一种高精度电力参数测量方法及实现

给同了一种采用模拟乘法器，积分器，８０９８单片机构成的电力参数测量方法，该方法运用了双斜式Ａ／Ｄ转换的基本原理。将模拟电压的测量转换为时间的测量，从而实现了电力参数的高精度测量。     

基于DSP的单相电能质量综合补偿器设计

通过对谐波抑制和无功功率补偿理论分析，提出了由一个串联型APF和一并联型APF构成电能质量综合补偿器的设计方案，阐述了基于DSP的数字化控制方法，该设计方案能充分发挥串联型APF能滤去市电中谐波电压、补偿基波电压的作用和并联型APF起消除非线性负载产生的电流的无功分量和高次谐波，使功率因数接近1的作用。     

电压互感器接线错误导致保护误动的分析

在电力系统中,电压互感器是一二次系统的联络元件,它能正确地反映电气设备的正常运行和故障情况。电压互感器的一次线圈并联在高压电路中,其作用是将一次高压变换成额定100V低电压,用作测量和保护等的二次回路电源,在正常工作时二次绕组近似于开路状态,所以,正常运行中的电压互感器二次侧不允许短路。     

变电站电压无功控制技术优化方法研究

针对目前变电站电压无功控制技术的使用情况,分析传统9区控制的电压无功控制技术的缺点,并提出优化方法。考虑了主变调档、电容器（电抗器）组投切对电压、无功的影响,细化电压无功控制技术为17区调节;考虑了变电站实际接线方式导致的主变无功采集的差异,引入主变空载、短路损耗,以提高主电压无功控制技术的准确度;考虑了变电站运行的实际情况,准确定义了闭锁量的类型,以提高电压无功控制技术的可靠性。本文的优化方法可为研发、设计、工程人员提供参考依据。     

电弧等离子体冶炼提纯工业硅(英文)

开发了一种把电弧等离子体冶炼和电磁感应搅拌熔体相联合的在高纯石墨坩埚内冶炼提纯工业硅的硅冶炼提纯技术.掺入到电弧等离子体工作气体流中的反应性气体在硅熔体液面处与杂质反应生成挥发性杂质化合物.工业硅中难去除的杂质是B,P和Al.用由水蒸气构成的反应性气体精炼熔融态工业硅来降低其中B和P的含量,随后定向凝固移除其他杂质.用此方法冶炼处理工业硅,其中的B,P,Al,Fe,Ti,Ca和Cu的含量从7.67,73,1931,2845,166,235和56mg/kg分别降低到5.85,29,202,676,36,89和9mg/kg.硅的纯度由原来的99.46%提纯高到99.93%.     

钙通道Cav3.1的S4区域在其电压依赖性失活过程中的作用

电压依赖性失活在钙通道的生理功能中起重要作用, 参与通道失活的分子结构域目前还不清楚. 为研究T型钙通道Cav3.1分子中第4跨膜区(S4)在电压依赖性失活中的作用, 用Cav1.2通道(无电压依赖性失活)的S4区替换Cav3.1 (快速电压依赖性失活)的相应S4区域, 构建嵌合通道(chimera), 并在卵母细胞中表达, 用双电极电压钳记录其通道电流. 结果显示, 替换结构域Ⅰ中的S4使Cav3.1的稳态失活曲线左移, V_0.5失活和k_失活值显著改变; 替换其余结构域(Ⅱ~Ⅳ)的S4对失活的电压依赖性无显著影响. 结果表明, 结构域Ⅰ的S4参与通道的失活过程, 不同结构域的S4 在Cav3.1失活中的作用不同, 提示结构域Ⅰ的S4可能起偶联膜电位变化与通道失活的作用, 膜电位变化引起S4移动可能是通道失活区分子结构变化的触发因素.     

电压偏置下考虑了自热效应的非致冷红外测辐射热计响应率的推导

非致冷红外测辐射热计是一种有源器件,工作时器件的自热效应不容忽略。从理论上推导出在电压偏置下考虑了自热效应的非致冷红外测辐射热计响应率的计算公式。     

基于超级电容储能电压暂降综合治理装置的设计

随着现代制造业的发展,敏感设备越来越多,设备的电压暂降问题日益增多,急需解决。利用超级电容储能特性所做的电压暂降综合治理装置设计,包含主电路的拓扑图、参数计算和选择方法、装置结构以及热设计。这一装置可以有效解决电压暂降的问题,提高设备运行的稳定性。     

正脉冲电压下水中流注放电特性的研究

采用介质涂覆的球-板电极结构,研究了不同电导率、气压和脉冲电压幅值条件下水中流注放电的特性.结果表明,水的电导率和脉冲电压幅值对水中流注速度、图像亮度等有较大影响.不同电导率条件下,气压由0.1 Mpa降至0.006 5 Mpa对水中超音速流注发展平均速度并无明显影响.在低气压时,纯净水中间隙为10%击穿电压(U10)降低,约为一个大气压条件下的80%,而在高电导率的水中,U10几乎不受气压影响.由放电图像和放电电流波形分析可知,在低电导率的水中,流注发展是不连续的分步发展,在每一步的发展中形成一个或多个微小的气泡.