一种电流求和型的低功耗Bandgap电压基准源

为满足标准P阱CMOS工艺要求 ,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路 ,实现了相对于地的稳定电压输出 ,并且能提供多电压基准输出 .电路采用 0 6μmUMCP阱CMOS工艺验证 ,HSPICE模拟结果表明 :电路输出基准电压为 80 0mV ;在 - 40～ 85℃的温度变化范围内 ,电路温度系数仅为 1 4× 1 0 -6/℃ ;电源电压为 3 5V时 ,电路功耗低 ,消耗电流仅为 1 5 μA .该电路不需改变现有工艺 ,输出灵活 ,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用     

添加剂对TiO2电流变液性能的影响

研究不同添加剂对电流变液流变性能的影响，以提高ER液体的电流变活性。对含有不同添加剂的电流变液体进行了电流变性能测试。结果表明：几种添加剂对改善电流变液体的性能均有很好的促进作用。在4kV／mm的电场强度下，含不同添加剂的电流变液体的剪切应力分别提高12％、26％和33％。且ER液体的抗沉淀稳定性明显提高。说明适宜、适量的添加剂能有效地提高ER液体的性能。     

一种电流变减振器阻尼特性的模拟计算

分析了电流变流体的力学性能，针对电流变减振器的结构特点，建立电流变减振器阻尼特性计算的数学模型，论述了电流变减振器的工作原理，模拟结果表明，所提出的电流变减振器结构合理，在低频段阻尼力变化显著，探讨了造成高频段阻尼调节效果较差的原因，提出需选用高屈服应力值的电流变流体的解决方案。     

一种新型电流互感器校验仪

电子式电流互感器的出现对互感器的校验提出了新的要求,必须对互感器的数字量输出进行校验。以LabVIEW作为开发工具研制出一种新型电流互感器校验仪,它发挥虚拟仪器灵活、可自定义、具有强大数据处理和分析功能、易于嵌入数字补偿以及开发周期短等特点。该校验仪利用离散Fourier变换(DFT)方法和数字补偿技术,能准确地测定出电子式电流互感器及传统电流互感器的比差、角差、频率、谐波等多个技术性能指标,且具有便于携带、易于拓展功能、开发周期短、检定工作效率高等优点。经对比校验,该校验仪比差为0.05%,角差在2′以内。     

基于DSP的单相电能质量综合补偿器设计

通过对谐波抑制和无功功率补偿理论分析，提出了由一个串联型APF和一并联型APF构成电能质量综合补偿器的设计方案，阐述了基于DSP的数字化控制方法，该设计方案能充分发挥串联型APF能滤去市电中谐波电压、补偿基波电压的作用和并联型APF起消除非线性负载产生的电流的无功分量和高次谐波，使功率因数接近1的作用。     

大型发电机组相间故障保护整定及灵敏度分析

分析比率制动式纵差保护系统作为大容量机组主保护的可靠性及灵敏度，通过该系统在太平湾发电厂3#机组的应用，证明该方法限制不平衡电流影响是有效的，保证了电力系统供电质量。     

一种单相开关电源输入电流谐波抑制方法的研究

根据2000年制订的新IEC1000-3-2电磁兼容标准规定,对单相开关电源全桥整流器加LC滤波器的简单经济无源功率因数校正电路进行了新的分析和设计.建立无量纲归化电路进行仿真分析,结果表明,适当的滤波电感值设计可以取得高功率因数和满足新电磁兼容标准A类和D类电流谐波限制规定,尤其是在300W以下A类电力电子设备可以采用小而经济LC滤波器.分析和计算结果通过计算机仿真和实验验证.     

Eu(Ⅲ)-ARS络合物的极谱吸附波研究

研究了在 p H=9.6的氨 -氯化铵缓冲溶液中 ,Eu( )与茜素红 (ARS)络合物的极谱波 ,该极谱波峰电位在 -2 .2 5 V(sv. SCE) ,其峰电流与铕的浓度在 3 .0× 1 0 - 6 ～ 3 .0× 1 0 - 4 mol· L- 1 之间呈线性关系 ,最低检出限为 1 .0× 1 0 - 6 mol· L- 1 。利用该方法可测定稀土矿石中的中稀土元素铕     

LVDS高速数据驱动器电路设计与研究

为了满足数据传输的高速度，低功耗的要求，开发出来了利用低电压差分信号传输技术(简称LVDS)设计混合信号系统，可以确保铜导线能够满足高速数据传输．分析了LVDS驱动器的电路结构，在此基础上提出了具体设计，同时给出了用SPECTRES工具进行模拟验证的结果。     

从n型硅到RTN超薄SiO2膜的电流传输特性

用卤素钨灯作辐射热源，对超薄(10nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN)，制备了SiOxN，超薄栅介质膜，并制作了Al／n-Si／SiOxNy／Al结构电容样品．研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化．结果表明：低场时的漏电流很小；进入隧穿电场时，I—E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律；在更高的电场时，主要出现两种情形，其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿，其二是I-E曲线下移，偏离F-N关系，直至介质膜发生击穿．研究表明，I-E曲线随氮化时间增加而上移．文中对这些实验结果进行了解释．