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871.
通过测量开路电压、电导率等参数,测定了m-S-m.2Br型阳离子Gemini表面活性剂的临界胶束浓度(CMC)及其温度响应特点。实验结果表明:该类表面活性剂比传统阳离子表面活性剂具有更强的胶团生成能力,在所研究的温度范围内(20~55℃),CMC随温度的升高略有增大;根据质量作用模型计算所得的热力学数据表明:该类表面活性剂的胶束化过程服从熵驱动机理,并出现了焓/熵补偿现象。 相似文献
872.
无机盐在超(近)临界水中的溶解度极低,这为超临界水脱盐的研究提供了理论依据。根据溶液浓度与电导率的函数关系,在自制小型反应器中,考察了不同超(近)临界状态下NaCl溶液的盐析行为,同时分析了温度和压力对于脱盐效果的影响。实验结果表明:高温低压的反应条件有利于无机盐的脱除,当压力为23.1 MPa、温度为673 K时,得到的NaCl水溶液的质量分数为7.4×10-5;在水的临界点附近NaCl的溶解度变化极为剧烈,在23.1 MPa的压力下,从643 K升温到663 K,NaCl水溶液的浓度降低了30倍。 相似文献
873.
将磺化聚苯乙炔(SPPA)与多壁碳纳米管(MWNT)超声共混制备得到SPPA/MWNT复合材料,用四探针、X光电子能谱、紫外 可见 近红外光谱、X射线衍射和场发射扫描电镜等方法对复合材料进行研究.结果显示:MWNT与SPPA之间存在较强的相互作用;SPPA/MWNT 复合材料导电特性具有低临界阈值和电阻负温度系数(NTC)等现象.表明在复合材料中SPPA与MWNT相互作用发生电荷转移,使MWNT周围的SPPA具有较高的电导率,这种具有较高电导率的SPPA彼此之间可相互接触形成导电通路. 相似文献
874.
研究氢键铁电体在外场作用下的孤子动力学特性,获得了非对称扭结孤子解的表达式.计算孤子的速度、迁移率和电导率,理论计算结果与实验值很好地相符合. 相似文献
875.
介绍了交流阻抗谱法测试质子交换膜质子电导率的原理与等效电路.并以Nafion117膜为例介绍了采用交流阻抗法测试其电导率的测试夹具及测试平台的设计和搭建,给出了Nafion117膜的交流阻抗谱图以及膜质子电导率随温度的变化曲线.采用交流阻抗法测试质子交换膜的电导率是质子交换膜燃料电池性能测试的重要手段. 相似文献
876.
从BaPbO3与BaTiO3多晶态陶瓷的缺陷结构出发,结合不同气氛下烧成试样的室温电导率,探讨两种材料的导电特性与晶体缺陷结构之间的关系,从微观本质上阐述晶体缺陷对材料电学性能的影响.结果表明:BaPbO3与BaTiO3不同的缺陷结构决定了两种材料具有不同的电学性能;BaPbO3材料中受主能级较浅,受主中心所束缚的空穴很容易跃迁至价带形成导电载流子,在氧化气氛下烧成的试样呈高导电性;BaTiO3材料中受主能级较深,氧化气氛下烧成的试样为绝缘体. 相似文献
877.
采用光学金相显微镜、扫描电子显微镜及能谱分析、电导率等检测手段,对铸态和均匀化态的2219合金微观组织、第二相分布及电导率进行研究分析。结果表明,2219合金铸态组织存在着枝晶偏析,在晶界上聚集大量的Al2Cu相,并有长条状的脆性相Al7Cu2(Fe、Mn)穿插在晶界上。经525 ℃均匀化处理22 h后,晶界上Al2Cu相回溶到基体中,枝晶网络被破坏,枝晶偏析消除,Cu元素从晶界到晶内的分布趋于平稳;处于亚稳态的溶质原子从过饱和固溶体中析出,在晶内呈细小、弥散地分布,基体溶质原子固溶度降低,电子散射作用减弱,电导率提高10 %IACS。 相似文献
878.
采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜对Cu-15Cr-0.1Zr合金的铸态组织、变形组织和析出相进行观察,研究析出相、加工硬化、回复和再结晶对合金抗拉强度和电导率的影响。结果表明,中间退火能够大幅度提高Cu-15Cr-0.1Zr合金的电导率,并使电导率在后续冷变形中保持不变;同时析出的纳米沉淀相引起的沉淀强化作用能够部分抵消中间退火导致的抗拉强度的降低,使合金保持良好的抗拉强度;第一次中间退火温度采用500 ℃,后续中间退火采用450 ℃,能够使Cu-15Cr-0.1Zr合金具有优异的抗拉强度和导电性能。 相似文献
879.
对7055铝合金铸锭进行不同均匀化处理制度的模拟分析,得出最优均匀化处理参数,分析不同均匀化处理制度后7055铝合金铸锭力学性能、硬度、金相组织和电导率。研究结果表明:经过260 ℃×1 h+430 ℃×2 h+470 ℃×15 h均匀化处理制度后,7055铝合金铸锭的抗拉强度、屈服强度和硬度较低,伸长率较高,有利于后续的塑性成形加工,使得加工后合金内应力消除更彻底,组织更均匀;边部、中部组织中未溶第二相绝大部分回溶于基体,心部组织存在少量第二相,回溶更加充分,均匀化效果良好,与模拟分析结果相吻合;电导率更小,电阻率更大,即过饱和程度相对更大,均匀化效果更明显。 相似文献
880.
本文利用等离子体化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术制备了铜基-石墨烯复合薄膜,通过X射线衍射及Raman光谱证实了低温合成的可行性.同时,逐步研究压强、功率、气流量、基底温度等关键参数对沉积速率的影响,实现了对薄膜材料厚度和生长过程的准确控制.进一步研究发现,H2与CH4的气体比例严重影响了等离子体与基底表面的相互作用,并导致了材料表面微观结构和粗糙度的协同改变.通过工艺参数和气体配比的优化,实现了对薄膜表面结构的有效调节.当H2/CH4为1∶12时,薄膜的粗糙度最低,电子与声子的散射源被充分抑制,电导率和热导率分别达到8.3×106 S/cm与158 W/m·K,表明该材料具有良好的导电性及优秀的散热效果.本文系统优化PECVD生产过程中的各项关键工艺参数,并详细分析了气体配比、表面结构、粗糙度及薄膜宏观物性之间的关联,为铜基-石墨烯复合薄膜的工业化生产和商业化应用提供了理论支撑和实验依据. 相似文献