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171.
叠层结构应用到有机电致发光器件中,可以显著的提高器件的性能,尤其是电流效率。在叠层结构中,电荷产生层发挥着及其重要的作用,因此对电荷产生层的优化具有重要的意义。我们通过一系列试验,确定了电荷产生层合理的参数为:由掺杂Li的BCP和V2O5层共同组成,其中BCP掺杂2%的Li,V2O5的厚度为30nm。 相似文献
172.
常系数Ginzburg-Landau方程自相似脉冲演化的解析解 总被引:1,自引:0,他引:1
采用对称约简方法, 通过分离变量法首次得出了Ginzburg-Landau方程抛物渐近自相似脉冲的解析解, 给出了自相似脉冲的振幅、相位、啁啾以及脉冲宽度的一般表达式, 讨论了掺杂光纤增益色散对抛物型自相似脉冲演化特性的影响. 数值计算结果证实了Ginzburg-Landau方程具有抛物渐近型自相似解, 其与解析分析的结论一致. 相似文献
173.
焦月然 《科技情报开发与经济》2007,17(17):292-293
简述了理想运算放大器的模型和特点,根据集成运算放大器的工作区域,提出了运放工作状态的判断方法。 相似文献
174.
介绍了一种起重量限制器的数据采样电路的设计,并对压力传感器、电源、仪表放大器AD620、模数转换器误差进行了分析。 相似文献
175.
采用双水电极实验装置,在1.01×105Pa氩气介质阻挡放电中,研究了不同边界形状条件下得到的六边形斑图.实验发现,六边形斑图的形成及演化不随边界形状的改变而改变,各种边界形状下得到的六边形斑图放电特性相似.还讨论了壁电荷在其形成过程中起到的作用. 相似文献
176.
目的在分析运算放大器对带隙基准影响的基础上,分析并设计一种Brokaw(2.5V,13.3×10-6/℃)的带隙电压基准。方法以Brokaw带隙基准电压源结构为基础来进行设计。结果经过上华0.6μm Bicmos工艺的仿真,在温度-40℃到 85℃的变化范围内,基准电压变化范围为2.5±0.001V。其温度系数为13.3×10-6/℃。结论电路完成了一阶温度补偿,温度漂移较小。 相似文献
177.
基于2 μm CMOS工艺!设计实现了一种2.4 V低功耗带有恒跨导输入级的RailtoRail CMOS运算放大
器。采用尾电流溢出控制的互补差分输入级和对称56类推挽结构的输出级,实现了满电源幅度的输入输出和恒
输入跨导;运用折叠共源共栅结构作为中间增益级,实现电流求和放大。整个电路在2.4 V的单电源供电下进行
仿真,直流开环增益为76.5 dB,相位裕度为67.6,单位增益带宽为1.85 MHz。 相似文献
178.
孔梅影 《国外科技新书评介》2007,(7):11-12
半导体光放大器(SOA)是光通信系统中的重要部件,它可用作在线放大器和光网路中的功能器件。从上世纪90年代开始SOAs的功能应用研究以来,它的应用方法和应用范围均在稳定地增长。 相似文献
179.
180.
腔衰荡光谱技术的理论分析 总被引:1,自引:0,他引:1
腔衰荡光谱技术是一种新型的光谱检测方法,由于该技术具有吸收光程长,不受光源强度起伏影响的特点,因而受到国内外的广泛重视,已被应用于探测分子及原子体系。本文主要分析腔衰荡光谱技术的原理、相关核心部件的选择及注意事项,为下一步仪器的研制奠定基础。 相似文献