Au（111）衬底上单层Pd的电子态密度

用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了几个表面系统的电子态密度，这些系统在费米能附近的态密度主要是由原子的ｄ轨道贡献的．Ｐｄ（１１１）的态密度峰基本上就在费米能附近，而Ａｕ（１１１）－Ｐｄ的态密度峰在费米能级以下约０．９ｅＶ附近，这种差别被归因于原子间距的增大和顶层与衬底间原子ｄ轨道能的较大差异．     

W，V对Fe—Cr—Mn奥氏体钢辐照诱起晶界偏析和相稳定性的作用

利用电子束辐照Fe-Cr-Mn(W,V)合金的结果表明，添加原子半径尺寸大的溶质元素W和V，可形成大量微细碳化物，增多相界面即增加基体中尾闾数目，能有效降低合金基体中点缺争过饱和浓度，减少空洞肿胀，同时有利于形成高密度位错环，减少它们相互间的间距 缩短点缺陷向尾闾移动扩散的平均自由程，导致点缺陷捕获溶质原子的机会减少，进而抑制辐照诱起晶界偏析，提高合金γ相稳定性。     

电子海图中海图水深深度场模型研究

论述了依据纸质海图提供的水深信息建立海图水深深度场模型的几种方法，其中包括栅格模型、线性攻加权平均模型，对各种模型的利与弊作了简要分析。     

电子镇流器的可靠性设计

讨论了电子镇流器可靠性设计的有关原理和方法，并从电路网络的固有可靠性设计、降额设计、电磁兼容设计与耐环境设计等方面论述了ＨＵＳＴ－ＹＺ４０ＥＢ型电子镇流器可靠性设计与制造的技术方案．     

ClONO2与氯原子反应及其自身微波放电的HeI紫外光电子能…

本文进行了ＣｌＯＮＯ２分子与瞬变种Ｃｌ原子反应的ＵＰＳ实验测试，指认其最终产物为ＣｌＯ自由基，ＮＯ２和Ｃｌ２。分析其反应历程为：Ｃｌ＋ＣｌＯＮＯ２－－－Ｃｌ２＋ＮＯ３（１）Ｃｌ＋ＮＯ３－－－ＣｌＯ＋ＮＯ２（２）ＣｌＯＮＯ２与Ｃｌ原子反应能够将含不活沲Ｃｌ的ＣｌＯＮＯ２转化为活泼的ＣｌＯ２，Ｃｌ２从而重参与Ｏ３破坏的循环。     

GaAs／AlGaAs双势垒结构间接电子隧穿的研究

研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿电流密度、计算结果表明电子隧穿几率曲线中出现附加的隧穿峰和隧穿峰变低，并且随穿电流密度曲线巾出现附加的隧穿台阶，隧穿峰变低和展宽，这主要是由于外加突变电场与Ｅ±ｎω的电子态耦合，为电子隧穿提供间接的通道和路径、这也是设计双势垒电子隧穿器件不可忽略的、上述方法也可以推广到多量子阶系统。     

磁场中电子绕原子核运动角频率的变化

本文以氢原子为例，讨论并定量计算了在磁场中电子绕原子核运动角频率的变化。     

GaAs／GexSi1—x系统的电子能带结构

采用紧束缚方法计算生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｊ２）４／（ＧａＡｓ）的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。     

M(POR)与M(PC)催化过程中的电子转移机理——电子的隧道迁移

本文是M(POR)与M(PC)类化合物催化作用的微观电子转移机理系列研究之一。简述催化过程基本特征,电子隧道迁移模型与主要结果。