首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4460篇
  免费   112篇
  国内免费   164篇
系统科学   138篇
丛书文集   224篇
教育与普及   232篇
理论与方法论   43篇
现状及发展   44篇
综合类   4055篇
  2024年   17篇
  2023年   73篇
  2022年   63篇
  2021年   105篇
  2020年   68篇
  2019年   83篇
  2018年   29篇
  2017年   52篇
  2016年   61篇
  2015年   95篇
  2014年   201篇
  2013年   176篇
  2012年   208篇
  2011年   249篇
  2010年   247篇
  2009年   284篇
  2008年   289篇
  2007年   312篇
  2006年   193篇
  2005年   213篇
  2004年   192篇
  2003年   188篇
  2002年   191篇
  2001年   192篇
  2000年   146篇
  1999年   108篇
  1998年   85篇
  1997年   105篇
  1996年   73篇
  1995年   80篇
  1994年   66篇
  1993年   57篇
  1992年   61篇
  1991年   48篇
  1990年   37篇
  1989年   37篇
  1988年   31篇
  1987年   14篇
  1986年   4篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有4736条查询结果,搜索用时 31 毫秒
71.
蚂蚁算法在公交查询最短路径求法中的应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
公交乘客出行路径选择是公交乘客信息系统的关键技术 ,提出以换乘次数最少为首要目标、出行距离最短为第二目标的算法 ,本算法是基于广度优先搜索并结合蚂蚁算法提出公交路线最短路径选择的新算法  相似文献   
72.
在系统可编程模拟器件是近期出现的新型可编程模拟器件,它的问世将在系统可编程技术的应用由数字电路领域拓展至模拟电路领域。介绍了在系统可编程模拟器件的结构特点和工作原理,并利用isp—PAC10设计出智能雷探测系统的预处理电路。仿真结果表明,采用ispPAC10设计的预处理电路频率特性比较理想,系统的稳定性与可靠性高。ispPAC还可反复编程,电路修改方便。  相似文献   
73.
在物质世界的微观和宏观两个领域内,人类在小步地前进着;而在介于它们之间的1—100纳米的世界里,20年前科学家们发现了深藏其中的一些物理和化学上的奇异现象,比如物体的强度、韧性、比热、导电率、扩散率、磁化率等完全不同于我们现有的常识。由这些全新的发现可能导致的全新理论的问世将会给人类带来怎样的影响,会成为一场持续多久的革命呢?请看中国科学院纳米科技项目首席科学家白春礼院士的报告。  相似文献   
74.
设计的电子系统由大规模可编程逻辑器件PLD,模/数(A/D)转换电路、数/摸(D/A)转换电路、存储电路、比较触发电路、放大器电路组成,重点论述了系统构思、计算和设计过程,本设计的实现,能使模拟示波器具有数字化存储功能,成为简易数字存储示波器.  相似文献   
75.
最短路问题的通用算法--最短初等链法   总被引:1,自引:0,他引:1  
最短初等链法是求解网络图最短路问题的通用算法,它突破了以往诸算法的局限性,适用范围广,具有广阔应用前景。  相似文献   
76.
简述了在等离子体加载高功率微波器件中的离子通道的研究背景及物理机制,利用电磁场理论导出了离子通道的聚束条件和通道半径的表达式,并对各区域的相对介电常数作了分析。  相似文献   
77.
应用激光—线阵CCD成像技术,提出了一种高速、高精度热轧机辊形检测方法,阐述了激光—线阵CCD工作原理及CCD视频信号图像处理技术,介绍了激光—线阵CCD热轧机辊形检测系统。采用新的自适应快速边缘聚焦法。有效地降低了噪音对成像质量的影响,提高了处理数据的速度,使图像得到有效增强,成功地解决了除噪、边缘检测和特征信息提取等关键技术,并通过实验进行了验证。  相似文献   
78.
Altera公司近期推出新一代CPLD器件-ACEX 1K,这种芯片具有易失性,需要配置器件来保存CPLD器件的配置数据。对此,介绍了ACEX 1K系列器件的配置方法,对各种配置方法进行了分析对比,并着重论述了应用配置器件配置ACEX 1K系列器件的优点。  相似文献   
79.
研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性,用低能量(550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨导,沟道电导,阈值电压,表面有效迁移率以及低频噪声等,实验结果表明,随着轰击时间的增加,跨导,沟道电导和表面有效迁移率光增大,然后减小,阈值电压先减小,随后变大;而低频噪声在轰击后明显减小,实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。  相似文献   
80.
经研究中碳合金结构钢35CrMo,42CrMo在不同应力比下(R=0.1和R=0.3)三点弯曲缺口试件的疲劳裂纹萌生及长,短裂纹的扩展规律,确定了该钢的缺口根部最大应力范围△σmax和疲劳裂纹萌生周次Ni的关系及疲劳裂纹萌生门截坎值(△σmax)th,并得出了这两种钢在长,短期纹阶段的扩展规律。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号