=0,1/4;M=C,Si）的电子结构.为了更好的了解杂质元素对晶体AlCo2Ti结构的影响,对杂质元素M（M=C,Si）替代晶体AlCo2Ti中的Ti（1/2,1/2,1/2）位进行了对比研究.同时,对杂质元素M（M=C,Si）对晶体AlCo2Ti的晶格常数、体弹模量和原子之间的化学键产生的作用进行了探讨.     

人工电磁超材料的电磁波调控特性

人工电磁超材料具有自然界材料所不具备的电磁参数,并且拥有可设计性和可灵活调节性质,可实现对电磁波传播性能进行新的调控,是近年来的研究热点.本文介绍了一系列运用人工电磁超材料调控电磁波传播的功能器件,包括非对称电磁波传输器件、可调节电磁波吸波结构、电磁波极化调制器件,磁性光子晶体、磁性左手材料和基于超导薄膜的太赫兹人工电磁超材料,这些器件运用人工超材料的特殊物理特性和参数可设计性,具有全新的功能和优势,有效提高了对电磁波的调控能力.     

一种测量电光旋光晶体La3Ga5SiO14电光系数γ11的新方法

从理论上对激光处于电场中的旋光晶体传播方程进行了研究,应用琼斯距阵理论分析了入射到晶体表面和透过晶体的光的偏振态,推导出了透过晶体出射的光为线偏振的条件,利用旋光晶体电光系数γ_(11)与施加电场的电压V和晶体角度α的关系,通过实验,测量了La_3 Ga_5 SiO_(14)晶体电光系数γ_(11)为2．2×10~(-12)m/V．