超短脉冲微细电解加工电源及工艺试验

脉冲电源是实现高精度电解加工的关键技术之一.文中研制了一种用于微细电解加工的超短脉冲--纳秒级脉冲电源,其最小稳定输出脉宽为100 ns,额定电流为1 A,占空比和频率均独立可调.该电源采用直流加斩波输出方案,直流部分采用稳压集成块调压.设计的高频信号发生器工作频率范围宽;驱动信号具有陡峭的上升和下降沿,为斩波器提供了良好的驱动保证.斩波主器件采用快速互补功率场效应管,解决了波形失真问题.文中还针对微细电解加工工艺的特点设计了快速保护电路,实现了高精度的微细电解加工.最后,利用该电源样机加工出典型微细零件,验证了电源的有效性.     

苯基三乙氧基硅烷与氨丙基三乙氧基硅烷的水解共缩聚

研究了苯基三乙氧基硅烷与氨丙基三乙氧基硅烷在甲苯/水/盐酸、四氢呋喃/水/盐酸、乙醇/水/氨、十二烷基硫酸钠/水/四甲基氢氧化铵四个较典型体系中的水解共缩聚,通过界面聚合、溶液聚合、分散聚合、乳液聚合分别得到了树脂状、粒径200nm微球、粒径3μm微球和乳液状的聚氨丙基/苯基倍半硅氧烷,采用元素分析、红外光谱、核磁共振等对各产物的组成、结构、性能等进行了对比分析。结果表明酸催化体系共聚物为溶解性良好的低交联链状结构,乙氧基水解完全,而存在碱催化的体系产物交联度高,溶解性较差,结构中残留未水解的乙氧基; 溶剂的极性对共聚物的溶解、析出、粒子的形成影响较大。     

中国集成电路制造供应链脆弱性研究

集成电路产业是衡量国家科技实力与经济水平的重要标志之一.本文通过分析我国集成电路供应链所处的内外环境,针对其脆弱性,研究相关重要影响因子,提出一种系统评价新思路,对我国集成电路供应链脆弱性进行量化分析.以暴露性、敏感性、恢复性作为集成电路供应链脆弱性的三个主要测度,建立指标评价体系,通过改进的灰色关联法,将关联度作为指...     

二氧化钛/碳纳米管复合纳米材料的制备和表征

采用溶胶-凝胶法,以钛酸四丁酯为前驱体,分别制备了二氧化钛/碳纳米管(TjO,2,/CNT)复合纳米膜电极和TiO,2,/CNT复合纳米粉体材料,利用UV-Vis,EIS等方法对复合纳米膜电极进行了表征,利用SEM对TiO,2,/CNT复合纳米粉体材料进行了观察,并测定了该材料对甲基橙光降解的催化活性.结果表明,复合TiO,2,/CNT纳米材料比单独TiO,2,纳米材料具有更高的化学活性.     

负载型铜、钴催化剂的室温固相合成及对邻二甲苯的深度催化氧化

采用低温固相法制备了系列负载型铜、钴以及铜钴复合催化剂,用于邻二甲苯的深度催化氧化,以邻二甲苯的分解率和二氧化碳产率综合评价催化剂的活性.考察了制备方法、活性组分及载体对催化剂活性的影响.采用XRD,BET,SEM,TPR等技术对催化剂进行表征,结果表明:室温固相法制备的催化剂,具有低结晶度、小晶体粒度和高比表面积等结构特点;铜钴复合催化剂的活性高于单-金属氧化物催化剂,载体对催化剂活性影响显著.     

论预应力空心板桥施工与检测技术

文章介绍了预应力钢绞线的施工技术,对原材料进场、检验、配合比设计、施工工艺、效益分析等方面进行阐述,提出预应力后张法负弯矩的施工与检测技术在施工时需注意的几个问题.     

后张法预应力施工控制要点

文章针对后张法预应力混凝土箱梁施工技术进行总结,并对施工过程中遇到问题进行浅析.     

来华临床医学本科留学生教育质量评价指标体系研究

目的:构建科学合理的来华临床医学本科留学生教育质量评价指标体系.方法:在文献研究和专家访谈的基础上初步制定来华临床医学本科留学生教育质量评价指标体系,采用Delphi法经过两轮专家咨询确定评价指标体系及各级指标权重.结果:两轮专家咨询后形成了包含2个维度, 13项一级指标和57项二级指标的来华临床医学本科留学生教育质量评价指标体系,并得出了一、二级指标权重.结论:本研究构建的来华临床医学本科留学生教育质量评价指标体系具有一定的科学性和可靠性,能为评价来华临床医学本科留学生教育质量提供一定的参考和借鉴.     

基于SIMO某军用运输车车架底板结构模态试验及分析

基于单点激振多输出（SIMO）试验模态法（EMA）原理对某型弹药运输试验跑车车架底板及其连接部分进行动态特性试验,提取模态参数和特征向量,并进行模态参数识别和各阶振型分析,试验结果与实际车载弹药振动环境基本吻合。与基于有限元分析软件HyperWorks计算结果做验证对比,结果基本一致。     

利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质

利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD), 以Zn₄(OH)₂(O₂CCH₃)₆·2H₂O为固相源、ZnNO₃为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜, 采用XRD, 霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析, 研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响. 结果表明, 生长温度较低时, 薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降, 衬底温度为400℃时, 载流子浓度达到+5.127×1017 cm^-3, 电阻率为0.04706 Ω·cm, 迁移率为259 cm²/(V·s), 并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性. 当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.