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71.
合成含2-氨基苯基二苯基膦水杨醛配体(三啮(P) (N)O 配体)的3个后过渡金属镍配合物催化剂;采用元素分析、红外光谱和单晶衍射实验等方法对配合物的结构进行表征;研究了配合物对降冰片烯聚合的催化活性和影响因素.实验表明,在以甲基铝氧烷(MAO)为助催化剂时,配合物对降冰片烯聚合显示出良好的催化活性;聚合产物呈现良好的...  相似文献   
72.
采用水热法在180℃下合成纳米级的尖晶石相的Ni0.6Zn0.4Fe2O4铁氧体材料,在空气中退火温度分别为600、800、1000℃.使用X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)分别表征NiZn铁氧体纳米粉体的相组成、微结构以及磁性能.XRD衍射谱和FTIR谱表明:未退火和退火的纳米晶NiZn铁氧体皆为单一尖晶石相;退火温度对晶格常数基本无影响,主要提高了致密度以及使晶粒尺寸得到长大;样品的饱和磁化强度随着退火温度的提高逐渐增大到1 000℃时的58.75 emu/g;样品的矫顽力与未退火的样品相比,先增加后减小,其矫顽力主要取决于样品的微结构.  相似文献   
73.
文章论述了镍基焊材在实际生产中的运用,从而减化了重叠设备的局部最终热处理,保证了产品质量。  相似文献   
74.
乙烯工业副产物裂解汽油是芳烃抽提的重要原料,加氢精制是处理裂解汽油最有效、最经济的方法.文章主要介绍了裂解汽油一段加氢钯系、镍系催化荆的研究进展,同时指出裂解汽油一段加氢催化剂在工业应用上存在的问题.  相似文献   
75.
以2-乙炔基吡啶、苄基氯、叠氮化钠为原料通过Click Chemistry的方法,合成一种新的"Click"配体,并对其结构进行X-射线单晶衍射表征.再与后过渡金属NiBr2(DME)作用,合成其金属配合物,对其结构进行红外光谱、元素分析表征.  相似文献   
76.
用电沉积法将镍(Ⅱ)四磺酸基酞菁(NiTSPc)修饰在玻碳电极表面,又用浸蘸法将Nafion修饰在该电极表面,制备出一种新型一氧化氮电化学传感器,并研究了它们对缓冲溶液(PBS)中一氧化氮(NO)和亚硝酸盐(NO2-)的电化学行为.实验结果表明,NiTSPc和Nafion修饰材料对一氧化氮分子的电化学氧化具有显著的促进作用,在c(NO)为0.2~8μmol/L的区间内,用NiTSPc和Nafion修饰的传感器的DPA电流值与c(NO)成良好线性关系,且灵敏度高,选择性良好,可用于NO实时检测.  相似文献   
77.
78.
采用行星式高能球磨机,通过在室温下球磨纯元素混合粉末制备出Ni7Zr2非晶合金粉末.应用X射线衍射(XRD)、差热分析(DTA)和扫描电子显微镜(SEM)对不同球磨时间的混合粉末进行了研究.结果发现球磨时间对混合粉末的结构及颗粒形貌均存在显著影响.随着球磨时间的增加,Ni、Zr颗粒发生严重塑性变形,并且通过冷焊团聚起来,形成具有层状结构的复合颗粒.由于磨球的剧烈撞击,使得结构发生了严重的畸变,从而破坏了原有的有序结构而形成了无序结构.另外,在进一步球磨过程中,合金的晶粒不断减小,形成高体积分数的晶界,而金属粉末不断地发生塑性变形,形成了点缺陷、位错等高密度缺陷,晶格发生严重的畸变,晶体自由能也相应不断上升,最后产生了非晶转变.磁性能测量表明,该合金粉末具有较好的软磁性能.  相似文献   
79.
针对镍基合金钨极氩弧焊焊缝中气孔形成的影响因素,采用高速摄像机、光学显微镜获得了气孔在熔池及焊缝中的形态及分布特征照片,研究了油污、送丝速度、保护气体和焊接电流等参数对熔池气泡的影响。结果表明:采用钨极氩弧焊对镍基合金焊接时,熔池表面有少量的气泡逸出,证明了焊缝金属中气孔源的存在;显微组织观察发现,有未及时逸出的气泡残留其中,但是利用UT,RT探伤手段无法检测出该类缺陷的存在;送丝速度和焊丝油污对焊缝金属中气孔的形成有明显的影响;适当调整其他焊接工艺参数对气孔影响均不显著。  相似文献   
80.
以多孔Ni/C复合材料作为牺牲模板,通过水热硒化法制备了多孔Ni0.85Se/C复合微球. XRD、SEM和TEM表征结果显示,具有良好结晶性和相纯度的Ni0.85Se/C是由Ni0.85Se纳米颗粒密堆积而成的多孔球形结构;XPS和TG曲线显示共存的碳质量分数由Ni/C中的27.3%下降为Ni0.85Se/C的7.1%.作为锂离子电池负极材料,在0.2 A·g-1的电流密度下,Ni0.85Se/C第2次可逆放电比容量为579.2 mA·h·g-1,由于非法拉第容量贡献,经过100次循环后,放电比容量变为812.8 mA·h·g-1,远优于未硒化的Ni/C复合材料.作为钠离子电池负极材料,Ni0.85Se/C具有较高的放电比容量,50次循环后,放电比容量剩余值为293.5 mA·h·g-1. CV和EIS分析证明Ni0.85Se/C的放电容量是法拉...  相似文献   
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