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211.
控制异步机的调宽逆变器的输出电流波形,包含多次曲折变化,形状极不规则。准确计算这类波形可采用[2]给出的方法,但该法较复杂费时。本文依据[1]的双分量法给出了适用于计算12段调宽逆变器稳态输出电流波形的工程近似计算方法,和不必计算波形而直接计算波形峰值的方法,给出了相应的计算曲线。峰值电流可用于确定逆变器在稳态时所需的换流能力。为说明其近似程度,通过典型实例把本文的近似方法和准确方法进行了对比。同时也指出了双分量法在使用上的局限性。  相似文献   
212.
本文通过对用于汽车电子点火的达林顿开关电路的分析,得到了一组进行两晶体管电流最佳分配设计曲线,并对设计中的有关问题进行了讨论。  相似文献   
213.
本文论述了电流逆变器换流电容和感应电动机漏感抗之间的能量转换产生的尖峰电压叠加在基本电压之上,引起换流电容、半导体元件、电动机绝缘承受很高的电压,为减小尖峰电压,电动机应有小的漏电抗。电流型逆变器供电的电动机的设计不仅是最优漏抗问题,它的设计和普通电动机不同,应使整个拖动系统成本最低,其特性适合特殊要求。  相似文献   
214.
本文分析了电容器电压跃变时伴随的冲激电流的能量转换,并以脉冲补偿分压器为例进行了讨论,指出,在计算有电容电压跃变的能量损耗时,除计及集中参数的电阻元件的损耗而外,冲激电流在分布电阻及电磁辐射上的能耗不可忽略。  相似文献   
215.
本文从二端口网络的导纳矩阵出发,把实现电流转换函数的问题转化成实现策动点导纳函数Y11的问题,适当选择Y11零点和极点,可以设计出RC梯形结构的无源电流滤波器,这种电流模式滤波器与电压模式滤波器在电路结构上具有一致性。  相似文献   
216.
需要大电流测量的低温实验中,为了保证温度测量的准确性,设计热沉时电流的热效应不可忽略.定量讨论了低温大电流测量中的一维热沉设计.  相似文献   
217.
漏电保护器的误动和拒动原因探析   总被引:2,自引:0,他引:2  
阐述了漏电保护器的工作原理,分析了造成漏电保护器误动和拒动的客观因素、技术因素及主观因素,并提出了相应的解决对策,指出了漏电保护器并不是安全可靠供用电的惟一防护措施。  相似文献   
218.
半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备   总被引:2,自引:0,他引:2  
B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。  相似文献   
219.
探讨大电流MAG焊焊缝金属的冲击韧性.对在4种不同工艺条件下运用大电流MAG焊得到的焊缝金属进行低温冲击试验.试验结果表明,采用不同的焊接材料和不同的焊接参数,试样的冲击韧性差别较大.通过化学成分分析和光学显微镜观察得出:当焊缝金属的C、Si、Ti含量过大时,会产生脆而粗大的贝氏体组织,韧性较差;当C、Si、Ti含量适中时,焊缝金属中出现细小的针状铁素体,低温冲击韧性很好.  相似文献   
220.
采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB2带材系列样品. 通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征. 实验结果表明, SiC掺杂对于提高MgB2带材的超导性能具有十分有效的作用. 掺杂量为5%时, 在4.2 K和10 T条件下, 掺杂样品的临界电流密度高达9024 A/cm2, 是未掺杂样品的32倍多. 掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用, 同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.  相似文献   
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