纳米氧化锌粉的表面改性研究

以Zn(NO3)2·6H2O和CO(NH2)2为原料,采用均相沉淀法制备纳米氧化锌粉.用扫描电镜对产物粒度大小、形貌进行观察,并对其影响因素进行了探讨.结果表明,在反应温度为120℃,反应时间为2.5h时,所制的纳米氧化锌的产率最大.用不同的表面改性剂对纳米ZnO进行表面改性,粉体不再发生团聚.图6,表7,参5.     

平面凸轮机构的优化设计

本文以平面凸轮机构升程的最佳传动效率为目标函数,采用广义简约梯度法(GRG),对四种常见类型的平面凸轮机构进行优化设计.根据本文给出的程序,只需选定从动件的基本运动规律(备有七种),便可得出其最优设计参数和全部几何尺寸.     

糖苷合成研究(ⅩⅦ)--1-芳磺酰基-3-N-(β-D-乙酰基葡萄糖醛酸甲酯-1-基)-5-氟脲嘧啶的合成和表征

在相转移催化条件下,使2,3,4-三-O-乙酰基-1-溴-1-脱氧-α-D-葡萄糖醛酸甲酯与1-芳磺酰基-5-氟脲嘧啶反应,合成了5个新的1-芳磺酰基-3-N-(β-D-乙酰基葡萄糖醛酸甲酯-1-基)-5-氟脲嘧啶类化合物,其结构经IR、1HNMR及元素分析所证实.     

等离子熔积成形混相瞬态场的Level-Set方法模拟

提出了一种二维等离子熔积成形瞬态模型,该模型描述了液／气界面的自由表面发展,并模拟了熔池内流体流动和传热．采用Level—Set方法处理液／气界面边界条件,考虑了熔体流动的主要驱动力——表面张力梯度、表面曲率、浮力以及工件表面的对流散热等因素．用固液相统一模型来描述固／液界面处的熔融和凝固过程,并开发了相应的软件．对高温合金K163在不同扫描速度下的熔积层表面形貌、温度场以及熔池内流场进行了模拟分析．     

一种单纤直接传输平面图像的新方法

提出一种用单根光纤直接传输二维图像（幻灯片）的新方法，这种方法是借助特殊制作的全息透镜来实现单纤传像的。描述了单纤传输平面图像系统的实验装置和制作全息透镜的方法。     

渤中凹陷地震-沉积相研究

主要应用地震 -沉积相的工作方法研究了渤海湾盆地老第三纪地层发育及地震相的特点 ,解释地震剖面 ,并转化为沉积相 ,在此基础上对油气勘探的有利区带作出预测。研究工作强调了地质模型的作用 ,并用岩芯的资料及单井的沉积相分析来约束地震解释。指出地质模型约束地震解释 ,是克服地震多解性、提高解释精度的有效方法 ,更好地发挥地震横向预测的作用。地质模型主要据“四扇一沟”的模式来构建 ,其依据是在渤海湾的沙河街组及东营组 ,其储层砂体主要是由在深湖条件下 ,在凸起的边缘上 ,往往有扇三角洲、三角洲、湖底扇组成 ,它们的分布区 ,往往就是油气勘探的有利区。研究发现 ,区内凡是凸起边缘若发育了断层 ,就有可能促使湖底扇的发育。在渤中的老第三系 ,浊流比较发育 ,因而 ,浊流砂体的预测就成为非常重要的课题     

310SS在KCl盐膜下高温空气中腐蚀机理

研究了310SS在表面覆有KCl盐膜时于750-800℃下的腐蚀，结果表明，750℃时在固态氯化物盐膜下，310SS加速腐蚀主要按“活化氧化”机理进行，而在熔融态盐膜下尚受到800℃熔盐的影响，另外，经长期时效处理后，310SS除均匀腐蚀外，沿晶界σ还发生了择优腐蚀，从热力学和动力学两方面讨论了材料的加速腐蚀机理。     

不同氧化锆相的稳定性及电子结构的第一性原理研究

通过密度泛函理论计算了不同氧化锆相的晶体结构参数,在所有晶相模型结构优化的基础上,分析了在一般温度和压力下不同晶相稳定程度不同的原因。使用3种不同的泛函计算了不同晶相的电子能带结构和态密度电荷差分密度,发现在氧化锆高温稳定相体系中,由于强关联电子的相互作用增强,传统密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势泛函及其修正的Hubbard U方法都会严重低估能带带隙,因此所得各层能带位置不准确,而使用B3LYP杂化泛函计算的结果则可以很好地与已有实验结果相吻合。结合杂化泛函计算出的态密度和差分密度数据,在理论上从电子间相互作用的角度解释了氧化锆不同晶相的稳定性、导电性及光吸收性能。     

HoNiSn的X射线粉末衍射数据

给出指标化的ＨｏＮｉＳｎ相的Ｘ射线粉末衍射数据。该化事物属正交晶系，ａ＝７．０６５８（６）Ａ，ｂ＝７．６４５５（２）Ａ，ｃ＝４．４３９６（１）Ａ。每个晶胞有４个化合式量，空间群为Ｐｎａ２１。     

准同型相界附近0.02Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.50Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.48Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3陶瓷压电性能研究

采用传统固相反应法制备四元系0.02Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.50Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.48Pb(ZrxTi1-x)O3(0.29≤x≤0.34)陶瓷.观察样品的晶相结构和显微结构,测试压电性能和介电性能.随着Zr/Ti比的增大,晶相从四方相向三方相转变.发现准同型相界位置在x=0.32附近.1 240℃烧结的0.02PZN-0.50PNN-0.48PZ32T陶瓷展现了良好的压电性能,压电常数d33为715 p C/N,机电耦合系数kp为0.541,剩余极化强度Pr为25.5μC/cm2,矫顽场强Ec为5.6 k V/cm.新的压电材料适合高性能压电器件应用,且简单的制备方法给生产带来极大便利.