电导率线性变化测井二维有限单元法数值模拟

以往电测井有限单元法的数值计算中往往假定电导率分块均匀，或者在纵向分段均匀，或者在纵向上不变．为模拟电导率连续变化的情况，提出一种测井二维有限单元数值模拟方法．允许电导率在矩形单元内纵向(井轴)和横向上都可以线性变化，使之能模拟复杂的地电模型．采用异常电位法在变分中消除了电源项这个奇点，使电源附近的电位计算更加精确．此外还考虑了地面的影响，可以对地表附近的测井曲线进行研究分析．经过对多种模型的计算，证明了方法的正确性。     

低温胁迫对紫花苜蓿生理特性影响的研究

苜蓿作为优良的牧草，研究其在低温胁迫下时的生理生化特性的变化，对以后研究苜蓿转基因，提高其抗寒性有重要意义．通过对低温胁迫下紫花苜蓿叶片SOD、脯氨酸和电导率等生理生化指标的测定，确定其抗寒生理特性，研究结果表明，在4℃冷处理12h内，叶片的SOD活性呈上升趋势，随后呈下降趋势，24h后保持稳定；脯氨酸含量随冷处理时间呈增加趋势；在高于-3℃低温胁迫时，叶片的电导率呈缓慢增加，而在低于-4℃时，由于质膜受到损伤电导率呈明显增加，表明该紫花苜蓿可以耐受-3℃的低温。     

聚苯胺热电性能研究

通过测定一系列不同质子酸掺杂的聚苯胺在不同温度下的电导率、Seebeck系数和热导率值，讨论了不同的掺杂酸和温度对电导率、Seebeck系数、热导率的影响．研究结果表明，聚苯胺有较小的热导率，且其与各种结构因素几乎无关；用有机酸进行二次掺杂的聚苯胺电导率和Seebeck系数均有所提高；温度升高电导率增加而Seebeck系数下降，但更高温度下会发生聚苯胺的脱掺杂使电导率下降而Seebeck系数增加．如能通过结构设计，改变制备条件合成出更高电导率和Seebeck系数聚苯胺，则其有可能成为性能良好的热电材料．     

CVD金刚石膜的压阻及其温度特性

在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上，通过求解弛豫近似下的Bohzmann方程，求出了P-型金刚石膜的电导率。在价带分裂模型下得到了压阻的计算公式，计算了微应力作用下金刚石膜的压阻，压阻和应力的变化(△ε)有比较好的线性关系，张应力情况下压阻大于零，压应力情况下压阻小于零。从理论上给出了压阻和温度的关系，计算了压阻随温度的变化，压阻随着温度的上升而单调减小。     

通电加热技术及其在食品加工中的应用

通电加热技术不同于传统的加热手段.它在连续流体食品的加热杀菌方面,具有明显的优势.介绍了通电加热的基本原理、特点、装置、国内外研究现状以及在食品加工中的应用.     

聚(2,5-二丁氧基)对苯乙炔的制备及其光电性能

通过双醚化反应,氯甲基化反应以及在强碱性条件下进行的脱氯化氢反应,制备出新型光电功能材料聚(2,5 二丁氧基)对苯乙炔(PDBOPV).利用紫外 可见吸收光谱对其进行了结构表征.研究表明,PDBOPV在310nm和520nm处分别出现苯环和亚乙烯基中的不饱和CC双键的π π 电子跃迁.将I2、Br2、FeCl3和H2SO4作为掺杂剂,对PDBOPV进行掺杂反应,得到了电导率分别为52 6、27 3、38 4和6 1S/cm的掺杂态PDBOPV.采用简并四波混频方法研究了其三阶非线性光学性质,发现PDBOPV具有大的三阶非线性光学效应,在1064nm下的非共振三阶非线性极化率和532nm下的共振三阶非线性极化率分别为1 6×10-11esu和7 2×10-10esu.     

高纯硅微粉水萃液电导率的测定

高纯硅微粉水萃液的电导率测定是衡量相关产品纯度的一个重要质量指标,硅微粉纯度越低,水萃液电导率就越高.对水萃液电导测定中的溶液制备条件,测定方法灵敏度等进行了实验,确定了最佳萃取时间和萃取的比例.得到方法相对标准偏差为0.11％.方法检出限(3σ)0.31 μg/ml,同时作了大量不同等级的样品检测,其电导率结果存在明显差别.对硅微粉产品的生产工艺控制,有重要的指导意义.     

热轧Cu-Ni-Si合金冷轧后时效过程中的相变动力学

Cu-M-Si合金在时效过程中的导电率变化反映了合金中时效析出相的相变过程，因而通过测量时效过程中导电率的变化就可反映该合金时效析出转变的相变动力学方程，在此基础上，还可进一步求得时效时间和温度两个参数下的二元导电率方程。试验结果表明由该导电率方程所得的计算值能较好地与试验值相符，因此可以较准确的预测出某一工艺参数下可能达到的性能，以求达到减少试验次数和成本的目的，从而为该合金的生产工艺的制定提供参考依据。     

298K时DyCl3在DMF和水混合溶剂中无限稀释摩尔电导率的测定

在298K时测定了DyCl3在DMF和水混合溶剂中的电导率,根据λ一(k液-k济)×10-3/c公式求得DyCl3的摩尔电导率λ值,按公式λ=λ0(1-β√c)作图外推求得DyCl3在DMF和水混合溶剂中的无限稀释摩尔电导率λ0值.     

掺纳米MgO第二相对ZrO2(3Y)材料性能的影响

采用纳米ZrO2(3Y)粉和纳米MgO粉为原料，对掺MgO的ZrO2(3Y)在1100℃、1200℃、1300℃不同温度下进行常压烧结2h，实验结果表明，掺一定量的MgO有利于烧结体电导率的提高并对样品的烧结致密起促进作用。发现烧结样品在烧结温度1200℃和1300℃时，掺5wt％以上的纳米MgO时，四方相完全转变为立方相。探讨了掺纳米MgO对ZrO2(3Y)烧结体的致密度和电导率的影响。