一种基于ActiveX技术的温度采集系统的实现

介绍了一种基于ActiveX技术的温度采集系统.此系统由上位微机、RS-232/485转换器、温度采集模块以及热电偶组成.上位机使用VB编程,并将程序封装成ActiveX控件的形式,可以很容易地移植到其他应用程序中;下位机使用研祥公司生产的电阻式温度检测器(RTD)亚当模块ARK-14013,能很方便地与上位机连接.现场实验结果表明此系统能完成实时温度数据采集的功能,并具有较强的可操作性和稳定性.     

LDCQ的距离更新策略

提出了在LDCQ中保证满足误差限制的距离更新策略．移动对象和查询边界的距离远近不同，它们相交的可能性也不同，因而对查询结果的影响也不一样．依据它们之间距离的不同，给予移动对象不同的偏差限：使得越靠近查询边界，移动对象的偏差限越小；反之亦然．其好处是减少了大量的不必要的更新，减轻了系统负荷．     

非线性电路故障诊断模型的建立及神经网络求解的方法研究

分析并推导了含有非线性流控型电阻元件和非线性压控型电阻元件组成的非线性电阻网络的故障诊断方程，这是以支路故障标志量为未知的一组线性代数方程。在推导非线性元件的“故障标志量”时，消除由工作点变化引起的电参量的变化，保留由伏-安特性变化引起的电参量变化，它标志非线性元件本身发生了故障；文章还提出一种神经网络，可在线快速求解非线性电阻网络的故障方程的解，从而可在线对故障进行定位。     

介绍一种测量大电阻的新方法

针对一般数字万用表测量200MΩ以内大电阻误差大、200MΩ以上大电阻无法测量的缺点，利用其输入电阻大、直流电压测量范围大的优点，研究出了能较准确测量200MΩ—几十GΩ大电阻的新方法，介绍了其测量原理。并对该法的测量范围和误差进行了分析。     

低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20／Cu的结构与磁电阻

采用磁控溅射方法，获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ｃｕ金属多层膜，在室温下，其磁电阻和层间耦合状态随Ｃｕ层厚度的增加呈振荡变化，在Ｃｕ层厚度ｔＣｕ＝１．０ｎｍ，２．２ｎｍ时磁电阻出现２个峰值分别为１９．４％和１１．７％，饱和场约为６．４×１０＾４Ａ／ｍ和８×１０＾３Ａ／ｍ低温下（７７Ｋ）磁电阻为３３．２％和２７．６％，系统地研究了ＮｉＦｅ层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响，用真空退火     

常温半导体气敏元件的研制①

简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法、常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性，最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。     

煤矿床地质算量方法——改进的距离幂次估值法

提出一种考虑了沉积矿床各向异性的距离幂次估值方法.沉积矿床的厚度及顶底板标高在走向方向上与距 离强相关,在倾向方向与矿层倾角强相关.据此得出了一套基于距离幂次反比法的矿床模型估值公式,通过实例计算,得到了更准确的结果,实践证明.这种估值方法克服了以前距离幂次反比法未考虑方向性和没有外推能力的缺点,对处理矿层的尖灭、煤层露头及钻孔样本点外侧的待估点是十分有效的.     

电器开关触头间的接触电阻分析

阐述了开关电器触头的接触电阻增大的原因及由此产生的后果,介绍了测量触头间接触电阻的方法,并提出了限制触头接触电阻增大的措施.     

电阻栅MOSFET电流模型分析

本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－ＭＯＳＦＥＴ一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。     

一个提高R-L-C电压分布实验准确性的可行方法——镇流器损耗的等效电阻法

在Ｒ Ｌ Ｃ电压分布实验中，以镇流器作为电感元件是一个很方便的办法。但这种做法的缺点是准确度很差。对此，本文提出一个改进的可行方法。即将镇流器的功率损耗看成一个电阻的损耗