Si／GaP（111）界面生长及其形成过程

研究用电子束蒸发方法把Ｓｉ淀积在ＧａＰ表面的界面生长过程。用ＸＰＳ在线测量Ｓｉ／ＧａＰ（１１１）界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况；借助Ｇａ３ｐ峰强随Ｓｉ覆盖厚度的变化确定Ｓｉ的生长模式。还用ＬＥＥＤ监测Ｓｉ生长时的表面结构状态。     

一维形貌检测结果的倾斜校正

利用语言对形貌检测结果进行校正,并对校正后的结果进行适合屏幕的缩放,与同类系统相比,取得较好效果的同时节省了支出.     

仿生纳米材料对沥青与集料界面黏附性的影响研究

<正>随着我国交通量的不断增长,许多高速公路出现了早期破坏现象,尤其是在水的作用下沥青与集料之间的黏结力较弱导致的界面破坏,加剧了车辙、疲劳裂缝、松散和坑槽等路面病害的出现。因此,从不同的角度和材料方面认识并提高沥青与集料之间的黏结力具有重要意义。一、研究的可行性分析仿生学是指模仿生物建造技术装置的科学,是在20世纪中期才出现的一门边缘科学。仿生学主要研究生物体的结构、功能和     

湖泊疏浚对沉积物-水界面溶解氧的环境效应

水体溶解氧含量是水环境质量的重要参数.本研究将室内模拟实验和疏浚工程相结合,探讨了疏浚对沉积物-水界面耗氧能力、微剖面溶解氧分布的环境效应.研究结果显示,疏浚具有降低溶解氧消耗能力的潜在长期效应,但是由于还原性物质的暴露,疏浚后新生表层沉积物短期耗氧能力很强;疏浚没有改变到氧气在沉积物-水界面中的传质深度.结果暗示疏浚可能显著提高重度富营养化湖泊夏季溶解氧含量.     

不同原子比对固相反应制备方钴矿电学性质的影响

方钴矿(CoSb₃)是较为优秀的中温区热电材料之一,具有较好的应用前景。本研究采用高温固相反应法,在923 K、保温时间约30min的条件下,制备了钴锑不同原子比的方钴矿,考查了室温附近钴元素减小量对方钴矿的微观结构和电学性质变化影响。研究结果表明,当钴元素的减小量x≤0.5时,仍然可以合成单相的方钴矿,而当钴元素的减小量继续增大时,方钴矿的合成效果会急剧变差;样品Co_4-xSb₁₂具有许多微气孔,随着钴元素的减小,样品的结晶度明显变差,微气孔的数量和尺寸也明显增多;样品Co_3.9Sb₁₂获得的最大Seebeck系数的最大绝对值为375μV/K,样品Co_3.7Sb₁₂最小电阻率为74 mΩ·cm,样品Co_3.5Sb₁₂获得的最大功率因子为77.7μW/(m·K²)。     

超声反射法单面检测钢-混凝土粘结界面质量的研究

根据超声检测的原理,提出了采用超声多次反射法单面检测钢-混凝土粘结界面质量,分析了该方法的可行性,综合考虑各试验参数的影响.试验表明采用底波衰减系数和底波个数作为判断钢-混凝土粘结界面质量的依据是可行的.     

节理面形貌参数相关性分析及粗糙度量化分级研究

以岩石自然节理面为研究对象,对节理面形貌进行了测量,建立了节理面三维形貌图,在此基础上计算得到了5个形貌参数,以中心线平均高度均方根为基准,对参数之间的相关性进行了研究.在形貌参数测量的基础上,选取3个形貌参数,采用模糊数学方法,实现节理面粗糙度的量化,对粗糙度进行了分级,并对形貌参数与粗糙程度指标之间的依存关系进行了研究.研究表明,中心线平均高度与均方根呈线性正比例关系,峰态系数、偏度系数及表面微凸体倾角均方根值与中心线平均高度均方根值的比值与中心线平均高度的均方根值为幂函数关系.粗糙度量化分级研究结果表明,粗糙度量化分级指标与静摩擦因数及静摩擦角有明显正比例线性关系,静摩擦因数、静摩擦角及量化分级指标与中心线平均高度均方根值的比值与中心线平均高度均方根值为幂函数关系.通过各参数相互之间的定量函数关系,可得到相关性系数,进而实现形貌参数对节理面粗糙程度及摩擦力的估算.     

采煤机记忆截割技术研究

为实现自动化采煤,需要实现煤岩分界面的自动确定。本文介绍了采煤机记忆截割的工作原理,并根据采煤机截割系统的特点,选择了迭代学习控制来实现记忆截割。此外,还建立了截割系统的动力学方程,以采煤机摇臂摆角作为控制量,并通过MATLAB仿真进行验证。仿真结果表明,基于迭代学习控制的采煤机记忆截割能够实现对煤岩分界面的轨迹跟踪。     

滑移界面位置对叶轮机械内部旋转流场的影响

为研究滑移界面位置对叶轮机械内部流体旋转流场的影响,选择了有定子和无定子二种典型的叶轮机械模型,使滑移界面位于转子和静止部件之间的不同位置,分别对其进行数值模拟,得到了叶轮机械内部旋转流场分布,并与实验结果和其他文献结果进行对比分析.结果表明:滑移界面越靠近转子,转子转动对四周区域流体的影响越小;滑移界面越靠近静止部件,转子转动对四周区域流体的影响越大;滑移界面位置应取在转子和静止部件之间靠近转子的1/8～1/4处.     

CrN/SiNx纳米多层膜的热稳定性研究

利用反应磁控溅射方法制备了一系列不同调制比的多晶CrN/SiNx纳米多层膜.对多层膜在900℃条件下进行真空退火4个小时.结果发现,当调制周期中SiNx的层厚较小时,退火后发生了明显的界面融混;而当调制周期中SiNx层厚较大时,退火后不但没有发生界面融混,反而使界面变得更加清晰,这一变化和界面处CrSiN相的析出有关,相的析出有利于界面的平滑和多层膜热稳定性的提高.