Au—Si界面的室温反应

本文利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有的结果都表明,与Au—Si(111)和Au—Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度～5ML,从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特性。根据我们的实验结果,还讨论了Au—Si界面形成的可能模型。     

各类分子轨道图

本文给出了常见的简单双原子分子严格意义上的各类分子轨道图，并从周期律出发，讨论了分子轨道图与物质结性质间的联系。     

缝端奇异边界单元和界面裂缝的应力强度因子计算

虽然不同材料的界面裂缝缝端应力情况很复杂，但是在拉剪荷载作用下，仍然存在主 导缝端奇异特性的特征参数──应力强度因子，且其主导奇异项仍为１／２，因此可以采用１／４ 奇异边界单元模拟缝端的位移场和应力场。作者沿界面引用边界元，在界面裂缝周围引入１／４ 奇异边界元，给出了计算异弹模界面缝复应力强度因子的计算格式，定义了界面裂缝的等效能 量释放率，探讨了界面裂缝的断裂差别指标，并应用于混凝土坝与岩石地基的界面裂缝扩展分 析中，得到一些有关坝工安全的重要提示。     

考虑界面层效应的纤维增强陶瓷材料的力学模型

在弹性圆筒理论和剪滞模型基础上提出了考虑界面相与界面层效应的力学简化模型。据此对纤维增强陶瓷复合材料完成了Ｉ型加载条件下的应力分析，它有以下特点：①引进界面层，各项分析所得结果均含有界面层材料性能及几何参量等信息，因而能更好地用于材料设计与界面调控工艺；②不仅给出界面剪应力，还可给出界面正应力（或剥离力），因而更适用于分析界面分离，界面脱粘，基体开裂临界应力和纤维桥联增韧效应     

百里香酚兰的液液界面离子转移过程

用循环伏安法研究了百里香酚兰在水 /硝基苯界面的离子转移行为。根据百里香酚兰在溶液中的离解平衡和电化学性质 ,讨论了界面离子转移机理 ,并计算了转移离子的标准转移电位 ΔWOφ0 和标准吉布斯转移能 ΔWOG0 。实验所测半波电位 ΔWOφ1 /2 - p H曲线与理论公式相符     

铁磁超晶格的界面磁性

本文用平均场重整化群方法，研究两处材料交替形成铁磁超晶格的界面磁性，讨论了界面磁性与界面体层耦合强度的依赖关系。     

FOXBASE和FOXPRO与汇编语言的参数传递

研究在ＦＯＸＢＡＳＥ或ＦＯＸＰＲＯ环境下，把参数传递到汇编语言，并以制造精美的立体界面为例，说明参数传递的基本原理．ＣＰＵ寄存器在这个传递过程中的作用，及扩展程序的编写方法．     

真空紫外光直接光化学气相沉积SiO2界面特性的研究

通过ＭＯＳ结构Ｃ－Ｖ特性曲线和Ｃ－Ｖ特性滞后曲线，对不同淀积条件下的ＳｉＯ２－Ｓｉ界面特性进行了研究，并与热氧化法和ＰＥＣＶＤ法生长的ＳｉＯ２膜界面进行了比较，结果表明，在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧生长膜的界面电荷密度相近，比ＰＥＣＶＤ膜的界面电荷密度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心，根据俄歇电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释。