螺旋谐振宽阻带微带滤波器

提出一种新型螺旋谐振带阻滤波器的设计.通过HFSS仿真软件,结果显示这种带阻滤波器具有较宽的阻带;同时也对这种矩形螺旋谐振带阻滤波器进行了改进,使其制作简单且具有更加紧凑尺寸,很方便在集成电路中使用.仿真结果也显示了它具有更好的性能.     

基于电子温度效应的SiGe、SiGeC异质结晶体管的基区渡越时间模型

提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型,该模型考虑了电子温度效应.计入薄基区内强电场(该电场源起于Ge,C元素的掺杂)引起的电子温度变化,得到的基区渡越时间值与漂移-扩散模型有所不同.随着Ge含量的增加,两者的差别不能再忽略.     

线性规划模型的一种表上矩形作业法

线性规划模型的成熟算法是单纯形法.在单纯形法的基础上,提出一种表上矩形作业法.该方法在简化的单纯形表上,首先确定以枢元及需要更新元素为对角构成的矩形,然后通过矩形顶点元素的运算求得更新元素值,以此求出所有的非枢轴元,进而求得枢轴元和枢元,得出新的单纯形表.例子说明方法形象直观,求解过程简捷有效.     

方钢管混凝土柱与钢梁连接节点的非线性有限元研究

针对方钢管混凝土柱与钢梁连接方式问题,研究隔板贯穿式翼缘加楔形板刚接节点变形性能,建立3D有限元模型,钢材采用Von-Mises屈服条件和三线性随动强化本构,混凝土采用弹塑性本构,基于非线性有限元模拟研究低周反复荷载作用下模型节点的滞回耗能性能,对节点抗震性能基本指标进行比较分析,节点有限元分析结果可为设计提供一些参考.     

Ni80Fe20/Al2O3/Ni80Fe20磁性隧道结中间绝缘层同TMR关系的研究

采用离子束和磁控溅射技术制备了Ni80Fe20／Al2O3／Ni80Fe20磁性隧道结样品,主要研究了中间绝缘层对隧道结磁电阻效应的影响．结果表明,中间氧化物的厚度对磁电阻值起调节作用,在3～7nm范围内磁电阻基本呈现单调递减现象．为提高磁隧道结磁电阻性能做了实验尝试．     

VDMOSFET的终端优化设计

主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理,以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的结构为例,详细讨论了场板在减少反馈电容、提高器件的击穿电压、降低导通电组、改善跨导、提高输出电阻、改进安全工作区方面的理论机制及作用。     

非对称异质结型量子阱光伏探测器

报道了中心波长为9.0和8.8 (m的两个GaAs/AlGaAs多量子阱光伏红外探测器, 其特点是在GaAs/AlGaAs量子阱结构中引入薄的AlAs非对称高势垒层. 这种结构不仅具有光伏效应, 并且显示高的探测率和宽的响应谱. 在77 K和零偏压条件下, 其峰值探测率分别为6.7×109和7.6× 109 cm·Hz1/2/W, 响应带宽 △λ 分别是2.7和3.2 μm.     

BiOCl/NH2-UiO-66(Zr)异质结的构建及其对罗丹明B的光催化降解

基于溶剂热法成功制备了BiOCl/UiO-66(Zr)-NH2(BUN)异质结复合材料,并通过XRD、TEM、SEM和DRS等对材料的晶相结构、表面形貌和光吸收范围等进行了表征.光催化降解罗丹明B(RhB)实验结果表明,当BiOCl与UiO-66(Zr)-NH2的质量比为1:0.1,可见光照射20 min后,RhB的降...     

考虑渗流作用的基坑旋喷封底隔渗体设计方法

针对深基坑旋喷封底隔渗体的设计和计算问题,将基坑旋喷封底隔渗体假定为四周固支的矩形弹性薄板,并考虑其渗流作用,提出了基坑旋喷封底隔渗体的设计方法.随后,对某城市地下两层车站基坑深层旋喷封底隔渗体参数进行计算分析.结果表明:基坑旋喷封底隔渗体设计时须着重关注结构拉裂破坏模式.由于渗流平衡方法忽略了基坑旋喷封底隔渗体的材料...