无源RC电流滤波器综合与设计

本文从二端口网络的导纳矩阵出发，把实现电流转换函数的问题转化成实现策动点导纳函数Ｙ１１的问题，适当选择Ｙ１１零点和极点，可以设计出ＲＣ梯形结构的无源电流滤波器，这种电流模式滤波器与电压模式滤波器在电路结构上具有一致性。     

宽温度液晶的合成

４．４’－双－（反式－对正戊基环己基）联苯（５ｃｐｐｃ５）具有熔点低，清亮点高的特点；因此，它的中介相温度很宽。本文提出一种通过三步反应合成５ｃｐｐｃ５的新路线，详细地讨论了这种液晶的合成方法以及有关影响反应的因素，并用红外、核磁、紫外、质谱等方法测定了该液晶的化学结构．研究了该化合物的热力学性质和偏光织构图。     

低温大电流测量中热沉的设计

需要大电流测量的低温实验中，为了保证温度测量的准确性，设计热沉时电流的热效应不可忽略．定量讨论了低温大电流测量中的一维热沉设计．     

递归方法在窗宽选择上的应用

在未知总体分布的情形下,给出密度核估计中选择窗宽的一个新方法,并在选取高斯核的情形下,推导出计算窗宽的递归公式。最后通过与理论窗宽值比较,说明使用该递归方法选择最优窗宽是非常有效的一个途径。     

漏电保护器的误动和拒动原因探析

阐述了漏电保护器的工作原理，分析了造成漏电保护器误动和拒动的客观因素、技术因素及主观因素，并提出了相应的解决对策，指出了漏电保护器并不是安全可靠供用电的惟一防护措施。     

半导体热电材料Bi1-xSbx薄膜的电化学制备

B I1-XSBX半导体合金是性能优异的热电和磁电功能材料,为制备固态电制冷器件、温差发电器件和磁电器件的重要材料。电化学沉积薄膜技术工艺设备简单成本低,在半导体薄膜制备方面有很好的应用前景。系统研究了高浓度盐酸(2.4 MOL/L)的B I和SB盐酸溶液,成份从纯铋逐步变化到纯锑的B I1-XSBX合金半导体薄膜电化学沉积特性。测试了沉积过程I-V循环曲线和和沉积电荷效率等电化学参数。结果表明在所有成份范围内都可以得到典型的B I1-XSBX固溶体结构的高质量薄膜。薄膜生长为典型的溶液扩散控制过程,具有高的沉积电荷效率。薄膜沉积和溶解之间的电位差随溶液中SB(Ⅲ)离子浓度增加而增大,生长的薄膜越来越稳定。在30%SB浓度附近,电化学过程、薄膜结构和性能发生明显的突变。应用X射线衍射和电子显微镜研究薄膜结构,发现薄膜具有明显的(012)择优取向,薄膜晶粒尺寸也随SB浓度的增加而变化。     

中国城镇居民消费函数的非参数模型

利用2001-01￣2005-11我国城镇居民人均可支配收入与消费性支出的月度数据,建立了我国城镇居民消费的非参数模型,并用不变窗宽的核估计、不变窗宽的局部线性估计、k-近邻估计、正交序列估计以及线性最小二乘估计分别进行了拟合和预测,结果表明:非线性模型优于线性模型;在4种非线性估计方法中,局部线性估计方法优于其它3种估计方法.     

大电流MAG焊焊缝金属的冲击韧性

探讨大电流MAG焊焊缝金属的冲击韧性.对在4种不同工艺条件下运用大电流MAG焊得到的焊缝金属进行低温冲击试验.试验结果表明,采用不同的焊接材料和不同的焊接参数,试样的冲击韧性差别较大.通过化学成分分析和光学显微镜观察得出:当焊缝金属的C、Si、Ti含量过大时,会产生脆而粗大的贝氏体组织,韧性较差;当C、Si、Ti含量适中时,焊缝金属中出现细小的针状铁素体,低温冲击韧性很好.     

纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究

采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB₂带材系列样品. 通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征. 实验结果表明, SiC掺杂对于提高MgB₂带材的超导性能具有十分有效的作用. 掺杂量为5%时, 在4.2 K和10 T条件下, 掺杂样品的临界电流密度高达9024 A/cm², 是未掺杂样品的32倍多. 掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用, 同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.     

动态电压恢复器的控制策略

通过把负载电压看作动态电压恢复器(DVR)的控制对象,开关器件的占空比看作控制量,电网电压和负载电流看作干扰量,可将DVR的数学模型简化为单输入单输出系统.结合控制量的计算方法,推导出了控制量到被控对象和干扰量到被控对象的传递函数.分析传递函数可知,负载电流特别是其中的高频分量会使DVR的补偿性能变坏.提出了误差校正控制方法,在传统电网电压前馈的基础上通过误差校正实现了负载电流前馈,基本消除了负载电流的影响.仿真结果验证了理论分析的正确性.