一种基于DSP的电量测量仪设计

针对电机试验中的电参数测试,设计了一种基于DSP的电量测量仪。详细论述了整个系统的硬件构架与软件算法,该系统通过采用高精度A/D转换器、DSP芯片以及上位机来完成电压、电流、功率、功率因数及频率的测量与数据的输出显示。对于中小型电机,测量仪既可测三相交流电参数,又可同时测量单相交流与直流电参数;当被测对象为直流有刷电机时,还能测量其转速;测试量程根据输入电流、电压的大小自动进行切换。测试结果表明:该系统精度高,运行稳定可靠,能满足实际需求。     

基于电流转移法的直流断路器灭弧方案仿真

灭弧问题是直流断路器需要解决的难题之一。在对比分析了四种典型的直流断路器灭弧方案的基础上,得出了"电流转移法具有其他方法无法比拟的优点"结论,并结合案例对采用电流转移法的直流断路器系统进行等效理论分析,基于Matlab建立仿真模型。仿真结果表明,基于电流转移法的直流断路器能够产生电流人工过零点,且具有较好的灭弧效果。     

大柳煤矿副立井提升设备电气传动方案的确定

大型矿井提升设备电气传动方式主要有直流、交-交变频和交-直-交变频三种。本文结合设计实例,在满足提升工艺要求的前提下,通过综合技术经济比较,合理确定方案,降低了初期投资,减少了后期维护费用。     

石塘电站220V直流系统改造

220V直流系统担负着水电厂众多设备正常运行的电源供电任务，是水电厂的一个重要组成部份，本文介绍了石塘电站220V直流系统改造前、后情况，通过对220V直流系统的改造，提高了系统供电可靠性，保证水电厂设备可靠运行。     

室外电信基站高压ups可行性研究

在我国,UPS市场已经进入成熟阶段,计算机、银行、广播电视、航空、政府机要部门等供电系统中,都采用了UPS做整个供电系统的核心设备。 传统UPS包括一个或多个功率变换器,输出的是交流电压,对用户设备有谐波干扰;故障率太高,同时体积庞大,效率低,浪费了太多的资源。UPS的用户设备都广泛使用了高可靠、高效率的开关电源,直流电压可以直接进入用户设备,因此,功率变换器在UPS中已是多余。     

磁场下有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能

利用变分法讨论势垒厚度对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用以及垂直于界面方向磁场的影响,分别给出结合能随阱宽、垒厚、杂质位置和磁场强度的变化关系,并与无限深势阱量子阱和无限厚势垒量子阱两种情形的结果进行了比较.结果表明,在小阱宽下,有限高势垒时的结合能明显小于无限高势垒情形,有限厚势垒时的结合能大于无限厚势垒情形.随着阱宽增加,三种情形下结合能的差异逐渐减小.磁场的约束显著地影响着杂质态结合能,其值随着外磁场的增大而单调增加.在以后的工作中,应考虑本文对势垒的修正.     

嵊泗直流输电工程双极直流功率不平衡运行解决方案

本文,笔者结合嵊泗直流输电工程运行的实际情况,经过仔细地分析研究,进一步明确了造成双极直流功率不平衡运行的关键因素,即站间通信系统的不稳定以及直流场接地极CT（电流互感器）故障导致的双极电流平衡控制功能失效。实际运行表明,通过采用控制系统联合调频控制策略和双极电流平衡控制的新方法,对现场软件进行优化的方案是合理、切实可行的,大大降低了改造成本。     

基于DSP和IPM的三相无刷直流电机控制系统

为了提高电动机的控制性能,用高性能微处理器DSP(Digital Signal Processor)和IPM(Intelligent Power Module)对已有的模拟控制系统进行了改进。系统由DSP最小系统、智能功率驱动模块、隔离模块等组成,用DSP汇编语言编程。与现有的模拟控制电路相比,其结构简单。实验结果表明,系统调速范围可达到10~1000r/min,有较宽的调速范围。     

单边直线感应电机纵向边缘效应的研究

单边直线感应电机（SLIM）因结构简单牢固,直接产生前进的电磁推力,在交通中得到广泛应用。 由于其磁路断续,电机运行中存在横向和纵向边缘效应;次级的入口和出口因气隙磁链守恒原理会产生涡流, 并随速度上升而加大。边缘效应和涡流大小对直线电机气隙磁链产生重要影响,造成气隙有效磁通和牵引力系 数降低。探讨直线电机工作特点,得到了电机d－q轴等效电路,通过d轴互感和电阻变化来实时反应第二纵 向边缘效应和次级涡流的影响。结合旋转电机转子磁场矢量控制方法,建立了对应的SLIM控制方程。采用转子 磁链、速度和电流三个调节器,提出了uds,uqs,iqs实时在线解耦补偿控制方法,对SLIM的推力、d－q轴电 压、d－q轴磁链等进行调节和控制,对d轴互感大小进行限制。结果表明,该方法在电机速度突变时减小了力 矩脉动,定子电流过渡平滑,速度平稳,改善了SLIM的运行性能,为电机实际运行分析提供了理论依据。     

氧分压对IWO薄膜表面形貌及光电性能的影响

掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.利用直流磁控溅射法制备了IWO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能.在工作压力1 Pa、氧分压为2.4×10-1Pa的条件下,实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为6.3×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为34 cm2V-1s-1,载流子浓度达到2.9×1020cm-3,可见光平均透射率约为85%,近红外平均透射率大于80%.