一种ARROW型弯曲波导研究

分别用射线分析法和电磁场分析法，通过保角变换在直角坐标系下研究ＡＲＲＯＷ型弯曲波导特性，导出了其模色散方程（本征模方程）。经优化设计的ＡＲＲＯＷ型弯曲波导结构，使ＴＥ０模的损耗降至为０．０３２９ｃｍ＾－１。     

一个提高R-L-C电压分布实验准确性的可行方法——镇流器损耗的等效电阻法

在Ｒ Ｌ Ｃ电压分布实验中，以镇流器作为电感元件是一个很方便的办法。但这种做法的缺点是准确度很差。对此，本文提出一个改进的可行方法。即将镇流器的功率损耗看成一个电阻的损耗     

电刺激束缚小鼠应激诱发胃溃疡及其机制的初步探讨

用电刺激躯体束缚的口唇部建立应生胃溃疡模型，以阿尔新兰－ＭｇＣｌ２洗脱法测定胃壁粘液量，研究安定、苯巴比妥钠、可的松、酚妥拉明、异丙上腺素、阿托品和乙醇对溃疡发生的影响，结果表明，安定、苯巴比妥负伤 异丙肾上腺素显著抑制溃疡发生；阿托品和乙醉可明显使溃疡加剧；酚托拉明和可的松对溃疡没有影响，模型动物胃壁粘液量与对照组比较以及所有药物对模型动物胃壁粘液量却没有明显变化，提示，电刺激束缚应激胃溃疡的发     

损耗对双折射光纤中孤子相互作用的影响

利用变分原理了有损耗的情况下双折射光纤中孤子间的相互作用，发现损耗减弱了孤子间的相互作用，但同时使光纤中继间隔缩短，这就为实际应用中如何控制孤子间的相互作用了一定理论依据。     

两个梯度折射率分布平面光波导之间的连接损耗

计算了两个不同的梯度型平面波导在横向位移与角度偏差同时存在时的连接损耗。功率传输系数展开成Ｈｅｒｍｉｔｅ－Ｇａｕｓｓｉａｎ函数的级数后，迭合积分可解析求出，文中方法的精度比基模块的高斯近似方法高得多，并给出了数值计算实例并对连接损耗受各别偏差及波导参数的影响进行了讨论，最后检验了单一偏差连接损耗加近似复合偏差连接损耗这一直观方法的准确程度。     

c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质

Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.     

脊神经节C型神经元动作电位及其对高镁低钙溶液灌注的反应

电生理学研究表明,脊神经节神经元可分为快传导的A型神经元与慢传导的C型神经元。由于C型神经元胞体小,穿刺与记录均十分困难,迄今尚未见到有关C型神经元及其突触活动的报道。我们和其它实验室主要报道的是胞体较大的A型神经元的有关活动。另一方面,利用高Mg~(2+)低Ca~(2+)溶液对突触传递和钙通道的阻断作用,可成功地研究外周与中枢神经元的突触或接头活动。有鉴于此,在过去成功记录A型神经元的基础上,本工作侧重寻找并记录C型神经元,并观察其对高镁低钙溶液灌注的反应。     

用电涡流传感器测量金属的线膨胀系数

本文介绍了电涡流传感器的基本原理及其应用于普通物理实验《测量金属线膨胀系数》中测量金属棒的微小伸长量的方法．并与传统的光杠杆放大法测量作了比较。这是将非电量电测技术应用于传统物理实验的教学改革尝试．     

三价铬盐镀液电镀硬铬镀层的性能

用三价铬盐溶液电镀出了＞７０μｍ的硬铬镀层，研究了镀层的性能。镀层是非晶态，含碳量４％左右，经过热处理后其硬度达到１６００Ｈｖ以上。     

关于半波损失问题

从洛埃镜实验和维纳驻波实验中发生“半波损失”现象出发，利用菲涅耳公式，分析了当平面单色电磁波从光疏媒质入射到光密媒质时，在媒质的分界面处反射波电矢量Ｅ和入射波电关量Ｅ方向相反，这相当于附加λ／２光程差，习惯上称为“半波损失”。并以薄膜干涉中附加光程差加以说明．