NaOH/KOH二元体系蓄热性能的研究

对NaOH/KON二元体系蓄热性能进行了实验研究，分析 相变材料（PCM）的熔解和凝固等现象，获得了二元体系组成对相变点的影响曲线图，计算了PCM的固－固相变潜热和分别处于液相，混相和固相状态时的导热系数。实验表明，二元体系的相变包括固－液相变和固－固相变，这两倍分的相变潜热值较大；相变过程中会有空穴的产生和不凝气体的存在；NaOH/KOH二元体系导热系数的实验值小于理论值，这在实际工作中应加以考虑。     

外场中具有长程相互作用S-1/2 XXZ双链的量子相变

采用平均场Jordan-Wigner变换分析方法,研究外场中且具有Z方向均匀长程相互作用自旋-1/2XXZ双链的量子相变,得到了系统格点的亥姆赫兹自由能、格点磁化强度等热力学量的解析表达式及其数值解.数值结果与其他文献的结果相符.     

PSZ陶瓷磨削变质层的相变分布

应用Ｘ射线衍射谱和激光喇曼散射光谱分析了ＰＳＺ陶瓷精密磨削表面的相变分布特征。结果表明磨削变质层的磨削相变是不均匀的。磨痕内的相变量大于磨痕处的相变量；磨削表面的相变量大于次表面的相变量；相变层深分布与材料有关，相变层深度远大于所采用的磨削深度。     

溶剂热法实现ZnS晶体相变的反应条件研究

以去离子水和乙二胺作为溶剂,采用溶剂热法制备了ZnS晶体,探讨了反应时间、反应温度、溶剂配比等条件对ZnS晶体晶型转变的影响。采用X射线衍射仪、扫描电镜等手段进行了ZnS晶体物相结构及表征的分析。结果表明,通过简单调节反应参数可以实现ZnS晶体由立方闪锌矿到六方钎锌矿的相变;当反应时间大于10h,反应温度高于140℃,去离子水与乙二胺溶剂配比大于1的实验条件下所得样品为纯度较高的六方钎锌矿型ZnS;立方闪锌矿ZnS均为直径约3μm的单分散微球体,而六方钎锌矿ZnS是由许多纳米纤维缠绕而成的大小不一的球形颗粒。     

关于基于存储器故障的测试算法探讨

随着系统级芯片中存储器的比例越来越大,存储器的品质直接影响着系统级芯片的整体性能,所以存储器部分的测试就更为重要。在分析了常用的几种存储器测试算法在故障覆盖率或时间复杂度方面的局限性之后,对能够在不需增加测试时间的同时而明显提升故障覆盖率的新March测试算法进行探讨并予以验证。     

40CrNiMo钢的热变形组织变化

利用G leeble 1500热/力学模拟实验机,对40CrN iMo钢进行双道次热模拟单向压缩试验。变形温度分别为710℃、760℃、950℃,变形速率为0.5~30 s-1,变形量为0.05~0.4,道次间停留时间为1~100 s。分析了钢热变形组织特征,结果表明钢在950℃温度变形过程中发生奥氏体动态再结晶,在760℃温度变形过程中,应变奥氏体诱发铁素体析出,而在710℃温度变形过程中,应变奥氏体加速了铁素体析出。     

相变及相关过程的内耗

内耗测量能显示Cu-Zn-A1中热弹性马氏体相变B29R和DO318R共存、以及单一1DO3←→18R或B2←→9R.Fe-Ni-Mn中等温马氏体相变在孕育期内出现相变内耗峰.因模量改变的特征不同,可将马氏体形核机制区分为与软模或局域软模有关和无关两种类型.Fe-Ni-C中珠光体相变和贝氏体相变都呈低频内耗,两者的特性相近.18Cr2Ni4WA钢及其脱碳合金、Cu-Zn-Al和Ag-Cd合金(包括上述Fe-Ni-C)在贝氏体相变孕育期内就出现相变内耗峰,论证此时发生贝氏体的形核过程.从相变时模量变化的实验,认为不同相变产生不同的相界面效应,使呈现不同的模量变化.只在(Ms-Tn)较大(如90K)的材料中,才在冷却过程的TN温度时,出现与反铁磁相变相关的磁畴界运动引起的内耗峰.材料的形状记忆效应可由马氏体逆相变的瞬间内耗峰面积     

嵌入式系统设计中FLASH存储器的应用

本文描述了SST39F040芯片的应用方法,并通过增强型单片机STC89C52RC对闪存SST39F040进行控制,实现对FLASH的读取、编程和擦除操作,为嵌入式系统功能扩展解决存储空间不足的瓶颈问题,提供了一个可靠的应用实例。     

相变材料在有限长矩形腔内接触熔化的分析

对水平矩形腔内相变材料的接触熔化过程进行了研究．矩形腔的长度可以小于、大于宽度,且在底面保持恒温对相变材料加热．通过边界层理论分析,求得了传热过程的熔化规律与液体边界层厚度,并与实验数据进行了比较,讨论了矩形长度对它们的影响,给出有益的结论．     

以低纯度Gd为原料制备Gd5Si1.85Ge2.15合金的磁热效应

研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金的磁性相变性质和磁热效应. 蒸馏Gd的杂质含量为O: 0.0160% (质量百分数); C: 0.0054% (质量百分数); N: 0.0016% (质量百分数), 低于普通商用Gd, 高于高纯Gd. 对Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明, Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金在253 K存在一级磁性相变; 从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5 J/kg·K.