Eu2+激活的黄橙光荧光粉的制备及发光性能调控

采用高温固相法制备了一系列黄橙光荧光粉Sr₉Mg_1.5(PO₄)_7-x(BO₃)_x:0.05Eu²⁺(SMPB_xO:Eu²⁺,x=0～0.6)和Sr_9-2yCa_yBa_yMg_1.5(PO₄)₇:0.05Eu²⁺(SC_yB_yMPO:Eu²⁺,y=0～1.0),并对其发光性能的调控进行了研究。所得荧光粉可以被蓝光和近紫外光有效激发,并发射黄橙光(450～800 nm)。随着(BO₃)^3-与Ca²⁺-Ba²⁺共掺浓度的改变,可以调节Eu²⁺发光中心在Sr31、Sr1和Sr32...     

白光LED用量子点玻璃的制备方法及应用研究进展

白光LED用量子点玻璃不但具有量子点高荧光效率、发光波长可调和较窄的发射波长等新颖的光学特性,而且量子点的热稳定性差和水氧抵抗性差的问题也很好的得到了解决,可以有效的避免封装材料黄化老化、发光不均匀和出现光斑等传统封装白光LED出现的问题。综述了白光LED用量子点玻璃的制备方法及其在LED的应用,并对白光LED用量子点玻璃的荧光效率和无铅、无镉量子点玻璃的研制提出了进一步展望。     

白光LED技术

白光LED光源由于具有环保、节能以及寿命长等特点,被广泛应用于照明器件相关的各个领域。通过对国内专利中白光LED的技术手段和技术效果的介绍,分析国内白光LED的专利技术相关术语和专利分布情况,从而帮助业内相关企业了解白光LED技术的现状。     

利用NH4CI提高Li2SrSiO4：Dy3＋的发光性能

本文研究了NH4Cl助熔剂对Li2SrSiO4：1％Dy3＋晶体结构、形貌、发光强度和色坐标的影响,并对其作用机理进行了探讨。研究表明,加入2％NH。C1可以改变Li2SrSiO4：1％Dy3＋的反应过程,形成适量液相,抑制杂相的产生并形成表面光滑的球形颗粒。加入2名NH4Cl,Li2SrSiO4：1％Dy3＋发光强度提高了110名,色坐标（0．262,0．293）位于白光区域。     

共沉淀法制备Eu3+掺杂Gd2(MoO4)3荧光粉及其发光性质研究术

采用共沉淀法制备了Gd(1-x)2(MoO4)3:Eu3+(x=0.05,0.1,0.2,0.4,0.6,0.8)荧光粉,通过对样品的X射线衍射谱(XRD)分析,对样品的结构进行了表征.对各样品的发射光谱和激发光谱进行了测试和分析.结果表明,Gd2(MoO4)3:Eu3+荧光粉有潜力成为高效的近紫外(蓝光)激发白光LED用红色荧光粉材料.     

高亮度白光LED关键制造技术研究

针对现有白光LED荧光粉表面涂抹技术难度高、荧光粉易沉淀于晶片四周使荧光粉利用率低、造成发光光斑不均等、高亮度白光LED发光刺眼眩目等诸多问题,本项目采用荧光粉悬浮、柔光处理等工艺,通过改变荧光粉表面涂抹方式、在灌封胶中添加自制光线扩散剂解决了上述问题,提高了荧光粉利用率,降低了生产成本,实现了高亮度白光LED光斑均匀、抗衰减能力强、发光均匀柔和,同时增加了产品使用寿命。     

双稀土共掺杂超细BaZrO3荧光粉的发光性质

采用柠檬酸凝胶-燃烧法制备了Eu3+和Gd3+双稀土共掺杂超细BaZrO3荧光粉,利用X射线衍射、差热-热重、红外光谱、扫描电镜等方法对荧光粉的结构、组成及形貌进行了表征.结果表明,经800℃退火后得到的样品呈球形分布,为粒径100~300nm的超细立方相结构BaZrO3:Eu3+、Gd3+粉末.通过样品的激发光谱和发射光谱详细研究了Gd3+对BaZrO3:Eu3+体系中Eu3+发光性质的影响,结果表明在BaZrO3:Eu3+、Gd3+体系中Eu3+的发光强度远远强于Eu3+的单一掺杂,说明Gd3+对Eu3+发光的敏化效果十分明显.BaZrO3:Eu3+、Gd3+的最强激发峰位于465nm和395nm处,与广泛使用的蓝光LED芯片的输出波长相匹配.在近紫外和蓝光激发下,样品发射以Eu3+5 D0→7F1磁偶极跃迁为主的橙光和5 D0→7F2电偶极跃迁为主的红光.因此该法制备的超细BaZrO3:Eu3+、Gd3+粉末有望成为一种潜在的适用于蓝光LED芯片的光转换橙红光材料.     

白光LED用SrWO_4∶Sm~(3+)红光荧光粉的研究

采用化学共沉淀法制备了Sm3+掺杂浓度不同的SrWO4∶Sm3+系列发光粉体,所制备的粉体均具有Sm3+离子特征的强室温红色荧光发射。通过调节掺杂浓度来调控近紫外和蓝光吸收强度,进而调控用404nm的近紫外光和480nm的蓝光激发样品所得红光发光强度。研究结果表明所制备的SrWO4∶Sm3+红色荧光粉可以被紫外和蓝光LED有效激发,且可作为红光发光二极管用荧光粉。     

Preparation and luminescence characteristics of Sr3SiO5：Eu^2＋ phosphor for white LED

The Sr3SiO5：Eu^2＋ phosphor was synthesized by high temperature solid-state reaction. The emission spectrum of Sr3SiO5：Eu^2＋ shows two bands centered at 487 and 575 nm, which well agree with the theoretic values of emission spectrum. The excitation spectrum for 575 nm emission center has several excitation bands at 365, 418, 458 and 473 nm. And the results show that the emission spectrum of Sr3SiO5：Eu^2＋ is influenced by the Eu^2＋ concentration. The relative emission spectra of the white-emitting InGaN-based YAG：Ce^3＋ LED and Sr3SiO5：Eu^2＋ LED were investigated. The results show that the color development of InGaN-based Sr3SiO5：Eu^2＋ is better than that of InGaN-based YAG：Ce^3＋, and the CIE chromaticity of InGaN-based Sr3SiO5：Eu^2＋ is （x=0.348, y=0.326）.     

WLED用铕激活正硅酸锶荧光体的光谱性质与晶相的关系

采用喷雾热解两步法、高温固相法分别制备了纯相的α’-Sr2SiO4:Eu2 和β-Sr2SiO4:Eu2 荧光体.利用高斯函数拟合,首次确定了每个物相荧光发射谱的具体峰位,即α’-Sr2SiO4:Eu2 的发射峰为489.1 nm/555.1 nm,β-Sr2SiO4:Eu2 的发射峰位为468.8 nm/539.7 nm/593.2 nm.发现β-Sr2SiO4:Eu2 中存在两个反常的发射峰,一个峰位随激发波长的变化而在局部出现振荡,另一个对于β-Sr2SiO4:Eu2 晶格而言是一个额外的发射峰.对于前者我们提出了一个简化的能级图来说明,后者我们确定其为磷光.解析物相与荧光光谱的对应关系,对于荧光体的改进和发光学理论研究都具有重要意义.