浅析推垮型冒顶事故的发生机理

对推垮型冒顶事故产生的原因,形成机理进行了探讨。     

预应力砼T型梁反拱设置与质量通病预防

1．武汉市武家山地处软基．京球高速公路跨越时大量采用30m后张预应力砼T型梁，在台座上浇注、张扭，然后用架桥机简支安装，每跨6片．每5-6跨通过桥面简单连续。我标段全长19．3km．主要是桥梁，共计30mt型梁2076片（双幅173孔），这些梁板在安装时，无一不发生了T梁上拱度偏大、T梁顶面超高，从而出现桥面铺装层厚度不足，危及桥面系工程质量的情况，形成了本项目预应力梁式桥上部结构施工中的质量通病。     

地方高校多校区合理利用研究

扩展型多校区是我国高等院校办学规模扩大过程中,通过自身筹建新校区而形成的新的办学 格局。各高校尤其是地方的高等院校在实践中又有诸多问题存在。针对这种扩展型地方高校如何合理利 用资源入手,分析现实中存在的各种问题,提出解决问题的方法对于我国高等教育的发展具有较为深远 的意义。     

π-σ-π型双稳态分子器件的分子内电子转移及外电场效应

将由联苯阴离子和中性萘之间通过刚性环己烷所连接的经典的电子转移体系作一构象修正，得到一个新的π-σ-π型分子．UHF/6 -31G^**研究表明，新体系具有较高的能垒和很小的电子转移藕合，而且其藕合几乎完全通过环己烷桥上的化学键实现．外电场效应的研究进一步发现，该体系的电荷可稳定地定域在联苯片段或萘片段上，仅当出现外部刺激(如电、光等)，其电荷定域态才会迅速转变．因此，认为该体系可以作为双稳态分子器件材料的原型分子．     

深部电刺激丘脑底核与ATP敏感性钾通道

深部电刺激术(Deep brain stimulation，DBS)能抑制过度活动的神经核团，缓解帕金森氏病(Parkinson’s disease，PD)的运动症状和减少药物用量。深部电刺激术可能也刺激基底神经核团释放某些未知的具有神经保护作用的生物活性物质，干预神经元退变过程并延缓疾病发展，从而减缓或阻止帕金森氏病的     

不饱和烃同系物凝聚型物理性质递变规律的数学描述

以H-(CH2)n-CH=CH2和H-(CH2)n-C≡CH型同系物结构重复单元数值连续变化为模型,获得了描述该同系物凝聚型物理性质递变规律的数学表达式:P=(a0+a1n+a2n2)/(1+b2n2),式中a0、a1、a2、b2均为常数,n为结构重复单元数值,P为同系物的凝聚型物理性质。通过非线性回归分析,得到回归方程,结果表明同系物的凝聚型物理性质与重复结构单元数值之间满足上述关系式,并显示优良的相关性。     

LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

V型缺口应力及应力强度因子的计算

断裂力学理论和应用对平面线弹性线裂缝问题已相当成熟，但对V型缺口(如混凝土坝坝踵)的研究还不很多．实际上当V型缺口的a=2π时(图1)即为线裂缝，因而研究V型缺口的应力和应力强度因子将更具有普遍意义．用常规有限元法虽也能求解，但要求网格分得很细，工作量很大，且不易掌握．文献[1]对此类问题曾有所研究，但没有给出应力强度因子的求法．亦有人提出用边界配置法求解，但边界条件复杂时实用性较差．本文对V型缺口应力及应力强度因子的计算做了一些探索，推导了缺口附近位移场，应变场和应力场的任意高阶级数表达式，并据此构造了能反映V型缺口应力奇异性的扇形奇异单元．     

论无穷级整函数的增长与Taylor系数关系

本文对无穷级整函数引入超级与超型的概念,同时研究它们与Taylor展式的系数之间的关系.