全文获取类型
收费全文 | 2293篇 |
免费 | 47篇 |
国内免费 | 54篇 |
专业分类
系统科学 | 30篇 |
丛书文集 | 101篇 |
教育与普及 | 45篇 |
理论与方法论 | 15篇 |
现状及发展 | 11篇 |
研究方法 | 1篇 |
综合类 | 2191篇 |
出版年
2024年 | 12篇 |
2023年 | 39篇 |
2022年 | 41篇 |
2021年 | 54篇 |
2020年 | 43篇 |
2019年 | 29篇 |
2018年 | 14篇 |
2017年 | 31篇 |
2016年 | 35篇 |
2015年 | 43篇 |
2014年 | 101篇 |
2013年 | 150篇 |
2012年 | 145篇 |
2011年 | 154篇 |
2010年 | 126篇 |
2009年 | 147篇 |
2008年 | 127篇 |
2007年 | 125篇 |
2006年 | 104篇 |
2005年 | 75篇 |
2004年 | 75篇 |
2003年 | 72篇 |
2002年 | 73篇 |
2001年 | 69篇 |
2000年 | 67篇 |
1999年 | 66篇 |
1998年 | 54篇 |
1997年 | 57篇 |
1996年 | 40篇 |
1995年 | 52篇 |
1994年 | 34篇 |
1993年 | 37篇 |
1992年 | 14篇 |
1991年 | 21篇 |
1990年 | 23篇 |
1989年 | 20篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 5篇 |
1948年 | 1篇 |
排序方式: 共有2394条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
分析了现有检测直流系统接地故障方法存在的死区,建议用综合判据,即通过检测正负母线电压,检测正负极绝缘电阻,检测支路漏电流来监视及查找直流系统的故障。 相似文献
22.
采用电弧喷涂技术在Q235钢基体上制备铝涂层。用Q235钢、铝涂层和封孔铝涂层3种试样进行400℃和500℃涂层氧化和失效试验,并绘制了氧化动力学曲线。结果表明,在500℃以下,在Q235钢基体上电弧喷涂铝涂层和封孔铝涂层可以提高试样的抗氧化能力,但只是在短期内有效。在相同的温度下,封孔铝涂层试样氧化速度最低,铝涂层试样和Q235钢试样的氧化速度大约分别是它的2倍和3倍。氧化过程中,氧化气体渗透到涂层内部,Al2O3膜不断生成、破碎和剥落,并在涂层颗粒机械结合部位堆积,产生的张应力造成涂层的内聚强度降低,塑性和密封性能变差,防腐作用减弱,这是涂层氧化和失效的主要原因。 相似文献
23.
介绍了以89C52单片机为控制系统的数字可调式直流高压稳压电源的设计和制作.系统包括模拟和数字两部分电路组成,模拟部分主要包括波形发生电路、推挽开关电路、升压变压器、倍压整流电路等;数字部分主要包括键盘接口电路、A/D转换电路、D/A转换电路、显示电路和单片机89C52最小系统电路.模数电路相互配合,很好的解决了以往电路中要求的高精度、低零飘的问题,从而大大的简化了原来的控制电路,降低了成本. 相似文献
24.
高压受限电弧等离子体发生器实验研究 总被引:1,自引:2,他引:1
电热化学发射中,等离子体发生器的放电是电能转化为热能的重要阶段。该文在自由喷射等离子体发生器实验装置上分别对不同毛细管几何参数、不同贮能水平以及不同毛细管材料等3种情况进行了放电实验研究及分析,得出了负载效率、峰值电流、平均电阻等测量参数与贮能水平和毛细管几何参数之间的关系。 相似文献
25.
26.
对钢铁基体表面电弧喷涂铝及铝锌涂层进行了动态腐蚀实验 ,以失质量法计算了腐蚀速度 ,并探讨了腐蚀机理。采用SEM对铝及铝锌涂层腐蚀前后的外表形貌进行了观察 ,并对铝及铝锌涂层表面进行了能谱分析 ,采用电化学系统测试了涂层的自腐蚀电位。实验结果表明 ,在 3 %NaCl水溶液中铝涂层的耐蚀性优于铝锌涂层 ;其原因是铝涂层表面上氧化膜的自愈能力及自腐蚀电位高于铝锌涂层。研究还表明 ,铝及铝锌这些阳极涂层不仅能有效地保护它所覆盖的钢铁表面 ,还能保护暴露于腐蚀介质中的钢铁基体表面。在铝、铝锌涂层上刷涂有机涂料 ,有机涂料能渗透到金属涂层的孔隙中 ,将孔隙封闭。同时 ,有机涂层和金属涂层能构成复合涂层 ,其防腐效果更佳 相似文献
27.
介绍了镉镍电池直流配电屏的组成及功能,并对直流屏运行和操作中应注意的问题及镉镍蓄电池的维护等进行了阐述。 相似文献
28.
从神经元特性出发,研究一种适用于无刷直流电动机控制的模拟电路神经元控制器,获得连续的神经元控制器表达式和权值变化表达式,并进行原理框图设计和给出具体的权值学习电路,仿真实验表明,该控制器具有良好的控制品质,证明了该系统的有效性。 相似文献
29.
研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性,用低能量(550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨导,沟道电导,阈值电压,表面有效迁移率以及低频噪声等,实验结果表明,随着轰击时间的增加,跨导,沟道电导和表面有效迁移率光增大,然后减小,阈值电压先减小,随后变大;而低频噪声在轰击后明显减小,实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。 相似文献
30.
ITO透明半导体膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80%以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。 相似文献