利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

德国Lenze公司47系列直流调速控制器的研究

本文对德国Lenze公司47系列直流调速控制器进行了系统的分析研究，其触发电路较具特色，值得学习与借鉴。     

磁性物体探测的线性求解方法

利用磁偶极子磁场的逆变公式，推导出通过物体磁场及其人梯度表示的用于解决磁性探测等问题中的线性方程组，解决了以往在求解该问题过程中缺乏清晰的理论模型及计算误差较大问题。在计算机上所作的模拟计算表明该方法是成功的。     

空磁控靶溅射刻蚀的模拟研究

建立了磁控溅射单粒子模型，结合靶表面磁场的分布，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ研究了溅射气体粒子的运动规律，得到靶表面刻蚀的图形，发现靶中间环的刻蚀最强，这与实验结果和磁场的水平分量分布一致。     

推挽式零电压开关多谐振高频变换器的直流稳态分析

将零电压开关多谐振技术应用于推挽变换器电路，提出了一种推挽式零电压开关多谐振高频变换器（ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ）电路方案，较全面、完整地对其稳态工作模式和直流特性进行了分析，发现了变换器正常运行的４种工作模式。用自编制的ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ的计算机仿真程序，仿真研究了ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ电路中各处电压、电流的稳态变化规律以及电路的直流电压增益与开关频率的变化特性。设计并实现了输入４８Ｖ、输出５Ｖ、功率５０Ｗ的离线式ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ实验电路，通过实验验证了理论分析的正确性。     

直流电动机锁相系统速度内环的设计

锁相系统是一个能够跟踪输入信号频率和相位的闭环自动控制系统，为了获得较好的动特性和较高的稳态精度，在直流电动机锁相系统中可采用数字模拟混合系统方案，即采用双环结构，外环是鉴频鉴相环，内环是速度环。实验证明，采用速度内环是高精度宽调速的可行方案。     

电特性对刷镀质量的影响

研究了直流和脉冲两种电特性对刷镀质量的影响，讨论了脉冲电刷镀速度快镀层质量优良的机理，为刷镀技术提供了新的可靠工艺．     

磁场中的有效势能和相互作用能

本文讨论磁场中的有效势能和相互作用能,分析有效势能和一般势能——相互作用能的区别。     

磁场对固定化乳酸脱氨酶催化活性的影响

采用流通池光纤荧光光度法，对固定化乳酸脱氢酶（ＬＤＨ）在静磁场作用下的催化活性进行了探讨．发现在０．０８４～０．２３０Ｔ磁场作用下ＬＤＨ的催化活性明显降低，其降低值随磁场强度增强而增大，且与磁场作用的时间和ｐＨ值有关，而在２５～４０℃范围内，温度则无显著影响。