"分子合金"类普鲁士蓝配合物的磁性研究

合成了多金属普鲁士蓝类配合物Ni0.75Cu0.75[Fe(CN)6]·6.3H2O.变温磁化率表明:化合物中存在铁磁性交换相互作用,铁磁相变温度Tc=20 K,根据居里-外斯定律获到居里常数C=1.79 cm3·K·mol-1和顺磁居里温度θ=21.53 K.剩余磁化强度Mr的大小是0.9μB;矫顽场Hc为0.112 T,大于已报道的大多数氰根桥联的普鲁士蓝类配合物.研究还表明,该化合物存在自旋玻璃态现象.     

两类不同免疫策略下的SIR流行病模型

研究了两类不同免疫方式下具有饱和传染力的SIR流行病模型的动力学行为.在连续免疫接种方式下,确定了基本再生数R0.用Lassalle定理和Poincare-Bendixon的三分法定理得到疾病消除平衡点和地方病平衡点全局渐近稳定的条件.在脉冲免疫接种方式下,确定了基本再生数R.利用脉冲微分方程的Floquet乘子理论和比较定理,研究了疾病消除周期解的全局渐近稳定性和系统的一致持久性.结果表明,当基本再生数小于1时,该传染病将逐渐消失;当基本再生数大于1时,该传染病将流行,成为地方病.     

热处理对电沉积Ni-Fe合金箔微观结构和磁性能的影响

对电沉积得到的Ni-Fe坡莫合金箔,在氢气气氛下进行退火处理,退火温度分别为850,1000和1150℃,保温时间均为5h.在扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜下观察合金箔断面和表面的显微结构,利用XRD检测合金箔的晶体结构,利用软磁材料直流磁性测试仪装置测得合金箔的直流磁特性.实验结果表明:在850～1150℃温度下热处理时,退火温度越高,合金箔的直流磁性能越好;经过退火热处理后合金箔的晶粒明显长大,而且合金箔存在明显的择优取向.     

弯曲液面上的饱和蒸气压

指出了弯曲液面上的饱和蒸气压与同温度下的饱和蒸气压之间的关系,既可依据热力学理论利用相变平衡条件求出,也可以利用毛细现象和等温气压公式求出,两者是等效的.并澄清和明确了上述关系在不同条件下可以进一步简化为不同形式.     

镍原子链磁性质的第一原理计算

采用基于密度泛函理论的第一原理方法,研究了自由空间中的一维镍原子链的结构稳定性和电子性质.计算结果发现,镍的线性和平面之字型一维链式结构和体金属镍一样,基态都表现出铁磁性,并且从三维的金属镍到二维平面之字型结构链再到一维线性原子链,体系磁性逐渐增强.通过对两种原子链态密度的分析发现,在低维状态下镍原子链不管是直线链还是之字型结构都有很高的自旋极化率,说明一维镍原子链在自旋电子器件方面有潜在的应用前景.     

热局部非平衡下饱和多孔弹性柱体的拟静态分析

基于多孔介质理论所建立的不可压饱和多孔介质热一流一同耦合模型,对于一端同定、绝热和不可渗透,另一端受机械和温度载荷联合作用且可自由排水的多孔弹性柱体,利用分离变量法和拉普拉斯变换推导给出了热局部非平衡下多孑L弹性柱体拟静态问题的一般解析表达式.最后,针对阶梯机械和温度载荷联合作用的情况,数值研究了不同参数下温度载荷对固相变形和有效应力、流体速度和孔隙压力的影响.结果表明:在流固两相热扩散系数的比值较大和两相间热交换系数比较小的情况下,热局部平衡和非平衡下有关结果之间的差异在初始阶段是非常明显的.     

FeCo基合金的一种环向磁化特性

测定了Fe36 Co36 Nb4 Si4.8 B19.2合金非晶管在环向磁化场作用下的纵向驱动巨磁阻抗效应,发现样品的阻抗比曲线在频率低于600 kHz时呈"双峰"现象,频率高于600 kHz时呈"单峰"现象,并对环向磁化场作用有良好的线性响应.用磁力显微(MFM)观察了样品的纵向和环向磁畴结构,分析认为是合金非晶管的分层磁畴结构分布导致了环向良好的线性磁特性.     

电磁学中带电粒子在电磁场中的运动问题

带电粒子在电磁场中的运动问题属于场的性质和力学规律及能量观点的综合应用,解决此类问题是以力学思路为主线,突出场的性质及场、力和能的结合.     

Cr掺杂BN半金属铁磁性的第一性原理计算

在广义梯度近似下(GGA)采用第一性原理平面波赝势方法,对Cr掺杂的闪锌矿稀磁半导体(DMS)B1-xCrxN(x=0.062 5,0.125)的电子结构和磁性进行了研究.结果表明掺入磁性过渡金属Cr后的BN明显呈现出显著的半金属特征,Cr原子在较小的掺杂浓度下构成了中间带隙的深层能级,使得原胞中Cr原子的局域磁矩约3μB,并且不随杂质浓度变化而改变.在B1-xCrxN(x=0.125)体系多种替位构形中,N220型的Cr-Cr铁磁耦合态最稳定,其铁磁性主要是由双交换机制引起,这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值.     

溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明:基片与靶间距为72 mm溅射功率为75 W,溅射气压为0.5 Pa,薄膜厚度为120 12m时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顾力达到5966 Oe,克尔角为0.413 °.