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951.
生物接触氧化法处理油田含聚污水室内模拟实验   总被引:3,自引:1,他引:2  
在对胜利油田含聚污水水质分析和可生化性分析的基础上,在对含聚污水进行可生化性调整和生物膜的培养与训化后,运用生物接触氧化法进行了含聚污水处理现场模拟试验.监测了污水接种PM-1菌后聚丙烯酰胺的含量变化以及生化处理后污水中的油含量、悬浮物含量、CODCr、BOD5、平均腐蚀率和微生物种群随时间的变化.结果表明:经生化处理后的含聚污水基本达到回注水A级标准.由于污水中聚合物还不能被彻底降解,矿化度仍比较高,还要有相应的后处理.  相似文献   
952.
正交异性双材料反平面界面裂纹分析   总被引:3,自引:3,他引:0  
研究了正交异性双材料反平面界面裂纹问题。采用复合材料断裂复变方法,构造了特殊应力函数,通过求解一类偏微分方程组边界问题,推导出界面裂纹尖端附近的应力场、位移场及应力强度因子的表达式,确定了裂纹尖端应力场的奇异性,结果现实裂尖附近应力具有r^-1/2的奇异性,但没有振荡性。  相似文献   
953.
针对喷墨印花的后处理问题,研究了快速固色烘燥工艺.介绍了使用2只非接触式水分传感器作为传感手段,利用水分残余率作为控制参数,控制织物烘燥残余水分的控制原理.解决了用出口处织物舍湿率数值反馈控制车速的控制系统与PID的动态特性在多品种小批量生产的情况下无法得到良好配合的问题,易于控制,可获得较好的控制效果.同时介绍了一种结构紧凑,温度容易控制,固色效果好的工艺装置.  相似文献   
954.
基于级域搜索思想模具零件尺寸自动标注方法   总被引:3,自引:1,他引:2  
提出了基于级域接触搜索思想的模具零件工程图坐标尺寸自动标注方法,通过定义大小可调整的虚拟域将整个视图分成内部和外部两个不同的标注区域,该方法在AutoCAD软件中利用VisualLISP得到实现.模具零件工程图的标注实例测试结果表明,该方法在降低尺寸重叠干涉的同时,实现了提高工程图易读性的目的.  相似文献   
955.
The adherence strength between the metal and the inorganic coating can be greatly increased by mill addition of Li2Ni8O10. The interface structure between metal and the inorganic coating with excellent adherence has been studied by investigating the chemical composition and the microstructure as well as elements valence bond on the interface with the help of scanning electron microscope (SEM),electron microprobe,and Auger electron spectroscope (AES). The results show that there is a non-stoichiometrical tra...  相似文献   
956.
建立了摩擦接触条件的增广Lagrange线性互补表述形式,继而构造出求解摩擦接触问题的一种增广Lagrange线性互补算法.与求解摩擦接触问题参变量二次规划法相比,本文模型在理论上是对摩擦接触条件的一种精确正则化模型,虽然其中也包含了惩罚参数,但在理论上不需要它趋于无穷大就能得到精确解;所提算法编程简单,便于装入现有有限元分析模快中.应用实例表明了本文方法的正确性和有效性.  相似文献   
957.
采用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制作的微流芯片,研究了微流沟道中表面活性剂的效用与常规条件下的差异.结果表明,表面活性剂的临界胶束浓度(CMC)在较大的液体比表面积(表面积与体积)下,会有更大的值,说明表面活性剂的效用在不同的比表面积液体中会有不同的表现.分析其原因是表面活性剂主要作用于液体表面,在相同体积下,液体表面积增大会使得单位表面积上的活性剂减少,从而有较弱的降低界面张力的作用.  相似文献   
958.
采用高温氧化(800℃)和激光辐照低温氧化(300℃)的方法以及用激光直接辐照方法,在硅锗合金薄膜上生成锗纳晶。这两种方法所生成的锗纳晶所对应的光致发光(PL)在可见光范围。其中在606nm处有很尖锐的发光峰。经比较发现:低温氧化的样品所对应的PL光谱比高温氧化的PL光谱有明显的蓝移;在606nm处的PL光谱峰位没有变化;高温氧化的样品在606nm处PL光谱的强度明显增强。提出量子受限和锗纳晶与氧化硅的界面态综合发光模型来解释其PL光谱的产生及变化。  相似文献   
959.
本文对污水处理站的建设规模进行了详细的计算论证,介绍了其处理工艺及设施,对其运行费用进行了分析,自2006年8月投入运行以来性能良好。  相似文献   
960.
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系。在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型。由于在假设界面态密度分布均匀条件下,对界面态做了简化处理,因而计算结果与实验结果有所差异。  相似文献   
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