酰基双烯酮重排反应的理论研究

采用量子化学从头算方法在 HF/6-3 1 G* *及 MP2 /6-3 1 G* *水平上计算了甲酰基双烯酮及苯甲酰基双烯酮的重排反应机理 .结果表明 ,两反应均为简单基元反应 ,反应中的 H原子 (或 C原子 )和邻近的 3个 C原子形成了具有四元环结构的对称过渡态 ,两反应的活化势垒分别为 1 5 0 .83 k J·mol- 1和 1 46.45 k J·mol- 1(MP2 /6-3 1 G* * 水平 ) ,这与苯甲酰基双烯酮需要在 5 5 0℃的高温下才能发生重排反应的实验事实一致 .     

纳米复合Ti(C,N)基陶瓷烧结晶粒长大的特性

利用材料热力学原理，推导出纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷烧结过程中，晶粒生长速度与大、小颗粒半径之间的关系，并结合实验结果进行了分析．结果表明：纳米复合金属陶瓷在烧结的开始阶段，大晶粒的长大速度呈加速趋势，当大晶粒长大到一定程度时，其长大速度达到最大值，随后，速度逐渐减慢．采用放电等离子烧结、脉冲烧结等方法有可能进一步减小小颗粒的半径．Mo、WC、TiN的加入，抑制了沉淀—析出过程的进行，对晶粒的长大有一定的抑制作用．     

偏置式推杆盘形凸轮机构主要设计参数的简明确定方法

主要分析了偏置式推杆盘形凸轮机构的主要尺度参数与所给定运动参数之间的关系，并提出了基圆半径r₀，偏距e等的取值原则与方法，从而准确无误地确定凸轮的主要参数，或是把此参数作为设计变量的初值。     

非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨

利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式.     

强夯处理软基的工后沉降

是否可有效减小软基工后沉降是衡量软基处理方法有效性的重要指标．从工后沉降的角度分析了强夯动力固结法处理深厚软基的有效性．实测结果表明：强夯可在淤泥层中产生较大的孔压增量，且影响深度较大．但强夯所致的孔压增量在瞬间产生，也在很短时间内消散．强夯前后软基的沉降速率相同，强夯对软基的固结沉降基本没有影响，处理后软基的工后沉降仍达360-800mm．在本文所述的工况条件下，强夯动力固结处理淤泥软土是无效的．     

在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜，能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体，光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散，在Wagner理论基础上，用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。     

含苯并三氮唑的三脚架化合物及其配合物研究

合成了两个新的三脚架结构化合物；1，1，1-三（1-苯并三氮唑基甲氧甲）丙烷（A）和三[2，1-苯并三氮唑基甲氧基）乙基]胺（B），获得了它们和一些过渡金属离子形成的配合物，并用元素分析，红外光谱，摩尔电导和热分析等手段对其进行了表征。     

解线性方程组的子空间直交基裂分法

 提出了一种解线性方程组的新方法,目的在于降低方程组的阶数进行计算,比Schur算法在计算量方面大为减少,特别对阶数越高稀疏性越强的方程组计算量的减少越为显著,并且该方法的算法比较简单,是一个有效的算法,在实用和理论上都有一定意义;最后在计算机上举数值例子与Schur方法进行比较.     

五阶带形状参数的B样条曲线

给出了五阶带形状参数的均匀B样条基函数，使五阶均匀B样条基函数成为它的一个特例．由带形状参数的五阶均匀B样条基构成的样条曲线，可通过改变形状参数的取值而调整曲线的形状，并且可以调整曲线接近其控制多边形的程度。     

β—酯基丙基三氯化锡与中性配体配合物的合成

利用β－酯基丙基三氯化锡中性配体氧化吡啶、吡啶、２，２’－联吡啶、１，１０－菲唾骂林等反应合成了１０个配合物，通过元素分析，ＩＲ、ＵＶ、Ｈ、ＮＭＲ等表征了其结构