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11.
研究了钼(Ⅴ)硫氰酸盐配阴离子与结晶紫、乙基紫、孔雀石绿、亮绿及碘绿等碱性三苯甲烷染料的离子缔合配合物的二级散射和反二级散射光谱.考察了影响因素、适宜条件和分析化学特征.提出了用二级散射光谱法测定钼的新的高灵敏分析方法,可用于钢铁中痕量钼的测定.  相似文献   
12.
分子印迹技术及其在痕量分析的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
分子印迹技术是近年来集高分子合成、分子设计、分子识别、仿生生物工程等众多学科优势发展起来的一门边缘学科分支,分子印迹聚合物由于具有与天然抗体同样的识别性能力和与高分子同样的抗腐蚀性能的双重优点,因而广泛应用于生物工程、临床医学、环境监测、食品工业等众多领域.介绍了分子印迹技术的基本原理,对分子印迹聚合物合成研究的最新进展进行了综述,主要介绍了它在痕量分析中的应用.  相似文献   
13.
介绍利用双硫腙(D2)作为螯合萃取剂,对水体中痕量钴进行萃取富集,采用基体改进技术由自动进样器注入石墨炉测定水中痕量钴的方法.本法操作简便、价廉、灵敏度和回收率高,加标回收率为97.4%~104.4%,RSD<3.47%.  相似文献   
14.
应用恒速压汞实验数据计算相对渗透率曲线   总被引:12,自引:1,他引:12  
截取一段实际储层岩样,利用恒速压汞实验技术测定其孔喉频数分布,并拟合成连续分布函数,该函数符合伽马函数分布。对剩余岩样进行了油、水相对渗透率的测定。以所拟合的孔喉频数分布为主要输入参数,利用孔隙网络模型计算了油、水相对渗透率。计算结果与利用JBN法处理的实测结果对比表明,恒速压汞实验是确定岩石微观孔喉分布的一种非常有效的实验手段,可直接为孔隙网络模型提供主要的输入参数,能够得到反映微观孔隙结构特征的较合理的相对渗透率曲线,这对于用JBN法不满足或者处理结果不理想的实验具有重要的意义。  相似文献   
15.
硅对汞毒害玉米幼苗生长的缓解作用初探   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究表明,在幼苗生长阶段,较高浓度的汞能使玉米苗叶绿素含量、光合强度、根系活力、硝酸还原酶活力和水分利用率降低,而叶片蒸腾强度升高.培养液中加硅能使上述生理指标的变化明显减轻,说明硅在一定程度上起到缓解汞对玉米的毒害作用.  相似文献   
16.
气相色谱内标法测地表水样中痕量苯的含量   总被引:3,自引:0,他引:3  
为了解化学实验室排放的污水对环境污染的程度,用毛细管柱气相色谱内标法对浙江师范大学地表水中苯的含量进行了定性、定量分析.最低检测浓度约为ρ(苯)=0.02mg/L,测得化学楼附近水样中ρ(苯)为6.04mg/L,其他3处苯的含量均低于0.02mg/L,说明化学楼附近地表水受到污染,但不算严重。  相似文献   
17.
用SG921—1型双光束测汞仪测定了头发中痕量汞.结果表明两组发样的回收率分别为101.7%和99.1%,该方法具有灵敏度高、精密准确、操作简便易行等优点.  相似文献   
18.
用细菌总数计数和琼脂扩散抑菌圈测量研究了Hg2+与有效微生物的相互作用.结果显示(1)贴片Hg2+的浓度与正常增菌培养后的有效微生物的抑菌圈有稳定的剂量反应关系,说明Hg2+对有效微生物有明确的毒性作用;(2)贴片Hg2+的浓度与经1.25 mg/L和2.5 mg/L的Hg2+驯化后的有效微生物的抑菌圈的剂量反应关系下移(右移),说明低浓度Hg2+可以驯化有效微生物;(3)在5 mg/L Hg2+溶液中培养的有效微生物的细菌总数基本不增加,但在2.5 mg/L 和1.25 mg/L的Hg2+溶液中培养的有效微生物分别滞后8 d和2 d达到正常增菌培养的有效微生物的细菌总数,说明有效微生物能较长时间耐受5 mg/L浓度的Hg2+,能迅速适应<1.25 mg/L的Hg2+.  相似文献   
19.
本文研究汞对小麦种子萌发过程中幼苗膜脂过氧化水平,细胞膜透性,保护酶(CAT、SOD)、POD)活性,可溶性糖和可溶性蛋白质含量的影响。结果表明,随着汞浓度的升高,细胞膜脂质的氧化水平升高,细胞膜透性增大,CAT活性降低、POD、SOD活性 升高,组织可溶性糖和可溶性蛋白质含量升高。  相似文献   
20.
陈晓嘉  许祝安  焦正宽  张其瑞 《科学通报》1997,42(11):1155-1159
和的超导转变温度分别为97,128和135K,是迄今为止具有一层、二层和三层CuO_2平面铜氧化物超导体中的最高值。令人感兴趣的是,Hg系超导体对压力非常敏感,当压力P增加到31 GPa时,理想掺杂的HgBa_2Ca_2Cu_3O_8 δ的T_c可达到创纪录高的164 K。研究表明体系在整个掺杂范围表现出超导性质,T_c与CuO_2平面内的空穴浓度(n_H)之间存在着倒抛物线的依赖关系。而且,初始压力系数随氧含量(δ)而变化,并且在过掺杂区也保持正值。这些结果暗示了在常压下通过元素替代或电荷转移以施加“内压力”获得同样高T_c的可能性。  相似文献   
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