一种新型白光荧光粉Sr1.5Ca0.5SiO4:Eu3+,Tb3+,Eu2+的合成与光致发光

采用高温固相法合成了名义组成为Sr1.5Ca0.5 SiO4:0.01 Eu3+,nTb3+(n =3.0×10-4,7.0×10-4,1.5×10-3 mol)的荧光粉.X射线衍射测试表明荧光粉样品为单一物相.在紫外光(394 nm)激发下,样品同时产生蓝光、绿光和红橙光发射,分别对应于Eu2+离子的5d→4f,Tb...     

白光LED 用单基质白色发光荧光粉的研究进展

白光LED 作为一种新型的固体光源, 在照明和显示领域有着巨大的应用前景. 简 要评述了近年来光转换型白光LED 用单基质白色发光荧光粉的研究进展. 重点阐述了以 Eu²⁺, Eu²⁺/Mn²⁺, Eu²⁺/Ce³⁺或Ce³⁺/Mn²⁺等作为激活剂的硅酸盐、氯硅酸盐、硼酸盐和氯铝 酸盐等单基质白色发光荧光粉的研究结果与最新进展. 同时, 对该类材料及其应用的研究 现状和发展方向进行了分析.     

基于高显色性白光LED的博物馆照明系统设计

在详细分析博物馆照明要求的基础上,提出了一种基于白光LED光源的博物馆照明系统解决方案,并进一步实现了低色温、高显色性1 W白光LED的光谱学设计.试验证明,该照明系统解决方案可以满足博物馆内对光比较敏感的参展物品的照明需要.     

红色荧光粉Sr_9Zn_(1.5)(PO_4)_7:Eu~(3+)的制备及发光性质研究（英文）

采用高温固相法合成了一系列近紫外激发的白光LED用红色荧光材料Sr_9Zn_(1.5)(PO_4)_7:xEu~(3+).通过X射线粉末衍射和Rietveld结构精修分别确定了材料的相纯度和晶体结构.通过激发光谱和发射光谱研究了材料的发光性质.该荧光粉可以被395nm近紫外光有效激发,这与商品近紫外芯片的发射光谱吻合.在近紫外光激发下,样品可以发射出明亮的红光,其最大发射峰在617nm,归属于Eu~(3+)的5 D0-7F2跃迁.SZPO:0.70Eu~(3+)的色坐标为(0.616,0.382).此外,还对材料的荧光衰减和热稳定性进行了系统研究。实验结果表明,Sr9Zn1.5(PO4)7:Eu~(3+)可以作为潜在的白光LED用红光荧光粉.     

芴基共聚物共混与InGaN基发光二极管杂合的白光发射

利用红光共聚物(PFO-DBT15)和绿光共聚物共混膜作InGaN基蓝光芯片的荧光下转换材料,PFO-DBT15和PFO-BT35是9,9-二辛基芴(DOF)分别与4,7-二噻吩-2,1,3-苯并噻二唑(DBT)和2,1,3-苯并噻唑(BT)无规共聚的芴基共聚物,通过调节PFO-DBT15与PFO-BT35共混比例实现了有效的共轭聚合物/InGaN发光二极管杂合的白光发射. 这种杂合器件在20mA电流驱动下相关色坐标、色温和色散指数分别是(0.34,0.32), 6798 K和85.     

位相调制光栅假彩色编码的部分相干光理论分析

本文根据部分相干光理论分析了互强度在白光信息处理系统中的传播，计算了位 相光栅编码图象在解调系统输出平面上的互强度和强度分布，解释了图象密度假彩色 的原理．     

单芯片GaN基宽谱白光LED研究

在过去的10年当中,基于固态照明的科学技术取得了长足且快速的发展.采用半导体发光二极管(LED)的照明光源,已经渗透到许多特定的照明领域.在这当中,特别是全固体白光发光二极管的研发和应用正在世界各地风起云涌.     

大功率发光二极管外延材料生长技术

GaN基LED在照明市场的前景备受全球瞩目,它将成为21世纪的新一代光源.白光LED与白炽灯相比可节省80%～90%的电能,且寿命可超过10万小时.目前主要问题是芯片成本高,但从电子产品性价比发展规律看,半导体灯进入普通家庭已为期不远.     

白光LED驱动器的研究与设计

以提高白光LED驱动器的效率为目标,以Cadence软件为平台,在深入研究电子元器件功耗与尺寸大小关系的基础上,采用0.18 μm的CMOS工艺,设计了驱动4只串联白光LED的升压型驱动器.实验表明,该驱动器具有转换效率高和抗干扰能力强等特点,在环境恶劣的情况下均可满足性能指标要求,具有广泛的实用性.     

白光瞄准镜多参数数字化综合检测

在目标模拟系统、影像判读系统代替原始的发射、接收设备和平面反射镜来达到视场扩展的基础上,提出了一种白光瞄准镜多参数数字化综合检测方法。阐述了此系统检测原理,并对其中的两个瞄准镜参数进行了实验验证。实验结果表明,该检测方法在满足精度要求的基础上达到了自动化综合检测的目的。