国内外壁面移动式机器人发展概况

阐述了壁面移动式机器人在国内外的发展概况，介绍了几种吸附方式和移动方式各自的特点，论述了在爬壁机器人的行走机构中采用全方位车轮的优越性。     

电子器件在高温气流中的绝热方法研究

提出了一种由真空多层绝热结构和吸热材料组成的电子器件绝热系统，根据实验结果和理论分析，得出了绝热系统内的温度响应函数，在此基础上进一步导出了绝热与吸热层的最佳经例结构，采用该方法设计制做的φ３６／φ２０绝热瓶，可以使电子器件在３６０℃环境中安全工作６ｈ。     

可编程控制器在真空吸盘式机械手中的应用

介绍了可编程控制器在真空吸盘式机械手控制中应用的方法．用实例说明了以可编程控制器为核心构成的逻辑控制系统与传统的继电器接触器控制系统相比具有可靠性高、电路简单、功能强、适应性强及控制功能修改方便等优点．     

离子束强化在镀氮化钛薄膜中的应用

系统地进行了离子束强化真空沉积镀、射频离子镀和离子束强化射频离子镀3种镀TiN薄膜的实验,并对不同方法制备的TiN薄膜进行了性能测试与组织结构分析。研究结果表明,离子束强化不仅有提高沉积速率,细化晶粒,促进晶体择优取向的作用,而且可改善薄膜的附着力与耐磨性。因此可推荐用于提高耐磨性为目的的TiN镀膜生产上。     

新型真空断路器触头材料Cu－Cr－C的研究

根据合金的微观结构设计思路，采用真空热碳还原法，用国产高氧Ｃｒ粉制备出低氧、优质ＣｕＣｒ真空断路器触头合金，解决了Ｃｒ粉国产化的问题，研究结果表明，加入１％～２％（质量）的Ｃ，大大改善了ＣｕＣｒ合金的抗熔焊性能而又不影响其耐电压强度和分断能力，解决了国内外长期未能解决的ＣｕＣｒ合金的抗熔焊问题．     

阳极真空弧沉积装置及弧特性初步诊断

介绍一种新的真空弧沉积实验装置。在１５～４０Ａ的电流范围内，对Ａ１弧等离子体的特性进行了初步诊断。在２５Ａ弧电流下，电子温度为０．４～０．８ｅＶ，电子浓度为１０１５～１０１７ｍ－３。     

CuCr真空触头材料的抗熔焊性能研究

测定了不同ＣｕＣｒ触头合金的基体强度和熔焊焊缝强度，通过扫描电子显微镜观察了其断口形貌，从而分析ＣｕＣｒ合金中脆性碳化物相对其抗熔焊性能的影响，讨论了碳化物相引入后ＣｕＣｒ合金的抗熔焊机理，同时还讨论了碳化物相对ＣｕＣｒ合金耐电压强度的影响。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头合金的显微组织对其耐电压强度的影响，研究结果表明，电击穿总是首先发生在耐电压强度低的合金相上，对Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金，首击穿相为Ｃｒ相，而对ＣｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金，首击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相．由于电压老炼的结果，首击穿相的耐电压强度上升而导致其他合金相被击穿，老炼的结果使原始粗大的合金相消失，在表层形成成分均匀的极细小显微组织，还从物理冶金学出发讨论了电压老炼的作用，认为电压老炼的过程实质上是一个在表层形成极细小显微组织和成分均匀化的高速相变过程．     

CP破坏和CP破坏物理机制的讨论

本文阐述了 CP 破坏实验结果的理论分析,引入φ~4相互作用模型,讨论了 CP 破坏的物理机制。从场与真空相互作用的观点,证明了 CP 破坏来源于真空自发破缺.并讨论了所得结果的物理意义.     

真空对洋葱(Allium cepa L.)根尖间期细胞和分裂期细胞的影响初探(I)

初步研究了真空对洋葱(Allium Cepa L.)根尖细胞的影响.证明真空对离水的洋葱根尖间期细胞和分裂期细胞的结构及行为有显著作用.材料经过真空处理后,有的细胞核出芽-形成核上小核;有的细胞核分解,形成数个微核或云雾状;染色体出现各种畸变(如:缺失、断片、染色体环、??着丝点、无着丝点);染色体数目亦有变化;有丝分裂时不均等分裂、落后染色体和染色体桥很多.实验结果表明:真空对间期细胞和分裂期细胞的结构及行为的影响与真空处理时间成正相关.t检验表明:p??0.001,说明真空处理组与对照组有显著差异.