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151.
设计了一种基于电流控制传送器(CCCII)任意阶电压模式多功能滤波器.其电路结构简单,无源元件全部接地,便于集成且与VLSI工艺兼容.理论分析和计算机仿真表明电路方案正确,是可行的. 相似文献
152.
为了满足车辆对比例阀驱动电路可靠、节能及体积小等方面的要求,在分析了比例阀工作原理及传统驱动技术的缺陷的基础上,提出了在车辆上应用PWM驱动技术必要性;并针对该驱动方式开环控制精度低的缺点引入了电流反馈闭环控制技术;最后,通过试验验证了该驱动控制技术的有效性. 相似文献
153.
为了提高准Z源逆变器的升压能力,同时减小电容电压应力和输入电感电流纹波,结合具有高升压能力的改进型开关电感,用改进型开关电感替代级联型准Z源逆变器二级阻抗网络中的电感,提出了一种新型准Z源逆变器.分析了其拓扑结构和工作原理,仿真结果表明,与级联型准Z源逆变器相比,该逆变器具有升压能力强、输入电感电流纹波小、电容电压应力... 相似文献
154.
圆形线电流的磁场分布 总被引:3,自引:3,他引:0
贾秀敏 《河北科技大学学报》2006,27(1):25-27
直接由毕奥-萨伐尔定律的计算公式,在更为普遍的情况下,计算出了圆形线电流在全空间的磁场分布,并进一步讨论了其在中心轴线上、平面内及远区的磁感应强度。 相似文献
155.
高频PWM DC/DC 转换器设计 总被引:2,自引:1,他引:1
设计了一种基于2.5μm 40V双极工艺的高频低功耗的PWM升压型DC/DC转换芯片.采用了恒定频率、电流模式的控制结构以提供优秀的电源和负载稳压.同时内部的电流监视电路可以保护功率开关以及连接到芯片上的外部元件.通过对开关脉冲宽度的调节,加快了升压速度,减小了稳压状态的输出纹波,提高了转换效率.仿真结果表明,在2.7~12.0V的输入电压范围内,芯片的开关频率为1.2MHz,开关电流限制值为1.2A,转换效率可达85%以上.使用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波,在很小的电路板面积上产生大电流输出,降低了电路尺寸和成本. 相似文献
156.
采用量子输运方法研究了二维(2D)磁性NbSi2N4-WSi2N4-NbSi2N4面内异质结的光生电流效应.该异质结具有C2v非空间反演对称性,在可见光范围内,用线偏光垂直及倾斜照射时,均能激发显著的光生电流效应,产生自旋极化且偏振敏感的光电流.光电流与偏振角(θ)和入射角(α)均为余弦依赖(cos(2θ),cos(2α))关系.两种照射方式下均能产生纯自旋流及完全自旋极化的光电流.在垂直照射时,能取得完美的自旋阀效应.这些结果表明,二维磁性NbSi2N4-WSi2N4-NbSi2N4异质结在低能耗自旋电子学及低维光电探测领域具有应用潜力. 相似文献
157.
158.
地球磁尾电流片拍动的起源和运动方式一直是磁尾动力学研究中的重要问题之一.本文利用Cluster卫星数据,统计分析了2001年和2003年的磁尾电流片运动特性,利用我们最近发展的分析结构特征方向和运动速度的新方法,计算了磁尾电流片的运动速度,并给出了磁尾电流片在GSE坐标系中XY平面内的速度分布图.我们发现磁尾电流片存在着两种不同性质的运动,除了磁尾电流片向晨昏方向的运动,分析表明,磁尾电流片还存在着明显朝向子夜方向的运动(即GSE坐标系中Y=0平面).观测还进一步表明,位于磁尾中间区域(|Y_GSE|〈8Re)的电流片的扰动,其南北向的速度分量相对较大,这从另一个方面说明磁尾中性片的中间区域可能是导致大部分磁尾电流片拍动事件中电流片朝向晨昏两侧运动的源区.对于运动方向朝向子夜方向(Y=0平面)的电流片,其运动方式与运动方向朝向晨昏两侧的电流片存在着明显的不同,因此我们推测,它们应具有不同的起源.本文的统计结果,为我们深入研究地球磁尾电流片拍动源区等物理问题提供了的参考依据. 相似文献
159.
对2001年7月~10月Cluster穿越磁尾等离子体片边界层期间观测到的172个场向电流事件进行了研究,主要分析了等离子体片边界层场向电流特性与地磁活动指数之间的关系.研究结果表明:1)等离子体片边界层场向电流的相对发生率随地磁活动的增强而增加;2)等离子体片边界层场向电流密度随Kp指数的增大而增大;在磁暴的主相阶段,场向电流迅速增大,电流密度最大达到19.05nA/m2,同时Kp增大至5;3)地磁活动指数Kp与等离子体片边界层区场向电流密度有着一致的变化关系.然而,当AE〈800nT时,等离子体片边界层场向电流密度随着AE的增加而增加,当AE〉800nT时,场向电流密度随着AE的增加而减小.从而说明,等离子体片边界层场向电流密度与Kp指数的变化关系更为密切. 相似文献