可调谐的同轴腔滤波器

本文介绍一种带宽为5～8MHz,调谐范围在350～510MHz的同轴腔带通滤波器。详细地介绍了腔间孔耦合理论。给出消除耦合环自感影响的方法及减弱电耦合的途径,並给出了实测结果与理论计算的比较。     

无逆带电的交流电晕放电式消电

由于交流电晕电流正、负半波特性的不对称性，在采用交流电晕放电式消电法时，会出现逆带电及消电不完全的现象。通过串联电容，使交流电晕正流正、负半波特性对称，亦即使电晕电流中直流分量为零，从而实现无逆带电的交流电晕放电式消电。     

新型的具有电开关特性的含C60复合薄膜

利用真空双源同时蒸发法制备了新型Ｃ６０－１，４－ｂｉｓ（－１，１－ｄｉｃｙａｎｏｖｉｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ（ＢＤＣＢ）复合薄膜。用高分辨扫描电镜和Ｘ－射线衍射仪分析了ＢＤＣＢ－Ｃ６０复合薄膜的表面形貌和结构特性，结果表明ＢＤＣＢ－Ｃ６０复合薄膜是一种不同于纯Ｃ６０薄膜和纯ＢＤＣＢ薄膜的结构相。Ａｇ／ＢＤＣＢ－Ｃ６０／Ａｇ的拓明治型结构具有电学双稳态现象和记忆特性。     

原位光谱法研究烷基紫精电氧化还原的缔合行为

用原位光谱法研究了烷基紫精和相应聚紫精第一还原态（Ｖ＋）的缔合行为，电还原过程中，在电极表面烷基紫精的Ｖ＋主要以缔合体存在，这与电极对Ｖ＋的吸附有关．具有较短烷基的聚紫精，Ｖ＋也主要以缔合体存在，但具有较长烷基的聚紫精，Ｖ＋则主要以单分子体存在，可能是柔顺的烷基链节会减弱Ｖ＋的缔合．缔合平衡随时间向单分子体移动，这与电极对Ｖ＋的吸附和解吸附有关，电还原的缔合行为还与光还原和化学还原进行了比较，同时，也观察了β－环糊精的包结作用对紫精在电还原过程中Ｖ＋缔合行为的影响．     

聚合物的时域介电谱

在１０４至１０－５Ｈｚ频段，聚合物的介电谱只能用时域参数描述．介质的极化响应可描述为Ａεｓｅｘｐ［－（ｔ／τ）类型的若干个项之和．实验证明在随机驰豫中α＝１，在自由驰豫中则α＝１／２．在低频段用频域方法测量εｓ时．样品中的慢响应极化机构的贡献表现为吸收电流；它使得εｓ没有确定值，时域参数是十分灵敏的方法，它可以检测出对εｓ的贡献只有１０－４的微量极化机构．对于同一种聚合物、慢极化响应的成份决定于材料的加工工艺和添加物．     

关于电偶极跃迁的普用选择定则的讨论

推导出电偶极跃迁的普用选择定则，以单电子（或单价）原子和多电子原子能级间跃迁为例，阐明了这些规律的实质。     

PZN—PT—BT陶瓷的铁电弛豫现象

研究了Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ２－ＰｂＴｉＯ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ）系陶瓷的介电弛豫、热释电等现象与ＰｂＴｉＯ３含量的关系。探讨了热处理工艺对０．７５ＰＺＮ－０．２０ＰＴ－０．０５ＢＴ陶瓷的结构和性能的影响。运用宏畴－微畴理论对所得的实验现象进行了解释。     

智能材料和“智能”材料

论述了智能材料是２１世纪材料发展的趋势和智能材料应用有的面貌，列举了今天智能结构中最突出应用的三类材料，形状记忆材料，电（磁）致流变液体和电（磁）致伸缩材料。