外电场对PbTiO_3纳米晶表面光电特性的影响

研究了1000℃（1#）和450℃（2#）条件下烧结的PbTiO纳米晶，在外电场处理前后的表面光电特性．结果表明，外电场的处理对PbTiO3纳米晶表面光电特性的影响具有明显的尺寸效应：经外电场处理后1#PbTiO3纳米晶表面光优响应没有变化；2#PbTiO3纳米晶变化明显．     

大黄素的吸附伏安行为及定量测定

大黄素在1％硼砂底液中，有一灵敏的吸附伏安还原峰．峰电位为-0．86V(vs.Ag／AgCl)．在电位-0．3V下预富集，采用微分脉冲吸附溶出伏安法测定，其检测限可达8．0×10^-10mol／L，大黄素在1×10^-8～1×10^-6mol／L浓度范围内．峰电流与浓度呈线性关系此法简便、快速、可靠．     

脉冲放大器功放级的研究

用大功率高频场效应管作为单向脉冲放大器的功放级的设计，在文献上尚未见到，作者根据需要，针对大功率高频场效应管的特点，完成这一设计。实验证明，设计是正确的，设计的关键是怎样计算场效应管的输入电容来实现推动级的设计。     

浅析配合物的颜色

本文以群论方法和分子轨道理论为基本概念，用配合物的电子吸收光谱和电荷迁移光谱解释配合物的颜色及颜色强度。     

有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ∶Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响．研究结果表明，ａ－Ｓｉ∶Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的静态特性（如开／关态电流比、阈值电压等）有较大的影响．理论分析表明，这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的．详细分析了背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合     

离子交换法测配合物（二草酸二水合铬酸钾）中配合离子电荷数的实验方法研究

本文作者介绍一种用指示剂判断淋洗终点，酸滴定OH^-离子浓度对配合物配合离子电荷数进行测定的实验方法。     

电荷耦合器件被动式测量的信号处理

指出了在电荷耦合器件（ＣＣＤ）被动式测量中影响测量结果一致性的两个问题，即被测物发光强度的变化和环境的变化对测量结果一致性的影响。同时提出了解决这两个问题的信号处理方法，给出了相应的电路原理图，出示了实验波形。     

拉曼光纤放大器噪声特性分析

分析了N信道密集波分复用系统采用拉曼光纤放大器时信道的噪声特性.利用非线性耦合波理论方程,推导出了噪声指数的表达式.应用数值分析法,得到了噪声指数与光纤长度、泵浦功率等的关系,并引入了噪声指数的极值.结果表明,光纤和信号功率一定时,噪声指数主要受光纤长度和泵浦光功率的影响,适当改变泵浦光功率对改善噪声性能有积极意义.     

放大器内部噪声的研究

本文主要分析了放大器的噪声对信号的影响及影响程度，介绍了衡量放大器的噪声对信号影响程度的参数，噪声系数，以及噪声系数的定义即而可计算出放大器的内部噪声．对放大器的噪声有进一步的了解，为分析或设计放大器提供了参考依据．     

0.25 μm CMOS蓝牙射频接收机前端

采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺，设计了一种2.4 GHz CMOS低中频结构的蓝牙射频接收机前端.整个接收机前端包含全差分低噪声放大器、混频器以及产生正交信号的多相滤波器.叙述了主要设计过程并给出了优化仿真结果.采用Cadence SpectreRF进行仿真，获得了如下结果：在2.5 V工作电压下，中频输出增益为21 dB，噪声系数为7 dB，输入P 1 dB为-21.3 dBm，IIP3为-9.78 dBm，接收机前端总的电流消耗为16.1 mA.