纳米软磁合金薄带的巨磁致阻抗效应

自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。     

激光辐照SnO2超微粒薄膜的AES,热电动势率及阻抗谱

研究ＹＡＧ脉冲激光辐照对ＳｎＯ２超微业薄膜的改性作用，由ＡＥＳ分析表明，在大气环境中激光束的轰击可使薄膜表面碳吸量明显减少，并有一定的氧化作用。在３００－６００Ｋ范围内测量激光辐照前后样品的热电动热率（ＴＥＰ），发现激光辐照后ＴＥＰ值明显减小，薄膜发生晶化。激光辐照对超微粒薄膜的电学性质、晶界效应也有影响，表明激光束作用使薄膜粒间效应减弱     

漏电抗X_(L2)对副线圈中I_2相位的影响

本文对带铁心变压器的次级绕组中感应电流的相位因铁心的开与闭而发生变化的原因.作了理论上的说明和实验上的验证.     

Y/联结平衡变压器的绕组布置

研究了Ｙ／联结平衡变压器绕组设计的基本问题．分析了绕组漏阻抗对平衡条件的影响；确定了各漏阻抗之间的关系．在此基础上，提出了两种绕组布置方案，应用物理模型证了方案的正确性．     

微机线路保护四边形阻抗元件动态特性分析

分析了微机型输电线路保护中方向性四边形阻抗元件在保护装置正反向出口附近发生短路时存在的问题，提出了一种解决问题的有效方法，并给出了相应的保护算法。     

三相电压不对称与异步电动机负序阻抗

本借助三相对称分量原理，分析了三相异步电动机在不对称的三相电压作用下，三相电流的不对称度与三相电压不对称度之间的关系．由此结果证明了无论从节约电能上，还是提高三相异步电动机输出功率方面，提高三相电压的对称度都是非常有利的．     

小鼠表皮发育期间蓖麻凝集素受体的定位

采用酶标凝集素技术，在光镜水平对小鼠表皮发育期间蓖麻凝集素的受体进行定位，结果表明；在胚胎期间周皮细胞和角质层以及基膜中均有Ｇａｌ残基分布；在表皮中间层，毛根原基处无Ｇａｌ，在眼睑和眼睑缘处也无Ｇａｌ分布，Ｇａｌ可能参与表皮的角质化和基膜组建，与周皮在胚胎期发挥正常功能有关。     

皮肤中儿茶酚胺类体液物质及毛囊与针刺效应的关系

通过对针刺穴位两端经络线上施加各种因素，观察了运动对针刺效尖的影响，进一步对其影响国素进行化分析和形态定位，结果表明，拔除经经毛囊和切断经线皮肤都可以明显地阻断针刺效应，而向皮肤经线切口滴加液体则能明显的改变再针刺效应，用高压液相色谱法检测到针刺可以使经线皮肤循经释放去甲肾上腺素，肾上腺素等儿茶酚胺类物质，其含量明显高于没有针刺的经线，用放射自显影技术观察到儿茶酚胺类物质的分布有明显的纵形线性特征     

圆形低频电流场逆问题的仿真和实测计算

采用改进的迭代等位线算法对圆形低频电流场逆问题进行了仿真计算和实测数据的图像重建。分析了分辨率和重建精度的原因，提出了相应的改进措施。     

瞬时电量采样值一点算法及在微机保护中的应用

在Ｐａｒｋ方程的基础上，提出了发电机端瞬时功率和视在阻抗的采样值一点算法，并分析了其在微机保护中的应用．该算法有效地解决了机端阻抗变化轨迹、变化率以及功率变化情况的实时测量问题，其结果可供多种保护共享