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101.
Abstract: A radiation hard phase-locked loop (PLL) is designed at 2.5 GHz using silicon on sapphire complementary metal-oxide-semiconductor process. Radiation hardness is achieved through improving circuit design without sacrificing real estate. Stability is guaranteed by a fully self-bias architecture. The lock time of PLL is minimized by maximizing the loop bandwidth. Frequency tuning range of voltage controlled oscillator is significantly enhanced by a novel load configuration. In addition, multiple bias stages, asynchronous frequency divider, and silicon on sapphire process jointly make the proposed PLL more radiation hard. Layout of this PLL is simulated by Cadence Spectre RF under both single event effect and total induced dose effect. Simulation results demonstrate excellent stability, lock time < 600 ns, frequency tuning range [1.57 GHz, 3.46 GHz], and jitter < 12 ps. Through comparison with PLLs in literatures, the PLL is especially superior in terms of lock time and frequency tuning range performances. 相似文献
102.
通过三模近似来处理含三体项的GP方程,讨论了对称三势阱中散射长度周期变化时系统的特性,并以此为基础来分析不同相位情况下定态解的稳定性.研究表明这个体系的隧穿动力学可以被周期变化的散射长度有效的调节,且数值结果展示了相位对系统定态解的稳定性影响起重要作用,系统可通过改变相对相位使系统在自俘获与周期运动状态间转换. 相似文献
103.
在高数据条件下,实现分数比采样率转换是一个颇费计算量的复杂过程[1],因此,在文章[2]所提出的变量分离的有理因子图像尺度转换的实现中,较大的计算量是一个需解决的问题。本文基于多相滤波结构,按照最小运算量准则,综合处理分数比采样率转换中内插、滤波、抽取的运算过程,提出了变量分离的有理因子图像尺度转换的高效实现模式,大大提高了计算效率,并给出了利用这种高效实现模式对图像进行尺度转换的仿真实验结果。 相似文献
104.
亥姆霍兹线圈轴线上中心点附近磁场的均匀性是很好的,本文通过理论计算和实验测定得知,亥姆霍兹线圈中心点附近轴线以外的磁场也是相当均匀的。 相似文献
105.
徐慧芬 《南京大学学报(自然科学版)》1989,25(2):288-294
本文介绍了一种新颖的计算机辅助设计滤波器的方法。现有的滤波器设计或是逼近其幅度特性、或是逼近其相位特性。而本文介绍的Padé逼近法,可在无法写出网络函数解析表达式情况下,设计出能同时满足其特殊的幅度特性与相位特性的网络。 相似文献
106.
107.
108.
本文给出了二水甲酸钇晶体折射率的Sellmeier公式。计算了该晶体从1.064μm到0.674μm的各种基波波长的I型和Ⅱ型倍频相位匹配角以及相应的有效非线性系数,求出了最佳匹配角,描述了最佳匹配角的相对非线性系数随基波波长的变化规律。还进行了三倍频(1.064μm+0.532μm→0.355μm)的最佳匹配角的计算。对该晶体进行了1型倍频实验,验证了相位匹配曲线,实验结果与计算结果吻合。 相似文献
109.
本文根据传输电视电话的要求,结合光纤通信系统的特点,详细分析了系统指标的物理意义和测试方法。 相似文献
110.
钾钠铌酸锶钡(KNSBN)晶体是目前几种重要的光折变铁电晶体材料之一.KNSBN晶体不仅具有优异的光折变性能,而且与其它光折变晶体材料相比有许多优点,如:(1)易生长较大的单晶;(2)无孪晶,无90°畴,易极化、加工;(3)可以在较大固熔体范围内进行单晶生长,生长组分可调节;(4)易进行不同元素掺杂等.近些年来,人们对不同组分、不同元素掺杂 相似文献