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171.
BaFX:Eu(X:Cl,Br)中电子陷阱的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
X线影像板需要近红外光激励。掺入Ca^2+,Sr^2+,Mg^2+后,用650 ̄700nm光激励BaFX:Eu^2+,可以更为灵敏。用正电子湮没寿命谱,电子顺磁共振谱,加热发光谱和光激励发光谱,研究了X射线辐照后BaFx:Eu(X:Cl,Br)电子陷阱的性质、状态、密度和转换。 相似文献
172.
结合数字签名与手写签名的电子文件认证方法 总被引:1,自引:1,他引:0
金涌 《华中理工大学学报》1998,26(8):81-83
提出数字签名与手写签名相结合的复合签名认证方法,一方面用数字签名对个人手写签名动态特征数据进行封装,使其具有网上安全传递的保障,另一方面利用手写签名验证方法加强数字签名的认证作用,以站数字签名的不足。 相似文献
173.
设计与天文成像探测系统中的EB-CCD相匹配的小倍率静电聚焦电子光学系统。方法 利用静电像管设计及优化设计软件包,结合已有的静电像管管型及积累的静电像管正设计和优化设计经验进行设计。结果设计了一种小倍率静电聚信优化电子光学系统,给出了相应的计算参数及结果,其结构及像质符合实际要求。 相似文献
174.
极性晶体膜中极化子的性质 总被引:1,自引:0,他引:1
使用格林函数法研究在极性晶体膜中极化子自能的一些性质.对GaAs进行了计算,结果表明:在绝对零度时,极性晶体膜中电子与体纵光学声子相互作用能的绝对值随极性晶体膜的厚度的增加而增加,随后几乎保持不变. 相似文献
175.
谢茂浓 《四川大学学报(自然科学版)》1998,35(3):372-377
利用2MV电子静电加速器,研究了热氧化工艺与SiO2-Si结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照SiO2-Si结构引起的MOS电容平带电压漂移ΔVfb与SiO2膜厚dox^2成正比。由P型硅为衬底或掺氯氧化的SiO2-Si结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干N2热退火的SiO2-Si结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。 相似文献
176.
设计并合成了一种新的具有电子给体结构的非对称四硫富瓦烯衍生物2,3-二硫苄基-6,7-二硫十六烷基四硫富烯。经元素分析,红外光谱,核磁共振谱确定了其结构,并对单分子膜的成膜性能和条件进行了初步的探讨。 相似文献
177.
异精激发彭泽卿雌核发育后代染色体组型的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
舒琥 《华南师范大学学报(自然科学版)》1998,(2):37-40
利用活体注射PHA法对彭泽鲫及彭泽鲫在不同外源精子刺激形成的子一代进行染色体组型分析,结果表明:彭泽鲫具166条染色体,核型组成是18对中部,17对亚中部、6对亚端部、42对端部着丝点染色体。 相似文献
178.
混合气体介质阻挡放电中的电子激发温度 总被引:1,自引:0,他引:1
采用光谱法,研究大气压下氩气/空气介质阻挡放电中电子激发温度随空气含量的变化.放电装置为水电极介质阻挡放电装置,通过氩原子763.51nm(2P6→1S5)和772.42nm(2P2→1S3)两条谱线相对强度之比计算电子激发温度.实验结果表明:当空气的体积分数为10%~60%时,电子激发温度随空气含量的增加而减小. 相似文献
179.
应用微波吸收相相敏介电谱技术测量吸附染料J-聚集体的立方体氯化银微晶中光电子的衰减特性,从而研究染料对氯化银微中光电子的影响.研究表明:在紫外光照射吸附机染料J-聚集体的氯化银时,染料能够加快光电子的衰减;光电子的变化规律与吸附染料浓度有关;说明染料增加了氯化银微晶中的隙间银离子浓度.可见光照射吸附有机染料的氯化银时,染料能够将染料激发态的光电子转移到氯化银中;显著地增加了氯化银微晶中的光电子强度;染料起到了敏化氯化银的作用. 相似文献
180.