电腐蚀法制备n-Bi_2 S_3光电极

电腐蚀法是以金属腐蚀原理为基础的。它是一种极为简便的制备光电报的方法。对于n—Bi_2S_3光电极的制备,只要将镀有铋的金属或导电膜放在电腐蚀液(硫化物电解质溶液)中,加上一定的电压,便可在金属基板或导电膜上形成一层具有光电性的硫化物沉积物,此即n—Bi_2S_3,且有半导体性能,其禁带宽度为1.22ev。它在一定的电解液中具有较好的稳定性,我们对n—Bi_2S_3电极进行了初步的研究,发现在光的长期照射下,光电性基本不变。     

稀土(La,Nd,Sn)化合物对电沉积Ni-Co合金的影响

研究了在电镀溶液中加入稀土化合物后对电沉积Ni-Co合金的影响。实验结果表明,Ni-Co合金的电沉积过程符合“异常共沉积机理”;在电镀溶液中加入少量稀土化合物后,可以增大合金电沉积过程的阴极极化,并能增强合金镀层的耐腐蚀性能,也能使合金阴极的析氢电催化活性有所增加。     

标准模型与超出标准模型的物理学

20世纪60年代末在非阿贝尔规范理论框架下建立起来的基本粒子的标准模型，成功地描述了强相互作用和电弱相互作用，广泛地被用来处理粒子物理的各种实验现象。但是由于它有太多的参量，以及不能很好地解决很多重要的问题，人们普遍认为它并不是一个粒子物理的终极理论。因此寻找超出标准模型的新物理就成为21世纪粒子物理学家迫切的任务。     

基于电吸收调制器的新型40 Gbit/s光学3R重生器

全光3R重生技术（重整形、重定时、重放大）是将来高速大容量全光网中的关键技术.提出了一种结构简单而且性能稳定的40 Gbit/s光学3R重生器,它是基于电吸收调制器的2个波长转换器与基于行波电吸收调制器的光钟恢复器构成的,具有造价低、性能稳定等优点,在未来大容量超高速全光网中具有很大的应用潜力.     

一个球对称荷电黑洞的量子隧穿辐射特征

 尽管黑洞信息丢失之谜的完整解释要在量子引力或弦理论的框架内完成,但是为解决黑洞信息丢失之谜,用半经典的隧穿方法研究了球对称荷电黑洞的隧穿辐射特征.其结果表明隧穿率与Bekenstein-Hawk-ing熵的改变有关,辐射谱不是纯热谱,信息丢失是可能的,满足量子力学中的幺正性原理.这不仅是对Hawk-ing辐射谱的进一步修正,而且提供了研究黑洞荷电粒子隧穿辐射的新方法.     

Ce-Co合金膜在乙酰胺-尿素-NaBr熔体中电化学制备的研究

 应用循环曲线法研究了在353 K的乙酰胺-尿素-NaBr熔体中Co²⁺在Pt和Cu电极上的电化学行为,获知Co²⁺电还原为金属Co是一步不可逆过程,测得α为0.28,D₀为4.65×10_-5cm²/s;而Ce³⁺不能单独还原为Ce,但可以被Co(Ⅱ)诱导而共沉积;由恒电位电解法得到非晶态的Ce-Co合金,Ce-Co合金膜中Ce的质量分数随电位、时间和浓度的变化而变化,其合金膜中Ce的质量分数的最大值可达64.65%.     

植物细胞膜的分布电荷所产生的细胞壁应力

根据细胞膜双电层模型和电学、力学原理，推出了植物细胞膜上电荷产生的细胞壁应力的计算公式；分析了植物细胞壁厚度、细胞半径以及细胞膜上电荷面密度变化对细胞壁应力产生的影响．获得了细胞膜上电荷对细胞壁三个方向的应力都有影响。细胞膜上电荷产生的细胞壁沿半径方向的应力增量比细胞壁另外两个方向的应力增量小得多；在细胞壁增厚过程中细胞膜上电荷产生的细胞壁各点的应力的绝对值变小；细胞膜上电荷所引起的细胞壁应力与细胞壁厚度以及膜上电荷面密度的关系是非线性的；在其他条件不变的情况下，细胞越大，细胞膜上电荷对细胞壁上的应力影响越大等几点结论．图5，参9．     

纳米晶低钼高铁Fe-Ni-Mo合金的制备及其微观结构

在酸性柠檬酸盐镀液中电沉积制备低Mo高Fe含量的Fe-Ni—Mo合金；采用扫描电镜、X射线衍射仪和X射线能谱仪对镀层微观结构、表面形貌及组成进行分析。结果表明：工艺条件和钼酸钠浓度对合金组成的影响较大;所得合金晶粒尺寸为6．2～12．7nm，并随电流密度、温度和电镀液的pH值的改变而变化；合金的晶体生长符合晶核三维生长模型，镀层表面形貌由平行和垂直于基体的生长速度的相对大小决定；镀层物相为固溶体和金属间化合物的多相结构，当电流密度为3A／dm^2时，镀层物相由FeNi（BCC）和FeMo固溶相转化为FeNi（FCC）和MoNi4多相结构；镀层的应力随晶粒尺寸的减小呈线性增大；合金镀层的点阵常数发生了畸变。     

基于FPGA的E2PROM读写控制设计及实现

介绍了12C总线的工作原理以及时序要求．利用FPGA强大的逻辑控制功能和VHDL语言的灵活性，对E^2PROM的I^2C总线控制器进行了设计．采用模块化和状态机相结合的设计方法，给出了各个模块的设计思路．利用QUARTUSⅡ软件对设计程序进行了仿真，并将程序下载到实验开发板上对系统进行了验证，给出了仿真和验证的结果．     

采用电聚合方法固定抗体的IgG检测微传感器

采用微电子机械系统MEMS工艺制备微电极芯片，并利用电化学聚合方法将抗体（羊抗人IgG）与吡咯共同聚合在工作电极敏感表面，用于人免疫球蛋白IgG的安培酶免疫检测.该传感器以硅作为基底，铂作为电极，工作电极敏感面积2mm².SU8胶形成的微反应池结构使该传感器试剂用量仅为μL量级.该传感器工作电压-0.3V，线性范围5—655ng/mL，响应时间3min，具有制备简便、响应快、试剂用量少、检测浓度低、微型化、便于集成等优点.