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261.
制备了不同Al2O3厚度的Co/Al2O3/FeNi隧道结,并在77K温度下测量了其输运特性。发现随着厚度的增加,TMR下降。但是当Al2O3厚度降为2nm时,磁电阻不再出现典型的双峰曲线,而是呈现高阻和低阻两个状态。测量了隧道结的TMR随外加电压的变化、伏安特性曲线、电阻随温度的变化曲线,综合所有因素,在文中制备条件下,Al2O3厚度为4nm时,隧道结性能最好。  相似文献   
262.
263.
本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性,并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果.  相似文献   
264.
利用Liapunov-Schmidt方法对高维自治系统的周期解进行了研究,得到了周期解的鞍结分歧产生的一个充分条件,并给出了一个具体的例子。  相似文献   
265.
叶波 《自然杂志》1995,17(5):293-299
本文综观半导体器件的现状,提出21世纪占主导地位的半导体器件为真空半导体器件、BiCMOS器件、低温半导体器件、GeSi异质结器件以及量子效应半导体器件,它们在一定程度上代表了未来半导体器件的发展方向。  相似文献   
266.
研究了 1 .3 μmInGaAsp InpDCC结构中间夹层厚度对激光器阈值和T0 值的影响 ,并得到了最佳的夹层厚度  相似文献   
267.
本文介绍了数字电路教学演示实验中的多路非周期性矩形波发生器的原理和电路。  相似文献   
268.
实验研究了电子束辐照诱导半导体掺杂技术制作的浅结硅光伏电池光响应特性。给出其相对光谱响应和激光感生光电压值。结果表明该器件具有较好的光响应特性。  相似文献   
269.
本文介绍了用正交变换化实二次型为标准形的一种新方法。  相似文献   
270.
本文应用正交函数系级数展开法分析结构的理论,以带附加补充项的Fourier级数作为挠度函数模式,求解了Winkler地基上自由边矩形板的弯曲问题。文中给出了算例,其载荷形式是较难处理的角点集中力形式。  相似文献   
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