利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

ITO透明半导体膜的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的高温低氧工艺,在玻璃衬底上成功地镀制了ITO透明半导体膜,其可见光透过率达80％以上,电阻率降到3×10~(-4)(?)cm以下。     

德国Lenze公司47系列直流调速控制器的研究

本文对德国Lenze公司47系列直流调速控制器进行了系统的分析研究，其触发电路较具特色，值得学习与借鉴。     

三相电压不对称与异步电动机负序阻抗

本借助三相对称分量原理，分析了三相异步电动机在不对称的三相电压作用下，三相电流的不对称度与三相电压不对称度之间的关系．由此结果证明了无论从节约电能上，还是提高三相异步电动机输出功率方面，提高三相电压的对称度都是非常有利的．     

推挽式零电压开关多谐振高频变换器的直流稳态分析

将零电压开关多谐振技术应用于推挽变换器电路，提出了一种推挽式零电压开关多谐振高频变换器（ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ）电路方案，较全面、完整地对其稳态工作模式和直流特性进行了分析，发现了变换器正常运行的４种工作模式。用自编制的ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ的计算机仿真程序，仿真研究了ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ电路中各处电压、电流的稳态变化规律以及电路的直流电压增益与开关频率的变化特性。设计并实现了输入４８Ｖ、输出５Ｖ、功率５０Ｗ的离线式ＰＰＺＶＳ－ＭＲＣ实验电路，通过实验验证了理论分析的正确性。     

直流电动机锁相系统速度内环的设计

锁相系统是一个能够跟踪输入信号频率和相位的闭环自动控制系统，为了获得较好的动特性和较高的稳态精度，在直流电动机锁相系统中可采用数字模拟混合系统方案，即采用双环结构，外环是鉴频鉴相环，内环是速度环。实验证明，采用速度内环是高精度宽调速的可行方案。     

电特性对刷镀质量的影响

研究了直流和脉冲两种电特性对刷镀质量的影响，讨论了脉冲电刷镀速度快镀层质量优良的机理，为刷镀技术提供了新的可靠工艺．     

ASVG 在系统不对称情况下的运行及控制

提出了一种控制ＡＳＶＧ（ａｄｖａｎｃｅｄｓｔａｔｉｃｖａｒｇｅｎｅｒａｔｏｒ）驱动脉冲的方法使ＡＳＶＧ装置发出正序电压的同时也产生负序电压，以抵消系统负序电压分量，抑制流过ＡＳＶＧ的负序电流。并用“开关函数”建模法给出了具体的控制算法。用该控制算法可使ＡＳＶＧ在系统出现１５％的负序电压时仍能正常地工作而不过流，仿真结果表明了理论分析和控制算法的正确性     

采用Boost的PFC电路输出电压纹波分析及输出滤波电容值的确定

本对采用Ｂｏｏｓｔ为主电路的ＰＦＣ电路进行分析，推导出输出电压纹波的数学表达式，进而找出了确定输出滤波电容的计算公式，公式对各种方式控制的Ｂｏｏｓｔ ＰＦＣ电路普通适用，计算机仿真证明结论的正确性。     

霍尔器件构成的速度检测器

介绍一种由霍尔器件和频率电压转换器构成的速度传感器。该传感器具有较高的灵敏度，结构简单，所需的驱动力矩小。采用了频率与电压的转换，所带来的误差小，并且既可用于控制模拟电压装置，亦可用正比于速度的脉冲数控制数控装置。