对使用VSEPR模型的一个改进——定量推算AX_nE_m分子或离子的几何构型

目前常使用VSEPR模型定性确定共价型AX_nE_m分子或离子的几何构型.为了推动这一理论的发展,使VSEPR模型更为可靠,作者对该模型作了一些改进——定量推算这类分子或离子的稳定结构,供读者参考.     

环R与Mn（R）的双理想及Mhc—根

讨论了环R与其矩阵环Mn(R)的双理想的对应关系;定义了环R的Mhc-根,从而证明了R与Mn(R)关于Mhc·根的一个定理.     

N—对羧苯基松香马来酰亚胺的合成及结构测定

本文研究一种能用于合成新型高热性能的聚酰亚胺酯或聚酰胺酰亚胺的单体——N—对羧苯基松香马来酰亚胺的合成原理、方法及其结构的测定数据.在加热条件下,松香和马来酸酐(1:1投料量)发生Diols(?)Alder反应生成松香—马来酐加合物(RMA)的产率为79％;在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)存在下,松香—马来酐加合物与对氨基苯甲酸反应获得的N—对羧苯基松香马来酰亚胺(PRMID)的产率为90.4％.溶解性等物理性质、红外光谱、核磁共振氢谱测定的数据表明产物的结构为标题化合物.热重分析(TGA)测试的曲线表明,产物具有较高的热稳定性能.     

矩阵多项式的亚正定性

本文讨论了反对称矩阵方幂的正定性及其多项式矩阵的亚正定性和一类亚正定矩阵的方幂及其多项式矩阵的亚正定性问题,取得了一系列有用结果。     

矩阵方程和分散扰动解耦

本文给出了矩阵方程 A_iXB_i=0,i∈2解空间的一组基。利用这组基,对两个控制站的输出反馈分散扰动解耦问题给出了一个新的证明。     

硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。     

逆序对合对应的构造

本文揭示了逆序对合对应的一些构造性质,证明了集合幂集到自身的一个映射是逆序对合当且仅当它是取补运算与一个对合映射的复合,讨论了完备链上逆序对合对应的构造.     

对向靶溅射法中直流负偏压对FeN化合物薄膜的结构和磁性的影响

对向靶反应溅射法制备的FeN化合物薄膜的结构和磁性对基板偏压的变化很敏感,不同的偏压数值作用的效果不同。我们用基板偏压促进成膜原子间的相互扩散,以及对负离子排斥降低膜中N的浓度和粒子轰击对膜再溅射的观点解释了FeN膜的结构和磁性的变化。